ZHCSPB6D
July 2022 – April 2024
TPS1211-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
Device Comparison Table
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Charge Pump and Gate Driver Output (VS, PU, PD, BST, SRC)
8.3.2
Capacitive Load Driving
8.3.2.1
FET Gate Slew Rate Control
8.3.2.2
Using Precharge FET - (with TPS12111-Q1 Only)
8.3.3
Overcurrent and Short-Circuit Protection
8.3.3.1
Overcurrent Protection with Auto-Retry
8.3.3.2
Overcurrent Protection with Latch-Off
8.3.3.3
Short-Circuit Protection
8.3.4
Analog Current Monitor Output (IMON)
8.3.5
Overvoltage (OV) and Undervoltage Protection (UVLO)
8.3.6
Remote Temperature Sensing and Protection (DIODE)
8.3.7
Output Reverse Polarity Protection
8.3.8
TPS1211x-Q1 as a Simple Gate Driver
8.4
Device Functional Modes
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical Application: Driving Zonal Controller Loads on 12-V Line in Power Distribution Unit
9.2.1
Design Requirements
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.3
Application Curves
9.3
Typical Application: Reverse Polarity Protection with TPS12110-Q1
9.3.1
Design Requirements
9.3.2
External Component Selection
9.3.3
Application Curves
9.4
Power Supply Recommendations
9.5
Layout
9.5.1
Layout Guidelines
9.5.2
Layout Example
10
Device and Documentation Support
10.1
接收文档更新通知
10.2
支持资源
10.3
Trademarks
10.4
静电放电警告
10.5
术语表
11
Revision History
12
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
DGX|19
MPSS147
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcspb6d_oa
zhcspb6d_pm
1
特性
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
器件温度等级 1:
–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
功能安全型
可提供用于功能安全系统设计的文档
3.5V 至 40V 输入范围(绝对最大值为 45V)
输出反极性保护低至 –30V
具有 100µA 容量的集成 12V 电荷泵
0.9µA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
强大的上拉 (3.7A) 和下拉 (4A) 栅极驱动器
驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
具有集成预充电开关驱动器 (TPS12111-Q1) 以驱动容性负载的型号
具有可调节响应时间 (TMR) 和故障标志输出 (
FLT_I
) 的两级可调过流保护(IWRN、ISCP)
快速短路保护:1.2µs(TPS12111-Q1、TPS12112-Q1)、4µs (TPS12110-Q1)
精确的模拟电流监测输出 (IMON):30mV 时为 ±2% (V
SNS
)
精确的可调节欠压锁定 (UVLO) 和过压保护 (OV):< ±2%
具有故障标志输出 (
FLT_T
) 的远程过热检测 (DIODE)
与
TPS4811-Q1
引脚对引脚兼容
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