C_TMR 对短路保护延迟 (t_SC) 和自动重试时间 (t_RETRY) 进行编程。一旦 CS+ 和 CS– 上的电压超过设定点，C_TMR 便会以 80μA 的上拉电流开始充电。

C_TMR 充电至 V_{(TMR_SC)} 后，G1PD 将拉低至 SRC，FLT 将置为低电平，从而提供 FET 即将关断的警告。发布此事件后，自动重试行为将开始。C_TMR 电容器开始放电，下拉电流为 2.5uA。电压达到 V_{(TMR_LOW)} 电平后，电容器开始充电，上拉电流为 2.2uA。在 C_TMR 的 32 个充放电周期之后，FET 重新开通且 FLT 置为无效。

在第一次中，器件重试时间 (t_RETRY) 基于 C_TMR（根据方程式 10 计算得出），对于后续的自动重试事件，此重试时间 (t_RETRY) < 10μs。

使用方程式 9 可计算要在 TMR 和 GND 上连接的 C_TMR 电容器容值。

其中，

I_TMR 是 80μA 的内部上拉电流。

t_SC 是所需的短路响应时间。

在未连接 C_TMR 电容器的情况下，最快的 t_SC < 10μs。

如果短路脉冲持续时间低于 t_SC，则 FET 保持开通，C_TMR 通过内部下拉开关放电。

图 7-9 带自动重试的短路保护