ZHCSWN5 June 2024 TMUX1308A-Q1 , TMUX1309A-Q1
PRODUCTION DATA
TMUX1308A-Q1 和 TMUX1309A-Q1 器件具有传输门拓扑结构。NMOS 和 PMOS 晶体管之间电容的任何不匹配都会导致在栅极信号的下降沿或上升沿期间向漏极或源极注入电荷。注入器件源极或漏极的电荷量称为电荷注入,用符号 QC 表示。图 7-7 展示了用于测量从源极 (Sx) 到漏极 (D) 的电荷注入的设置。