ZHCSM94D October 2020 – July 2024 TMUX6211 , TMUX6212 , TMUX6213
PRODUCTION DATA
TMUX621x 器件具有传输门拓扑结构,如图 8-1 所示。与 NMOS 和 PMOS 相关的杂散电容中的任何不匹配都会在开关断开或闭合时导致输出电平发生变化。
TMUX621x 包含可减少漏极 (Dx) 电荷注入的专用架构。为了进一步减少敏感应用中的电荷注入,可以在源极 (Sx) 上添加补偿电容器 (Cp)。这将确保开关转换产生的多余电荷被推入源极 (Sx) 而非漏极 (Dx) 上的补偿电容器。通常,Cp 应比漏极 (Dx) 等效负载电容大 20 倍。图 8-2 展示了源极侧不同补偿电容器的电荷注入变化。该图是在 TMUX62xx 系列中的 TMUX6219 上捕获的,负载电容为 100pF。