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ZHCSJV2B June 2019 – February 2024 TMUX1136

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DGS|10
- MPDS035C
DQA|10
- MPSS004C

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

DQA|10
- QFND791

订购信息

5.7 电气特性 (V_DD = 1.8V ±10 %)

在 T_A = 25°C，V_DD = 1.8V 时（除非另有说明）

参数		测试条件	TA	最小值	典型值	最大值	单位
模拟开关
R_ON	导通电阻	V_S = 0V 至 V_DD I_SD = 10mA 请参阅节 6.1	25°C		40		Ω
			–40°C 至 +85°C			80	Ω
			–40°C 至 +125°C			80	Ω
ΔR_ON	通道间的导通电阻匹配	V_S = 0V 至 V_DD I_SD = 10mA 请参阅节 6.1	25°C		0.4		Ω
			–40°C 至 +85°C			1.5	Ω
			–40°C 至 125°C			1.5	Ω
I_S(OFF)	源极关断漏电流⁽¹⁾	V_DD = 1.98V 开关处于关断状态 V_D = 1.62V/1V V_S = 1V/1.62V 请参阅节 6.2	25°C	-0.05	±0.003	0.05	nA
			–40°C 至 +85°C	-0.1		0.1	nA
			–40°C 至 +125°C	-0.5		0.5	nA
I_D(ON) I_S(ON)	通道导通漏电流	V_DD = 1.98V 开关处于导通状态 V_D = V_S = 1.62V/1V 请参阅节 6.3	25°C	-0.1	±0.005	0.1	nA
			–40°C 至 +85°C	-0.5		0.5	nA
			–40°C 至 +125°C	-2		2	nA
逻辑输入 (SELx)
V_IH	输入逻辑高电平		–40°C 至 +125°C	1.07		5.5	V
V_IL	输入逻辑低电平		–40°C 至 +125°C	0		0.68	V
I_IH I_IL	输入漏电流		25°C		±0.005		µA
I_IH I_IL	输入漏电流		–40°C 至 +125°C			±0.05	µA
C_IN	逻辑输入电容		25°C		1		pF
C_IN	逻辑输入电容		–40°C 至 +125°C			2	pF
电源
I_DD	V_DD 电源电流	逻辑输入 = 0V 或 5.5V	25°C		0.001		µA
I_DD	V_DD 电源电流	逻辑输入 = 0V 或 5.5V	–40°C 至 +125°C			0.85	µA
动态特性
t_TRAN	通道间的转换时间	V_S = 1V R_L = 200Ω，C_L = 15pF 请参阅节 6.4	25°C		28		ns
			–40°C 至 +85°C			44	ns
			–40°C 至 +125°C			44	ns
t_{OPEN (BBM)}	先断后合时间	V_S = 1V R_L = 200Ω，C_L = 15pF 请参阅节 6.5	25°C		16		ns
			–40°C 至 +85°C	1			ns
			–40°C 至 +125°C	1			ns
Q_C	电荷注入	V_D = 1V R_S = 0Ω，C_L = 1nF 请参阅节 6.6	25°C		-3		pC
O_ISO	关断隔离	R_L = 50Ω，C_L = 5pF f = 1MHz 请参阅节 6.7	25°C		–65		dB
O_ISO	关断隔离	R_L = 50Ω，C_L = 5pF f = 10MHz 请参阅节 6.7	25°C		–45		dB
X_TALK	串扰	R_L = 50Ω，C_L = 5pF f = 1MHz 请参阅节 6.8	25°C		-100		dB
X_TALK	串扰	R_L = 50Ω，C_L = 5pF f = 10MHz 请参阅节 6.8	25°C		-80		dB
BW	带宽	R_L = 50Ω，C_L = 5pF	25°C		220		MHz
C_SOFF	源极关断电容	f = 1MHz	25°C		6		pF
C_SON C_DON	导通电容	f = 1MHz	25°C		20		pF

(1) 当 V_S 为 1.62V 时，V_D 为 1V。或者，当 V_S 为 1V，V_D 为 1.62V。

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.7 电气特性 (VDD = 1.8V ±10 %)

5.7 电气特性 (V_DD = 1.8V ±10 %)