ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
编号 | 参数(1)(2)(3) | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|
1 | td(TURNAROUND) | 周转时间 | (TA)*E–3 | (TA)*E+2 | ns |
读取 | |||||
3 | tc(EMRCYCLE) | EMIF 读取周期时间 (EW=0) | (RS+RST+RH)*E–3 | (RS+RST+RH)*E+2 | ns |
EMIF 读取周期时间 (EW=1)(4) | (RS+RST+RH+ (MEWC*16))*E–3 |
(RS+RST+RH+ (MEWC*16))*E+2 |
ns | ||
4 | tsu(EMCEL-EMOEL) | 输出建立时间,EMxCS[y:2] 低电平至 EMxOE 低电平的时间 (SS = 0) | (RS)*E–3 | (RS)*E+2 | ns |
EMxCS[y:2] 低电平至 EMxOE 低电平 (SS=1)的输出建立时间 | -3 | 2 | ns | ||
5 | th(EMOEH-EMCEH) | EMxOE 高电平至 EMxCS[y:2] 高电平(SS=0)的输出保持时间 | (RH)*E–3 | (RH)*E | ns |
EMxOE 高电平至 EMxCS[y:2] 高电平(SS=1)的输出保持时间 | –3 | 0 | ns | ||
6 | tsu(EMBAV-EMOEL) | EMxBA[y:0] 有效至 EMxOE 低电平的输出建立时间 | (RS)*E–3 | (RS)*E+2 | ns |
7 | th(EMOEH-EMBAIV) | EMxOE 高电平至 EMxBA[y:0] 无效的输出保持时间 | (RH)*E–3 | (RH)*E | ns |
8 | tsu(EMAV-EMOEL) | EMxA[y:0] 有效至 EMxOE 低电平的输出建立时间 | (RS)*E–3 | (RS)*E+2 | ns |
9 | th(EMOEH-EMAIV) | EMxOE 高电平至 EMxA[y:0] 无效的输出保持时间 | (RH)*E–3 | (RH)*E | ns |
10 | tw(EMOEL) | EMxOE 有效低电平宽度 (EW=0) | (RST)*E–1 | (RST)*E+1 | ns |
EMxOE 有效低电平宽度 (EW = 1)(4) | (RST+(MEWC*16))*E–1 | (RST+(MEWC*16))*E+1 | ns | ||
11 | td(EMWAITH-EMOEH) | 从 EMxWAIT 无效到 EMxOE 高电平的延迟时间 | 4*E+10 | 5*E+15 | ns |
29 | tsu(EMDQMV-EMOEL) | EMxDQM[y:0] 有效至 EMxOE 低电平的输出建立时间 | (RS)*E–3 | (RS)*E+2 | ns |
30 | th(EMOEH-EMDQMIV) | EMxOE 高电平至 EMxDQM[y:0] 无效的输出保持时间 | (RH)*E–3 | (RH)*E | ns |
写入 | |||||
15 | tc(EMWCYCLE) | EMIF 写入周期时间 (EW=0) | (WS+WST+WH)*E–3 | (WS+WST+WH)*E+2 | ns |
EMIF 写入周期时间 (EW=1)(4) | (WS+WST+WH+ (MEWC*16))*E–3 |
(WS+WST+WH+ (MEWC*16))*E+2 |
ns | ||
16 | tsu(EMCEL-EMWEL) | EMxCS[y:2] 低电平至 EMxWE 低电平 (SS=0)的输出建立时间 | (WS)*E–3 | (WS)*E+2 | ns |
EMxCS[y:2] 低电平至 EMxWE 低电平 (SS=1)的输出建立时间 | -3 | 2 | ns | ||
17 | th(EMWEH-EMCEH) | EMxWE 高电平至 EMxCS[y:2] 高电平(SS=0)的输出保持时间 | (WH)*E–3 | (WH)*E | ns |
EMxWE 高电平至 EMxCS[y:2] 高电平(SS=1)的输出保持时间 | –3 | 0 | ns | ||
18 | tsu(EMDQMV-EMWEL) | EMxDQM[y:0] 有效至 EMxWE 低电平的输出建立时间 | (WS)*E–3 | (WS)*E+2 | ns |
19 | th(EMWEH-EMDQMIV) | EMxWE 高电平至 EMxDQM[y:0] 无效的输出保持时间 | (WH)*E–3 | (WH)*E | ns |
20 | tsu(EMBAV-EMWEL) | EMxBA[y:0] 有效至 EMxWE 低电平的输出建立时间 | (WS)*E–3 | (WS)*E+2 | ns |
21 | th(EMWEH-EMBAIV) | EMxWE 高电平至 EMxBA[y:0] 无效的输出保持时间 | (WH)*E–3 | (WH)*E | ns |
22 | tsu(EMAV-EMWEL) | EMxA[y:0] 有效至 EMxWE 低电平的输出建立时间 | (WS)*E–3 | (WS)*E+2 | ns |
23 | th(EMWEH-EMAIV) | EMxWE 高电平至 EMxA[y:0] 无效的输出保持时间 | (WH)*E–3 | (WH)*E | ns |
24 | tw(EMWEL) | EMxWE 有效低电平宽度 (EW=0) |
(WST)*E–1 | (WST)*E+1 | ns |
EMxWE 有效低电平宽度 (EW = 1)(4) |
(WST+(MEWC*16))*E–1 | (WST+(MEWC*16))*E+1 | ns | ||
25 | td(EMWAITH-EMWEH) | 从 EMxWAIT 无效到 EMxWE 高电平的延迟时间 | 4*E+10 | 5*E+15 | ns |
26 | tsu(EMDV-EMWEL) | EMxD[y:0] 有效至 EMxWE 低电平的输出建立时间 | (WS)*E–3 | (WS)*E+2 | ns |
27 | th(EMWEH-EMDIV) | EMxWE 高电平至 EMxD[y:0] 无效的输出保持时间 | (WH)*E–3 | (WH)*E | ns |