当 EN/UVLO 被驱动为高电平 (> V_(ENR)) 并且同时 LPM 被驱动为低电平的时间超过 500µs 时，器件将从关断模式转换为低功耗模式。

当 LPM 被拉至低电平时，器件也可以从工作模式转换为低功耗模式。从工作模式进入低功耗模式时，可以按照 图 8-16 所述遵循 LPM 和 INP 信号时序控制注意事项。在 LPM 之前将 INP 拉至低电平会导致主 FET（GATE 驱动器）关断，进而会导致在旁路 FET（G 驱动器）导通之前输出电压暂时下降。在 LPM 被拉至低电平至少 10µs 后将 INP 拉至低电平，可从运行模式无缝转换到低功耗模式，而不会出现任何输出电压骤降。

在此模式下，会启用电荷泵和 G 栅极驱动器。在此状态下，主 FET（GATE 驱动器）关断，旁路 FET（G 驱动器）导通，且 WAKE 引脚置为高电平有效。TPS1214-Q1 在低功耗模式下会消耗低 I_Q，为 20µA（典型值）。

在以下情况下，器件会从低功耗模式转换为工作模式：

• 外部触发器：LPM 从外部被拉至高电平
• 内部触发器：负载电流超过负载唤醒触发阈值 (I_LWU)

在负载电流超过负载唤醒阈值 (I_LWU) 后，器件首先会自动导通主 FET（GATE 驱动器），旁路 FET（G 驱动器）会在主 FET（GATE 驱动器）完全导通后被关断，而 WAKE 会置为低电平有效，表示退出低功耗模式。

器件等待外部 LPM 信号变为高电平以转换到工作模式。

低功耗模式下的可用保护功能包括：

• 输入 UVLO：当 EN/UVLO 上的电压降至低于 V_(UVLOF) 时，旁路 FET（G 驱动器）会被关断。
• 电荷泵 UVLO：当 BST 和 SRC 之间的电压降至低于 V_{(BST_UVLOF)} 且 FLT 置为低电平有效时，旁路 FET（G 驱动器）会被关断。

• 旁路 FET 短路保护（短路唤醒）：该保护一直持续到旁路 FET 的 VGS（G 至 SRC）达到 V_{G_GOOD} 阈值为止。如果 CS2+ 和 CS2– 之间的电压超过设定的短路阈值 V_{(LPM_SCP)}，则器件会在 t_{LPM_SC} 时间内导通主 FET（GATE 驱动器），从而转换至负载唤醒状态。

  在负载唤醒状态下，如果负载电流仍然很高且超过设定的短路阈值 (V_SCP)，则器件会在 t_SC 时间内关断主路径（GATE 驱动器）和旁路 FET（G 驱动器）。器件会根据所选配置进入自动重试或闭锁模式，且 FLT 置为低电平有效。