ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|
REVMII | |||||
tc(RXCK) | 周期时间,ENET_MII_RX_CLK | 40 | ns | ||
tw(RXCK) | 脉冲持续时间,ENET_MII_RX_CLK 高电平或低电平 | 16 | 24 | ns | |
tsu(MRXDV-RXCKH) | ENET_MII_RX_CLK 高电平之前 ENET_MII_RX_DATA[3:0]、ENET_MII_RX_EN 有效的建立时间 | 15 | ns | ||
th(RXCKH-MRXDV) | 保持时间,ENET_MII_RX_DATA[3:0]、ENET_MII_RX_EN 在 ENET_MII_RX_CLK 高电平之后的有效时间 | 0 | ns | ||
MDIO | |||||
tc(MCK) | 周期时间,ENET_MDIO_CLK | 400 | ns | ||
tw(MCK) | 脉冲持续时间,ENET_MDIO_CLK 高电平或低电平 | 160 | 240 | ns | |
tsu(MDV-MCKH) | ENET_MDIO_CLK 高电平之前 ENET_MDIO_DATA 有效的建立时间 | 30 | ns | ||
th(MCKH-MDV) | ENET_MDIO_CLK 高电平之后 ENET_MDIO_DATA 有效的保持时间 | 3 | ns |