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ZHCSX21 September 2024 TPLD801

ADVANCE INFORMATION

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DRL|8
- MPCS002E

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsx21_oa

5.5 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数			测试条件	V_CC	最小值	典型值	最大值	单位
电源和上电复位
V_PORR	上电复位电压，V_CC 上升		V_I = V_CC 或 GND，I_O = 0	1.65V 至 5.5V	1.04	1.30	1.50	V
V_PORF	上电复位电压，V_CC 下降		V_I = V_CC 或 GND，I_O = 0	1.65V 至 5.5V	0.98	1.17	1.33	V
t_SU	启动时间		从 V_CC 上升至超过 V_PORR	1.65V 至 5.5V		270		µs
V_PP	编程电压			1.65V 至 5.5V	7.5	8	8.5	V
数字 IO
V_T+	正向输入阈值电压	具有施密特触发的逻辑输入		1.8V ± 0.15V	0.92		1.29	V
				3.3V ± 0.3V	1.55		2.17
				5V ± 0.5V	2.21		3.19
V_T-	负向输入阈值电压	具有施密特触发的逻辑输入		1.8V ± 0.15V	0.56		0.96	V
				3.3V ± 0.3V	1.10		1.79
				5V ± 0.5V	1.63		2.70
V_HYS	施密特触发迟滞 (V_T+ − V_T−)	具有施密特触发的逻辑输入		1.8V ± 0.15V	0.23		0.49	V
				3.3V ± 0.3V	0.33		0.54
				5V ± 0.5V	0.42		0.66
V_OH	高电平输出电压	推挽 1X 或开漏 PMOS 1X	I_OH = -100µA	1.8V ± 0.15V	1.626			V
V_OH	高电平输出电压	推挽 2X 或开漏 PMOS 2X	I_OH = -100µA	1.8V ± 0.15V	1.636			V
V_OH	高电平输出电压	推挽 1X 或开漏 PMOS 1X	I_OH = -3mA	3.3V ± 0.3V	2.710			V
V_OH	高电平输出电压	推挽 2X 或开漏 PMOS 2X	I_OH = -3mA	3.3V ± 0.3V	2.820			V
V_OH	高电平输出电压	推挽 1X 或开漏 PMOS 1X	I_OH = -5mA	5V ± 0.5V	4.120			V
V_OH	高电平输出电压	推挽 2X 或开漏 PMOS 2X	I_OH = -5mA	5V ± 0.5V	4.240			V
V_OL	低电平输出电压	推挽 1X	I_OL = 100µA	1.8V ± 0.15V			0.009	V
		推挽 2X					0.005
		开漏 NMOS 1X					0.009
		开漏 NMOS 2X					0.005
V_OL	低电平输出电压	推挽 1X	I_OL = 3mA	3.3V ± 0.3V			0.118	V
		推挽 2X					0.076
		开漏 NMOS 1X					0.118
		开漏 NMOS 2X					0.076
V_OL	低电平输出电压	推挽 1X	I_OL = 5mA	5V ± 0.5V			0.139	V
		推挽 2X					0.096
		开漏 NMOS 1X					0.139
		开漏 NMOS 2X					0.096
I_I	输入漏电流	所有引脚	V_I = V_CC	1.65V 至 5.5V			±1	µA
I_I	输入漏电流	所有引脚	V_I = GND	1.65V 至 5.5V			±1	µA
R_pu(int)	内部上拉电阻					1		MΩ
						100		kΩ
						10		kΩ
R_pd(int)	内部下拉电阻					1		MΩ
						100		kΩ
						10		kΩ
R_{pd(int)_GPI}	内部下拉电阻 - GPI/IN0					1		MΩ
						100		kΩ
						15		kΩ