ZHCSMW8D October   2020  – July 2024 TMUX7211 , TMUX7212 , TMUX7213

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  热性能信息
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  源极或漏极持续电流
    6. 6.6  ±15 V 双电源:电气特性 
    7. 6.7  ±15 V 双电源:开关特性 
    8. 6.8  ±20 V 双电源:电气特性
    9. 6.9  ±20 V 双电源:开关特性
    10. 6.10 44 V 单电源:电气特性 
    11. 6.11 44 V 单电源:开关特性 
    12. 6.12 12 V 单电源:电气特性 
    13. 6.13 12 V 单电源:开关特性 
    14. 6.14 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 7.1  导通电阻
    2. 7.2  关断漏电流
    3. 7.3  导通漏电流
    4. 7.4  tON 和 tOFF 时间
    5. 7.5  tON (VDD) 时间
    6. 7.6  传播延迟
    7. 7.7  电荷注入
    8. 7.8  关断隔离
    9. 7.9  通道-通道串扰
    10. 7.10 带宽
    11. 7.11 THD + 噪声
    12. 7.12 电源抑制比 (PSRR)
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 双向运行
      2. 8.3.2 轨到轨运行
      3. 8.3.3 1.8V 逻辑兼容输入
      4. 8.3.4 逻辑引脚上带有集成下拉电阻器
      5. 8.3.5 失效防护逻辑
      6. 8.3.6 闩锁效应抑制
      7. 8.3.7 超低电荷注入
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 真值表
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

闩锁效应抑制

闩锁是在电源引脚和接地之间创建低阻抗路径的情况。这种情况由触发器(电流注入或过压)引起,一旦激活,即使触发器不再存在,低阻抗路径也仍然存在。该低阻抗路径可能会因电流电平过高而导致系统混乱或巨大损坏。闩锁情况通常需要下电上电来消除低阻抗路径。

TMUX721x 系列器件采用基于绝缘体硅 (SOI) 的工艺制造,在每个 CMOS 开关的 PMOS 和 NMOS 晶体管之间添加了氧化层,用于防止形成寄生结构。氧化层也称为绝缘沟道,可防止因过压或电流注入而触发闩锁事件。闩锁效应抑制使得 TMUX721x 系列开关和多路复用器能够在恶劣的环境中使用。请参阅使用闩锁效应抑制多路复用器帮助改善系统可靠性,了解有关闩锁效应抑制的更多信息。