在未使用低功耗旁路路径的应用中，可以使用主 FET 栅极驱动控制来完成电容充电。

为了在具有容性负载的主 FET 开通期间限制浪涌电流，请使用 R₁、R₂、C₁，如图 7-6 所示。R₁ 和 C₁ 元件会减慢主 FET 栅极的电压斜坡速率。FET 源极跟随栅极电压，从而在输出电容器上实现受控电压斜坡。

图 7-6 浪涌电流限制

使用方程式 24 可以计算 FET 开通期间的浪涌电流。

其中，

C_LOAD 是负载电容。

VBATT 是输入电压，T_charge 是充电时间。

V_(BST-SRC) 是电荷泵电压 (11V)。

使用与 C₁ 串联的阻尼电阻 R₂（大约 10Ω）。方程式 6 可用于计算目标浪涌电流所需的 C₁ 值。R₁ 的 100kΩ 电阻可以作为计算的良好起点。

将 TPS12130-Q1 的 G1PD 引脚直接连接到外部 FET 的栅极可确保快速关断，而不会影响 R₁ 和 C₁ 元件。

C₁ 会在开通期间在 C_BST 上产生额外的充电负载。使用以下公式可计算所需的 C_BST 值：

其中，

Q_g(total) 是 FET 的总栅极电荷。

ΔV_BST（典型值为 1V）是 BST 到 SRC 引脚上的纹波电压。