当 EN/UVLO 被驱动为高电平 (> V_(ENR)) 并且同时 LPM 被驱动为低电平的时间超过 500µs 时，器件将从关断模式转换为低功耗模式。

当 LPM 被拉至低电平时，器件也可以从工作模式转换为低功耗模式。从工作模式进入低功耗模式时，可以按照图 7-14所述遵循 LPM 和 INP 信号时序控制注意事项。在 LPM 之前将 INP 拉至低电平会导致主 FET（G1 栅极驱动器）关断，进而会导致在旁路 FET（G2 栅极驱动器）开通之前输出电压暂时下降。在 LPM 被拉至低电平至少 10µs 后将 INP 拉至低电平，可实现从工作模式到低功耗模式的无缝转换，而不会出现任何输出电压骤降。

在此模式下会启用电荷泵和栅极驱动器。在此状态下，主 FET（G1 栅极驱动器）关断，旁路 FET（G2 栅极驱动器）开通，WAKE 引脚置为高电平有效。低功耗模式下，TPS12130-Q1 具有低的 I_Q 消耗，为 35µA（典型值）。

在以下情况下，器件会从低功耗模式转换为工作模式：

• 外部触发器：LPM 从外部被拉至高电平
• 内部触发器：负载电流超过由方程式 13 设置的负载唤醒触发器阈值 (I_LWU)

当负载电流超过负载唤醒阈值 (I_LWU) 后，器件会自动关断旁路 FET（G2 栅极驱动器）并开通主 FET（G1 栅极驱动器），并且 WAKE 会置为低电平有效以指示从低功耗模式退出。

器件等待外部 LPM 信号变为高电平以转换到工作模式。

低功耗模式下的可用保护功能包括：

• 输入 UVLO：当 EN/UVLO 上的电压降至低于 V_(UVLOF) 且 FLT 置为低电平有效时，旁路 FET（G2 栅极驱动器）关断。
• 电荷泵 UVLO：当 BST 和 SRC 之间的电压降至低于 V_{(BST_UVLOF)} 且 FLT 置为低电平有效时，旁路 FET（G2 栅极驱动器）关断。
• 短路保护：如果在低功耗模式下发生输出短路事件，器件会通过负载唤醒功能关断旁路 FET（G2 栅极驱动器）并开通主 FET（G1 栅极驱动器）以自动退出低功耗模式。在负载唤醒状态下，如果 CS+ 和 CS– 上的电压超过设置的短路阈值 (V_SCP/LWU)，则主 FET（G1 栅极驱动器）将关断且 FLT 置为低电平有效。根据配置，后续操作基于自动重试或闭锁。