由于 NMOS 开关中集成了体二极管，因此强烈建议使 C_IN 大于 C_L。如果 C_L 大于 C_IN，则在移除系统电源后，会导致 V_OUT 超过 V_IN。这会导致电流通过体二极管从 VOUT 流向 VIN。为了尽可能减少启动期间浪涌电流引起的 V_IN 下降，建议使用 10:1 的 C_IN 与 C_L 之比，但器件正常运行不需要 10:1 的电容比。由于存在浪涌电流，小于 10:1 的比率（例如 1:1）会在导通时导致 V_IN 骤降略微增加。可以通过增加 RT 电阻器上的电容来延长上升时间，从而减少这种骤降（请参阅节 8.3.6）。