图 8-1 显示了 TMUX7212M 器件的传输门拓扑结构。与 NMOS 和 PMOS 相关的杂散电容中的任何不匹配都会在开关断开或闭合时导致输出电平发生变化。

图 8-1 传输门拓扑

TMUX7212M 包含可减少漏极 (Dx) 电荷注入的专用架构。为了进一步减少敏感应用中的电荷注入，可以在源极 (Sx) 上添加补偿电容器 (Cp)。这将确保开关转换产生的多余电荷被推入源极 (Sx) 而非漏极 (Dx) 上的补偿电容器。一般来说，Cp 应比漏极 (Dx) 上的等效负载电容大 20 倍。图 8-2 展示了源极侧不同补偿电容器的电荷注入变化。该图是在 TMUX72xx 系列中的 TMUX7219M 上捕获的，负载电容为 100pF。

图 8-2 电荷注入补偿