ZHCSQY0 November 2024 TPD4S480
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CC OVP 开关 | ||||||
| RON | CC OVP FET 的导通电阻 | CCx = 5.5V、TJ ≤ 85℃ | 272 | 420 | mΩ | |
| CON_CC | 等效导通电容 | 器件上电时从 CCx 或 C_CCx 到 GND 的电容。在 VC_CCx/VCCx = 0V 至 1.2V、f = 400kHz 时测量。 | 40 | 74 | 120 | pF |
| RD_DB | 无电电池下拉电阻器（仅在器件未上电时存在） | VC_CCx = 2.6V | 4.1 | 5.1 | 6.1 | kΩ |
| VTH_DB | 在电池无电期间，与 RD 串联的下拉 FET 的阈值电压 | IC_CCx = 80μA | 0.5 | 0.9 | 1.2 | V |
| VOVPCC | CC 引脚上的 OVP 阈值 | 在 C_CCx 上施加 5.5V。升高 C_CCx 上的电压，直到 FLT 引脚置为有效。对 CC FET 施加 100mA 负载，并观察到 FET 关断。 | 5.6 | 5.9 | 6.2 | V |
| VOVPCC_HYS | CC OVP 上的迟滞 | 在 C_CCx 上施加 6.5V。降低 C_CCx 上的 电压，直到 FLT 引脚 置为无效。测量 C_CCx 的 上升和下降 OVP 阈值之间的差值。 |
50 | mV | ||
| BWON | 单端导通带宽 (-3dB) | 测量从 C_CCx 到 CCx 的 -3dB 带宽。单端 测量，50Ω 系统。Vcm = 0.1V 至 1.2V。 |
125 | MHz | ||
| VSTBUS_CC | CC 引脚上的 VBUS 短路容差 | 使用 1 米 USB Type C 电缆对 C_CCx 进行热插拔，并在 CCx 上放置 30Ω 负载 |
51 | V | ||
| VSTBUS_CC_CLAMP | CC 引脚 (CCx) 上的 VBUS 短路系统侧钳位电压 | 使用 1 米 USB Type C 电缆对 C_CCx 进行热插拔。热插拔电压 C_CCx = 51V。VPWR = 3.3V。 在 CCx 上放置 30Ω 负载。 |
7 | V | ||
| SBU OVP 开关 | ||||||
| RON | SBU OVP FET 的导通电阻 | SBUx = 3.6V。–40°C ≤ TJ ≤ +85°C | 4 | 6.8 | Ω | |
| CON_SBU | 等效导通电容 | 器件上电时从 SBUx 或 C_SBUx 到 GND 的电容。在 VC_SBUx/VSBUx = 0.3V 至 4.0V 时测量。 | 6 | pF | ||
| VOVPSBU | SBU 引脚上的 OVP 阈值 | 在 C_SBUx 上施加 3.6V。升高 C_SBUx 上的电压，直至 FLT 引脚置为有效。 | 4.0 | 4.2 | 4.41 | V |
| VOVPSBU_HYS | SBU OVP 上的迟滞 | 在 C_CCx 上施加 5V。降低 C_CCx 上的 电压，直到 FLT 引脚 置为无效。测量 C_SBUx 的 上升和下降 OVP 阈值之间的差值。 |
50 | mV | ||
| BWON | 单端导通带宽 (-3dB) | 测量从 C_SBUx 到 SBUx 的 -3dB 带宽。单端测量，50Ω 系统。Vcm = 0.1V 至 3.6V。 | 600 | 760 | MHz | |
| XTALK | 串扰 | 在 f = 1MHz 时测量从 SBU1 到 C_SBU2 或从 SBU2 到 C_SBU1 的串扰。Vcm1 = 3.6V、Vcm2 = 0.3V。将开路端连接至 50Ω。 | -70 | dB | ||
| VSTBUS_SBU | SBU 引脚上的 VBUS 短路容差 | 使用 1 米 USB Type-C 电缆对 C_SBUx 进行热插拔。在 SBUx 上，将一个 100nF 电容器与一个 40Ω 电阻器串联并连接到 GND 。 |
51 | V | ||
| VSTBUS_SBU_CLAMP | SBU 引脚上的 VBUS 短路系统侧钳位电压 (SBUx) | 使用 1 米 USB Type-C 电缆对 C_SBUx 进行热插拔。热插拔电压 C_SBUx = 51V。VPWR = 3.3V。在 SBUx 上，将一个 150nF 电容器与一个 40Ω 电阻器串联并连接到 GND。 | 7 | V | ||
| EPR 适配器 | ||||||
| VBUS_DIV_SPR | VBUS_LV 至 VBUS 分压器分压比，SPR 模式 | VBUS_LV/VBUS，EPR_EN = 0，VBUS = 4.5V 至 21V，I_VBUS_LV = 0mA 至 20mA | 1 | V/V | ||
| VBUS_DIV_EPR | VBUS_LV 至 VBUS 分压器分压比，EPR 模式 | VBUS_LV/VBUS，EPR_EN = 1，VBUS = 26.6 至 50.4，I_VBUS_LV = 0mA 至 20mA | 0.42 | V/V | ||
| IVBUSLV | 来自 VBUS_LV 的电流 | 20 | mA | |||
| VFWD_VBUSLV | VBUS 至 VBUS_LV 正向压降 | I_VBUS_LV = 20mA，VBUS = 4.5V，EPR_EN = 0 | 456 | 700 | mV | |
| VFWD_VBUSLV | VBUS 至 VBUS_LV 正向压降 | I_VBUS_LV = 20mA，VBUS = 26V，EPR_EN = 1 | 823 | 940 | mV | |
| VEPR_THRESH_R | 上升 VBUS EPR 使能阈值 | 22.7 | 24 | V | ||
| VEPR_THRESH_F | 下降 VBUS EPR 使能阈值 | 22.4 | 23.4 | V | ||
| VEPR_BLK_G | EPR_BLK_G 的栅极驱动电压 | 0V ≤ VBUS ≤ 22V | 5 | 12 | V | |
| IEPR_BLK_G | 栅极驱动器拉电流 | 0V ≤ VEPR_BLKG-VVBUS ≤ 5V，0V ≤ VVBUS ≤ 22V，测量 IEPR_BLK_G | 4 | µA | ||
| VEPR_EN_V+ | EPR_EN 上升阈值 | 0.7*VPWR | V | |||
| VEPR_EN_V- | EPR_EN 下降阈值 | 0.3*VPWR | V | |||
| 电源和漏电流 | ||||||
| VPWR_UVLO | VPWR 欠压锁定 | 为 VPWR 施加 1V 电压并升高电压，直到 SBU 或 CC FET 导通。 | 2.1 | 2.3 | 2.6 | V |
| VPWR_UVLO_HYS | VPWR UVLO 迟滞 | 为 VPWR 施加 3V 电压并降低电压， 直到 SBU 或 CC FET 关断；测量 上升和下降 UVLO 之间的差异 以计算迟滞。 |
70 | 100 | 130 | mV |
| IVPWR | VPWR 电源电流 | VPWR = 3.3V（典型值），VPWR = 4.5V （最大值）。–40°C ≤ TJ ≤ +85°C。 |
112 | 160 | µA | |
| IC_CC_LEAK | 器件上电时 C_CCx 引脚的漏电流 | VPWR = 3.3V，VC_CCx = 3.6V，CCx 引脚悬空，测量流入 C_CCx 引脚的漏电流。 | 5 | µA | ||
| IC_SBU_LEAK | 器件上电时 C_SBUx 引脚的漏电流 | VPWR = 3.3V，VC_SBUx = 3.6V，SBUx 引脚悬空，测量流入 C_SBUx 引脚的漏电流。如果 SBUx 侧被偏置且 C_SBUx 保持悬空，结果应相同。-40°C ≤ TJ ≤ +85°C | 3.2 | µA | ||
| IC_CC_LEAK_OVP | 器件处于 OVP 时 C_CCx 引脚的漏电流 | VPWR = 0V 或 3.3V，VC_CCx = 51V，CCx 引脚设置为 0V，测量流入 C_CCx 引脚的漏电流。 | 1200 | µA | ||
| IC_SBU_LEAK_OVP | 器件处于 OVP 状态时 C_SBUx 引脚的漏电流 | VPWR = 0V 或 3.3V，VC_SBUx = 51V，SBUx 引脚设置为 0V，测量流入 C_SBUx 引脚的漏电流。 | 720 | µA | ||
| ICC_LEAK_OVP | 器件处于 OVP 状态时 CC 引脚的漏电流 | VPWR = 0V 或 3.3V，VC_CCx = 51V，CCx 引脚设置为 0V，测量流出 CCx 引脚的漏电流。 | 30 | µA | ||
| ISBU_LEAK_OVP | 器件处于 OVP 状态时 SBU 引脚的漏电流 | VPWR = 0V，VC_SBUx = 51V，SBUx 引脚设置为 0V，测量流入 SBUx 引脚的漏电流。 | -1 | 1 | µA | |
| /FLT 引脚 | ||||||
| VOL | 低电平输出电压 | IOL = 3mA。在 FLT 引脚处测量电压。 | 0.4 | V | ||
| 过热保护 | ||||||
| TSD_RISING | 上升过热保护关断阈值 | 150 | 175 | °C | ||
| TSD_FALLING | 下降过热保护关断阈值 | 130 | 140 | °C | ||
| TSD_HYST | 过热保护关断阈值迟滞 | 35 | °C | |||