ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
信号名称 | 说明 | 引脚类型 | GPIO 引脚 | 337 BGA 引脚 | 176 引脚 |
---|---|---|---|---|---|
VDD | 1.2V 数字逻辑电源引脚。TI 建议在每个 VDD 引脚附近放置一个最小总电容值约为 20µF 的去耦电容器。去耦电容器的确切值应由您的系统电压调节解决方案确定。应在 VDD 和 VSS 之间放置一个 56Ω 电阻(容差为 10%)。该电阻提供了一个负载,以消耗 VDD 电流源的内部 VDD3VFL,并避免在低功耗器件条件下 VDD 电压上升。 | E11、E9、F11、F9、G14、G15、J14、J15、K5、K6、P10、P13、R10、R13 | 117、126、137、153、158、16、169、21、61、76 | ||
VDD3VFL | 3.3V 闪存电源引脚。在每个引脚上放置一个最小值为 0.1µF 的去耦电容器 | R11、R12 | 72 | ||
VDDA | 3.3V 模拟电源引脚。在每个引脚上放置一个最小值为 2.2µF 且连接至 VSSA 的去耦电容器。 | P6、R6 | 36、54 | ||
VDDIO | 3.3V 数字 I/O 电源引脚。在每个引脚上放置一个最小值为 0.1µF 的去耦电容器。 | A18、A9、B1、E10、E13、E16、E7、F10、F13、F16、F4、F7、G4、G5、G6、H5、H6、L14、L15、M1、M5、M6、N14、N15、P9、R9、V19、W8 | 106、11、114、116、127、138、147、15、152、159、168、20、26、3、62、68、75、82、88、91、99 | ||
VDDOSC | 3.3V 片上晶体振荡器(X1 和 X2)的电源引脚以及两个内部零引脚振荡器 (INTOSC)。在每个引脚上放置一个 0.1µF(最小值)的去耦电容器。 | H16、H17 | 120、125 | ||
VSS | 器件接地。对四通道扁平封装(QFP),必须将封装底部的 PowerPAD 焊接到 PCB 的接地层。 | A1、A10、A19、E12、E14、E15、E5、E6、E8、F12、F14、F15、F5、F6、F8、G16、G17、H10、H11、H12、H14、H15、H8、H9、J10、J11、J12、J5、J6、J8、J9、K10、K11、K12、K14、K15、K8、K9、L10、L11、L12、L18、L5、L6、L8、L9、M10、M11、M12、M14、M15、M8、M9、N1、N5、N6、P11、P12、P14、P15、P7、P8、R14、R15、R7、R8、W19、W7 | PAD | ||
VSSA | 模拟接地 | P1、P5、R5、V7、W1 | 34、52 | ||
VSSOSC | 晶体振荡器(X1 和 X2)接地引脚。使用外部晶体时,请勿将此引脚连接至电路板接地。相反,将其连接至外部晶体振荡器电路的接地基准。如果未使用外部晶体,则此引脚可以连接至电路板接地。 | H18、H19 | 122 |