ZHCSQQ3 March 2024 TPS1213-Q1
ADVANCE INFORMATION
在 CTMR 上连接一个约 100kΩ 的电阻,如图 7-10 所示。使用此电阻可以在充电周期内使 CTMR 上的电压被钳位到低于 V(TMR_SC) 的电平,从而产生闭锁行为,同时将 FLT 置为低电平有效。
使用方程式 11 计算当 RTMR = 100kΩ 时 TMR 和 GND 之间要连接的 CTMR 电容。
其中,
ITMR 是 80μA 的内部上拉电流。
tSC 是所需的短路响应时间。
将 INP 或 LPM 下拉至低电平或下拉 EN/UVLO(低于 V(ENF)),或将 VS 下电上电至低于 V(VS_PORF) 以复位闭锁状态。在低沿上,计时器计数器复位且 CTMR 放电。当 INP 上拉至高电平时,G1PU 上拉至 BST。