ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
编号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
MII 100Mbps | ||||||
MII7 | td(TXCKH-MTXDV) | ENET_MII_TX_CLK 高电平至发送信号有效的延迟时间 | 0 | 15 | ns | |
MII 10Mbps 开关特性 | ||||||
MII7 | td(TXCKH-MTXDV) | ENET_MII_TX_CLK 高电平至发送信号有效的延迟时间 | 0 | 15 | ns | |
RMII(内部时钟)100Mbps | ||||||
RMII7 | tc(RCK) | ENET_RMII_CLK 周期时间 | 20 | ns | ||
RMII8/ RMII9 |
tw(RCK) | ENET_RMII_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 8 | 12 | ns | |
RMII11 | td(RCKH-MTXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平至发送信号有效的延迟时间 | 14 | ns | ||
RMII(内部时钟)10Mbps | ||||||
RMII7 | tc(RCK) | ENET_RMII_CLK 周期时间 | 200 | ns | ||
RMII8/ RMII9 |
tw(RCK) | ENET_RMII_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 80 | 120 | ns | |
RMII11 | td(RCKH-MTXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平至发送信号有效的延迟时间 | 0 | 14 | ns | |
RMII(外部时钟)100Mbps | ||||||
RMII11 | td(RCKH-MTXDV) | ENET_RMII_TX_CLK 高电平至发送信号有效的延迟时间 | 0 | 14 | ns | |
RMII(外部时钟)10Mbps | ||||||
RMII11 | td(RCKH-MTXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平至发送信号有效的延迟时间 | 0 | 14 | ns | |
MDIO | ||||||
MDIO1 | tc(MCK) | ENET_MDIO_CLK 周期时间 | 400 | ns | ||
MDIO2/ MDIO3 |
tw(MCK) | ENET_MDIO_CLK 高电平或低电平的脉冲持续时间 | 160 | 240 | ns | |
MDIO7 | td(MCKH-MDV) | ENET_MDIO_CLK 高电平至 ENET_MDIO_DATA 有效的延迟时间 | 0.5tc(MCK) + 30 | ns | ||
tv(MCKH-MDV) | ENET_MDIO_CLK 高电平之后 ENET_MDIO_DATA 有效的有效时间 | 0.5tc(MCK) | ns |