10 修订历史记录

Timestamp Revision History Changes Intro HTMLApril 2, 2024 to September 19, 2024

此“修订历史记录”列出了从 SPRSP85 到 SPRSP85A 的更改。 Go
通篇：TI 正在过渡到使用更具包容性的术语。某种语言可能与您期望在特定技术领域看到的语言不同。对于 SPI，所有旧术语实例均已更改为控制器和外设。所有旧引脚名称的实例均已更改为：POCI（外设输出控制器输入）；PICO（外设输入控制器输出）和 CS（芯片选择）。对于 I2C 总线接口，所有旧术语实例均已更改为控制器和目标。对于 CAN 和 LIN 接口/总线，所有旧术语实例均已更改为指挥官和响应者。对于 EtherCAT 控制器，所有旧术语实例均已更改为主器件（或 MDevice）和子器件（或 SubDevice）Go
通篇：将文档状态声明从“预量产米6体育平台手机版_好二三四的预告信息；如有更改，恕不另行通知”更改为“除非另有说明，否则本文档包含量产数据”Go
通篇：有关 TMS320F28P550SJ 器件的信息是“量产数据”Go
通篇：关于 TMS320F28P559SJ-Q1、TMS320F28P559SG-Q1 和 TMS320F28P550SG 器件的信息仅为预发布信息（而非量产数据）Go
通篇：删除了 TMS320F28P550SD 器件Go
通篇：将“NNPU”更改为“NPU”Go
通篇：将 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
特性部分：从“实时处理”特性中删除了“神经网络处理单元 (NNPU)”Go
特性部分：向“通信外设”中添加了“快速串行接口 (FSI)”Go
特性部分：将“24 个 ePWM 通道，包含 16 个具有高分辨率功能（150ps 分辨率）的通道”更改为“24 个 ePWM 通道，包含 12 个具有高分辨率功能（150ps 分辨率）的通道”Go
特性部分：添加了“神经网络处理单元 (NPU)”特性Go
说明部分：更新了“这些包括如下应用”中的应用链接。添加了关于神经网络处理单元 (NPU) 的段落Go
封装信息 表：添加了“预发布信息（非量产数据）”脚注Go
功能方框图 图：将“24x ePWM 通道（支持 16 通道高分辨率）”更改为“24x ePWM 通道（支持 12 通道高分辨率）”Go
器件比较 表：添加了“预发布信息（非量产数据）”脚注Go
引脚属性 表：将 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACL添加了关于 VREFLO 和 VREFHI 的脚注Go
128 引脚 PDT Thin Quad Flatpack（顶视图）图：将引脚 29 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
100 引脚 PZ Low-Profile Quad Flatpack（顶视图）图：将引脚 22 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
80 引脚 PNA Thin Quad Flatpack（顶视图）图：将引脚 18 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
64 引脚 PM Low-Profile Quad Flatpack（顶视图）图：将引脚 14 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
56 引脚 RSH Very Thin Quad Flatpack No-Lead（顶视图）图：将引脚 12 上的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACLGo
模拟信号 表：删除了 DACB_OUT添加了关于 VREFLO 和 VREFHI 的脚注Go
ADC 引脚上的数字输入和输出 (AGPIO) 部分：更新部分。Go
绝对最大额定值 表：从“输入钳位电流 - 所有输入总计”中删除了对“每个引脚的连续钳位电流为 ±2mA”脚注的引用Go
电气特性 表：更新了 I_OL、R_OL 和 I_LEAK。添加了 V_IH（高电平输入电压 - GPIO23/41）更新了 V_HYSTERESIS 的最小值Go
ESD 等级 - 商用 表：添加了 5V FS（失效防护）引脚的 HBM 值Go
ESD 等级 - 汽车 表：添加了 5V FS（失效防护）引脚的 HBM 值Go
系统电流消耗 - 启用 VREG - 内部电源 表：更新了表Go
系统电流消耗 - 禁用 VREG - 外部电源 表：更新了表Go
每个禁用外设的典型电流降低 表：将“ePWM（每个）”更改为“ePWM（针对 1 个 ePWM）”Go
5V 失效防护引脚的特殊注意事项部分：新增了该部分Go
时钟系统 图：更新了图Go
内部时钟频率 表：添加了 NPUCLK 频率 f_(NPU)。Go
晶体振荡器规格 部分：删除了重复的晶体振荡器电气特性 表Go
RAM 规格 部分：删除了 RAM 参数 - F28P55xSD 表Go
ROM 规格 部分：将表标题从 ROM 参数 - F28P55xSJ、F28P55xSG 和 F28P55xSD 更改为 ROM 参数 - F28P55xSJ 和 F28P55xSG Go
GPIO 电气数据和时序 部分：更新了此部分Go
模拟子系统方框图（128/80/64/56 引脚封装） 图：将 A1/B7/D11/DACB_OUT 更改为 A1/B7/D11/CMP1_DACL Go
模拟子系统方框图（100 引脚封装） 图：将 A1/B7/D11/DACB_OUT 更改为 A1/B7/D11/CMP1_DACL Go
CMPSS 输入多路复用器选项 表：针对 HP4 和 LP4 将“A1、B7、D11、DACB_OUT”更改为“A1、B7、D11、CMP1_DACL”Go
模拟引脚和内部连接 表：将“模拟组 1”中的“A1/B7/D11/DACB_OUT”更改为“A1/B7/D11/CMP1_DACL”。将“模拟组 1”中的 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACL Go
模拟信号说明 表：将 DACB_OUT 更改为 CMP1_DACL Go
ADC 特性 表：更新了偏移量误差、SNR、THD、ENOB 和 PSRR。添加了“INTOSC 在整个温度范围内的频率容差...”脚注。Go
每个引脚的 ADC 性能 部分：新增了该部分Go
128 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表：更新了表Go
100 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表：更新了表Go
80 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表：更新了表Go
64 引脚 QFP 的每通道寄生电容 表：更新了表Go
56 引脚 QFN 的每通道寄生电容 表：更新了表Go
CMPx_DACL 缓冲输出的电气特性 表：更新了 INL 的最小值和最大值Go
PGA 特性 表：更新了表和脚注Go
概述部分：更新部分。Go
功能方框图 图：将“24x ePWM 通道（支持 16 通道高分辨率）”更改为“24x ePWM 通道（支持 12 通道高分辨率）”Go
闪存存储器映射 表：更新了表Go
外设寄存器存储器映射 表：更新了表Go
器件标识寄存器 表：删除了 TMS320F28P55xSD7 的 PARTIDH。为器件修订版本 A 添加了 REVIDGo
参考设计 部分：更新部分。Go
器件命名规则 图：更新了图Go
PDT 封装的封装编号法 – 汽车 图：更新了 G4 的定义Go
PZ 封装的封装编号法 – 汽车 图：更新了 G4 的定义Go
PZ 封装的封装编号法 – 非汽车 图：更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
PNA 封装的封装编号法 – 汽车 图：更新了 G4 的定义Go
PNA 封装的封装编号法 – 非汽车 图：更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
PM 封装的封装编号法 – 汽车 图：更新了 G4 的定义Go
PM 封装的封装编号法 – 非汽车 图：更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
RSH 封装的封装编号法 – 非汽车 图：更新了 G4 的定义更新了器件型号Go
版本标识 表：将器件修订版本 0 的 REVID 更改为 0x0000 0001添加了器件修订版本 AGo
文档支持 部分：在“应用手册”部分中添加了将软件从 8 位（字节）可寻址 CPU 迁移到 C28x CPU。Go
文档支持 部分：添加了 F2800x C2000™ 实时 MCU 系列的硬件设计指南应用手册。Go