ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
编号 | 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|
时钟 | |||||
tc(CLKG) | 周期时间,CLKG(1) | 2*tc(LSPCLK) | ns | ||
P | 周期时间,LSPCLK(1) | tc(LSPCLK) | ns | ||
M33、M42、M52、M61 | tc(CKX) | 周期时间,CLKX(2) | 16P | ns | |
CLKSTP=10b,CLKXP=0 | |||||
M30 | tsu(DRV-CKXL) | 在 CLKX 低电平之前,DR 有效的建立时间 | 8P-10 | ns | |
M31 | th(CKXL-DRV) | 在 CLKX 低电平之后,DR 有效的保持时间 | 8P-10 | ns | |
M32 | tsu(BFXL-CKXH) | CLKX 高电平前,FSX 为低电平的建立时间 | 8P+10 | ns | |
CLKSTP=11b,CLKXP=0 | |||||
M39 | tsu(DRV-CKXH) | CLKX 高电平前,DR 有效的建立时间 | 8P-10 | ns | |
M40 | th(CKXH-DRV) | CLKX 高电平后,DR 有效的保持时间 | 8P-10 | ns | |
M41 | tsu(FXL-CKXH) | CLKX 高电平前,FSX 为低电平的建立时间 | 16P+10 | ns | |
CLKSTP=10b,CLKXP=1 | |||||
M49 | tsu(DRV-CKXH) | CLKX 高电平前,DR 有效的建立时间 | 8P-10 | ns | |
M50 | th(CKXH-DRV) | CLKX 高电平后,DR 有效的保持时间 | 8P-10 | ns | |
M51 | tsu(FXL-CKXL) | CLKX 低电平前,FSX 为低电平的建立时间 | 8P+10 | ns | |
CLKSTP=11b,CLKXP=1 | |||||
M58 | tsu(DRV-CKXL) | 在 CLKX 低电平之前,DR 有效的建立时间 | 8P-10 | ns | |
M59 | th(CKXL-DRV) | 在 CLKX 低电平之后,DR 有效的保持时间 | 8P-10 | ns | |
M60 | tsu(FXL-CKXL) | CLKX 低电平前,FSX 为低电平的建立时间 | 16P+10 | ns |