ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|
REVMII | |||||
tc(TXCK) | ENET_MII_TX_CLK 周期时间 | 40 | ns | ||
tw(TXCK) | ENET_MII_TX_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 16 | 24 | ns | |
td(TXCKH-DV) | ENET_MII_TX_CLK 高电平至 ENET_MII_TX_DATA[3:0]、ENET_MII_TX_DV、ENET_MII_TX_ERR 有效的延迟时间 | 10 | ns | ||
tv(TXCKH-DV) | ENET_MII_TX_CLK 高电平至 ENET_MII_TX_DATA[3:0]、ENET_MII_TX_DV、ENET_MII_TX_ERR 无效的有效时间 | 1 | ns | ||
MDIO | |||||
tc(MCK) | ENET_MDIO_CLK 周期时间 | 400 | ns | ||
tw(MCK) | ENET_MDIO_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 160 | 240 | ns | |
td(MCKH-MDV) | ENET_MDIO_CLK 高电平至 ENET_MDIO_DATA 有效的延迟时间 | 40 | ns | ||
tv(MCKH-MDV) | ENET_MDIO_CLK 高电平之后 ENET_MDIO_DATA 有效的有效时间 | 1 | ns |