ZHCSQQ3 March   2024 TPS1213-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
  7. 参数测量信息
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电荷泵和栅极驱动器输出(VS、G1PU、G1PD、BST、SRC)
      2. 7.3.2 容性负载驱动
        1. 7.3.2.1 使用低功耗旁路 FET(G2 驱动器)为负载电容器充电
        2. 7.3.2.2 使用主 FET(G1 驱动器)栅极压摆率控制
      3. 7.3.3 短路保护
        1. 7.3.3.1 带自动重试的短路保护
        2. 7.3.3.2 带闭锁的短路保护
      4. 7.3.4 器件功能模式
        1. 7.3.4.1 状态图
        2. 7.3.4.2 状态转换时序图
        3. 7.3.4.3 断电
        4. 7.3.4.4 关断模式
        5. 7.3.4.5 低功耗模式
        6. 7.3.4.6 工作模式
      5. 7.3.5 欠压保护 (UVLO)
      6. 7.3.6 反极性保护
      7. 7.3.7 短路保护诊断 (SCP_TEST)
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 应用限制
        1. 8.1.1.1 短路保护延迟
        2. 8.1.1.2 短路保护和负载唤醒阈值
    2. 8.2 典型应用 1:使用自动负载唤醒功能来驱动全时供电 (PAAT) 负载
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 典型应用 2:使用自动负载唤醒和输出大容量电容器充电功能来驱动全时供电 (PAAT) 负载
      1. 8.3.1 设计要求
      2. 8.3.2 外部元件选型
      3. 8.3.3 应用曲线
    4. 8.4 TIDA-020065:使用自动负载唤醒、输出大容量电容器充电、双向电流检测和软件 I2t 驱动全时供电 (PAAT) 负载的汽车级智能保险丝参考设计
    5. 8.5 电源相关建议
    6. 8.6 布局
      1. 8.6.1 布局指南
      2. 8.6.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

短路保护

TPS12130-Q1 具有可调节的短路保护功能。阈值和响应时间可分别用 RISCP 电阻器和 CTMR 电容器来调整。该器件会检测 CS+ 和 CS– 引脚上的电压。这些引脚可连接在 FET 漏极和源极端子上以用于 FET RDSON 检测,或连接在外部电流检测电阻 (RSNS) 上,分别如图 7-7图 7-8 所示。

TPS1213-Q1 TPS12130-Q1 应用电路,其电流检测功能基于主 FET RDSON图 7-7 TPS12130-Q1 应用电路,其电流检测功能基于主 FET RDSON
TPS1213-Q1 TPS12130-Q1 应用电路,其电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS图 7-8 TPS12130-Q1 应用电路,其电流检测功能基于外部检测电阻 RSNS

使用 ISCP/LWU 和 GND 引脚上的外部 RISCP 电阻器设置硬短路检测阈值。使用方程式 8 可计算所需的 RISCP 值:

方程式 8. RISCP (Ω)= ISC×RSNS - 10 mV2 μA

请参阅节 8.1.1.2部分中的方程式 12,了解 IC 最终修订版中的公式更新。

其中,

RSNS 是电流检测电阻值或 FET RDSON 值。

ISC 是所需的短路电流电平。

无需在 TMR 和 GND 引脚上连接 CTMR 电容器,硬短路保护响应最快可小于 10μs。

器件通电且 EN/UVLO、INP 被拉至高电平时,在 Q1 开通期间,通过监控 G1PD 到 SRC 的电压可检测主 FET 的第一个 VGS。一旦 G1PD 到 SRC 的电压升至高于 V(G1_GOOD) 阈值(这样可确保外部 FET 增强),便会监控 SCP 比较器输出。如果在 CS+ 和 CS– 上检测到的电压超过短路设定点 (VSCP/LWU),则 G1PD 会拉低至 SRC,而 FLT 在 10μs 内将置为低电平(TMR 引脚开路)。后续事件可以设置为自动重试或闭锁,如后续部分所述。