ZHCSO53G August 2010 – June 2021 TPD2EUSB30 , TPD2EUSB30A , TPD4EUSB30
PRODUCTION DATA
TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准(接触式)规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供 5A (8/20μs) 的峰值脉冲电流额定值。
TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。
TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
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TPD2EUSB30 | SOT (3) | 1.00mm × 0.80mm |
TPD2EUSB30A | ||
TPD4EUSB30 | USON (10) | 2.50mm x 1.00mm |