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ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

ZWT|337
PTP|176

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.10.11.2 同步 DRAM 支持

EMIF 存储器控制器与使用 32 位或 16 位数据总线的 JESD21-C SDR SDRAM 兼容。EMIF 具有单个 SDRAM 芯片选择 (EMIF_CS[0])。

用于同步存储器 (SDRAM)的EMIF 的地址空间超出程序地址总线的 22 位范围，只能通过数据总线访问，这给 C 编译器带来了限制，使其无法在此空间中有效地处理数据。因此，使用 SDRAM 时，建议用户在处理数据之前先将数据从外部存储器复制（使用 DMA）到 RAM 中。请参阅适用于 C2000 MCU 的 C2000Ware 和 TMS320F2838x 实时微控制器技术参考手册 中的示例。

支持的 SDRAM 配置包含：

一存储库、二存储库和四存储库 SDRAM 器件
具有 8、9、10 和 11 列地址的器件
两个或三个时钟周期的 CAS 延迟
16 位/32 位数据总线宽度
3.3V LVCMOS 接口

此外，EMIF 支持将 SDRAM 置于自刷新模式和省电模式。自刷新模式允许将 SDRAM 置于低功耗状态，同时仍然保留内存内容，因为即使没有微控制器的时钟，SDRAM 也将继续进行自刷新。省电模式实现更低的功耗，但如果需要保留数据，微控制器必须定期唤醒并发出刷新。EMIF 模块不支持移动 SDRAM 器件。

在该器件上，EMIF 不支持对 SDRAM 配置进行突发访问。这意味着每次对外部 SDRAM 器件进行访问时都将有 CAS 延迟。