ZHCSJS3E may 2019 – june 2023 TMS320F28384D , TMS320F28384D-Q1 , TMS320F28384S , TMS320F28384S-Q1 , TMS320F28386D , TMS320F28386D-Q1 , TMS320F28386S , TMS320F28386S-Q1 , TMS320F28388D , TMS320F28388S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
编号 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|---|---|
MII 100Mbps | ||||||
MII1 | tc(TXCK) | 周期时间,ENET_MII_TX_CLK | 40 | ns | ||
MII2/ MII3 | tw(TXCK) | 脉冲持续时间,ENET_MII_TX_CLK 高电平或低电平 | 16 | 24 | ns | |
MII4 | tc(RXCK) | 周期时间,ENET_MII_RX_CLK | 40 | ns | ||
MII5/ MII6 | tw(RXCK) | 脉冲持续时间,ENET_MII_RX_CLK 高电平或低电平 | 16 | 24 | ns | |
MII8 | tsu(MRXDV-RXCKH) | ENET_MII_RX_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 10 | ns | ||
MII9 | th(RXCKH-MRXDV) | ENET_MII_RX_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
MII 10Mbps | ||||||
MII1 | tc(TXCK) | 周期时间,ENET_MII_TX_CLK | 400 | ns | ||
MII2/ MII3 | tw(TXCK) | 脉冲持续时间,ENET_MII_TX_CLK 高电平或低电平 | 160 | 240 | ns | |
MII4 | tc(RXCK) | 周期时间,ENET_MII_RX_CLK | 400 | ns | ||
MII5/ MII6 | tw(RXCK) | 脉冲持续时间,ENET_MII_RX_CLK 高电平或低电平 | 160 | 240 | ns | |
MII8 | tsu(MRXDV-RXCKH) | ENET_MII_RX_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 10 | ns | ||
MII9 | th(RXCKH-MRXDV) | ENET_MII_RX_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
RMII(内部时钟)100Mbps | ||||||
RMII5 | tsu(MRXDV-RCKH) | ENET_RMII_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 4 | ns | ||
RMII6 | th(RCKH-MRXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
RMII(内部时钟)10Mbps | ||||||
RMII5 | tsu(MRXDV-RCKH) | ENET_RMII_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 4 | ns | ||
RMII6 | th(RCKH-MRXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
RMII(外部时钟)100Mbps | ||||||
RMII1 | tc(RCK) | 周期时间,ENET_RMII_CLK | 20 | ns | ||
RMII2/ RMII3 | tw(RCK) | 脉冲持续时间,ENET_RMII_CLK 高电平或低电平 | 8 | 12 | ns | |
RMII5 | tsu(MRXDV-RCKH) | ENET_RMII_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 4 | ns | ||
RMII6 | th(RCKH-MRXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
RMII(外部时钟)10Mbps | ||||||
RMII1 | tc(RCK) | 周期时间,ENET_RMII_CLK | 200 | ns | ||
RMII2/ RMII3 | tw(RCK) | 脉冲持续时间,ENET_RMII_CLK 高电平或低电平 | 80 | 120 | ns | |
RMII5 | tsu(MRXDV-RCKH) | ENET_RMII_CLK 高电平之前接收信号有效的建立时间 | 4 | ns | ||
RMII6 | th(RCKH-MRXDV) | ENET_RMII_CLK 高电平之后接收信号有效的保持时间 | 2 | ns | ||
MDIO | ||||||
MDIO1 | tc(MCK) | 周期时间,ENET_MDIO_CLK | 400 | ns | ||
MDIO2/ MDIO3 | tw(MCK) | 脉冲持续时间,ENET_MDIO_CLK 高电平或低电平 | 160 | 240 | ns | |
MDIO4 | tsu(MDV-MCKH) | ENET_MDIO_CLK 高电平之前 ENET_MDIO_DATA 有效的建立时间 | 20 | ns | ||
MDIO5 | th(MCKH-MDV) | ENET_MDIO_CLK 高电平之后 ENET_MDIO_DATA 有效的保持时间 | -1 | ns |