ZHCSIA6 May 2018 TPL7407LA-Q1
PRODUCTION DATA.
TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范围(1.8V 至 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。
相比双极达林顿晶体管实施,TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL,功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流低于 250mA。
器件号 | 封装(引脚) | 封装尺寸(标称值) |
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TPL7407LA-Q1 | TSSOP (16) | 5.00mm × 4.40mm |