ZHCSFI9B August 2016 – September 2023 TPD1E10B09-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
-
7 Detailed Description
- 7.1 Overview
- 7.2 Functional Block Diagram
- 7.3
Feature Description
- 7.3.1 AEC-Q101 Qualified
- 7.3.2 IEC 61000-4-2 ESD Protection
- 7.3.3 ISO 10605 ESD Protection
- 7.3.4 IEC 61000-4-5 Surge Protection
- 7.3.5 IO Capacitance
- 7.3.6 Dynamic Resistance
- 7.3.7 DC Breakdown Voltage
- 7.3.8 Ultra Low Leakage Current
- 7.3.9 Clamping Voltage
- 7.3.10 Industrial Temperature Range
- 7.3.11 Space-Saving Footprint
- 7.4 Device Functional Modes
- 8 Application and Implementation
- 9 Device and Documentation Support
- 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information
3 说明
TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 业界通用封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管可方便在节省空间的应用中进行元件放置，并且具有低 RDYN 和高 IEC 等级。TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别（4 级），可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度较低的环境下，电压可超过 20kV。
低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强大的保护。该器件还具有 10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。
该器件还具有未经过汽车认证的型号：TPD1E10B09。
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购米6体育平台手机版_好二三四附录。
(2) 封装尺寸（长 x 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
应用原理图