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ZHCSHP2B October 2017 – November 2018 TPS2372

PRODUCTION DATA.

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

RGW|20

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcshp2b_oa

6.5 电气特性

除非另有说明，否则 40V ≤ V_VDD ≤ 57V；R_DEN = 24.9kΩ；PG、CLSA、CLSB、MPS_DUTY、AMPS_CTL、IRSHDL_EN、TPH、TPL 和 BT 断开；V_AUTCLS = V_VSS；R_REF = 49.9kΩ；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C。正电流进入引脚。典型值为 25°C 下的值。除非另有说明，否则所有电压均以 V_VSS 为基准。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
检测 (DEN)
	偏置电流	DEN 断开，V_VDD = 10.1V，测量 I_SUPPLY（VDD、RTN、DEN），不在标记中		3	4.8	14	µA
	DEN 泄漏电流	V_DEN = V_VDD = 57V			0.5	5	µA
	检测电流	测量 I_SUPPLY（VDD、RTN、DEN），V_VDD = 1.4V		53.8	56.5	58.3	µA
	检测电流	测量 I_SUPPLY（VDD、RTN、DEN），V_VDD = 10.1V，不在标记中		395	410	417	µA
V_{PD_DIS}	禁用阈值	DEN 下降		3	3.7	5	V
V_{PD_DIS}	迟滞			75	150	250	mV
分类 (CLS)
I_CLS	分类 A、B 特征电流	13V ≤ V_VDD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN
		R_CLSA 或 R_CLSB = 1210Ω		2.1	2.5	2.9	mA
		R_CLSA 或 R_CLSB = 249Ω		9.9	10.6	11.2
		R_CLSA 或 R_CLSB = 140Ω		17.6	18.6	19.4
		R_CLSA 或 R_CLSB = 90.9Ω		26.5	27.9	29.3
		R_CLSA 或 R_CLSB = 63.4Ω		38	39.9	42
I_AUTCLS	Autoclass 特征电流	在第 1 类事件期间经过 t_ACS 后		1		4	mA
V_{CL_ON}	类下限阈值	V_VDD 上升，I_CLS ↑		11.9	12.5	13	V
V_{CL_H}	类下限阈值	迟滞		1.4	1.6	1.7	V
V_{CU_ON}	类上限阈值	V_VDD 上升，I_CLS ↓		21	22	23	V
V_{CU_H}	类上限阈值	迟滞		0.5	0.78	0.9	V
V_MSR	标记复位阈值	V_VDD 下降		3	3.9	5	V
	标记状态电阻	在 5V 和 10.1V 进行 2 点测量		6	10	12	kΩ
	泄漏电流	V_VDD = 57V，V_CLS = 0V，测量 I_CLS				1	µA
t_{LCF_PD}	第一类事件时间较长	新 MPS 的第 1 类事件持续时间		76	81.5	86	ms
t_ACS	Autoclass 特征时间	第 1 类事件期间的 AUTCLS		76	81.5	87	ms
	AUTCLS 上拉电流	13V ≤ V_VDD ≤ 21V		30	34	38	μA
导通器件 (RTN)
r_DS(on)	导通电阻		TPS2372-3		0.3	0.55	Ω
r_DS(on)	导通电阻		TPS2372-4		0.1	0.2	Ω
	输入偏置电流	V_VDD = V_RTN = 30V，测量 I_RTN				50	µA
	RTN 泄漏电流	V_VDD = V_RTN = 100V，V_DEN = V_VSS，测量 I_RTN				80	µA
	电流限制	V_RTN = 1.5V	TPS2372-3	1.55	1.85	2.2	A
	电流限制	V_RTN = 1.5V	TPS2372-4	1.9	2.2	2.5	A
	瞬态输入浪涌电流限制	V_RTN = 2V， V_VDD：20V → 48V	TPS2372-3	165	200	237	mA
	瞬态输入浪涌电流限制	V_RTN = 2V， V_VDD：20V → 48V	TPS2372-4	275	335	395	mA
	浪涌终止	浪涌电流百分比		65%	90%	99%
t_{INR_DEL}	浪涌终止	浪涌延迟		78	81.5	87	ms
	折返阈值	V_RTN 上升		12.5	14.5	15.5	V
	折返抗尖峰脉冲时间	V_RTN 上升到电流限值变为浪涌电流限值时		1.35	1.65	1.95	ms
电源正常 (PG)
	输出低电压	测量 V_PG – V_RTN，I_PG = 2mA，V_RTN = 2V，V_DD：20V → 48V			0.27	0.5	V
	泄漏电流	V_PG = 57V，V_RTN = 0V				10	μA
	泄漏电流	V_PG = 10V，V_RTN = 0V				1	μA
PSE 类型指示（TPL、TPH、BT）
V_TPL	输出低电压	I_TPL = 2mA，在进行包含 2 个、3 个或 5 个事件的分类后，启动已完成， V_RTN = 0V			0.27	0.5	V
V_TPH	输出低电压	I_TPH = 2mA，在进行包含 4 个或 5 个事件的分类后，启动已完成，V_RTN = 0V			0.27	0.5
V_BT	输出低电压	I_BT = 2mA，在 IEEE802.3bt 分类后，启动已完成，V_RTN = 0V			0.27	0.5
	泄漏电流	V_TPL 或 V_TPH 或 V_BT = 7V，V_RTN = 0V				1	µA
t_TPLHBT	TPL、TPH、BT 延迟	从启动期间的 PG：低电平 → 断开到 TPH 和/或 TPL 和/或 BT 有效		20	24	28	ms
UVLO
V_{UVLO_R}	UVLO 上升阈值	V_VDD 上升		36.3	38.1	40	V
V_{UVLO_F}	UVLO 下降阈值	V_VDD 下降		30.5	32	33.6	V
V_{UVLO_H}	UVLO 迟滞				6.1		V
偏置电流
	工作电流	40V ≤ V_VDD ≤ 57V，启动已完成			550	800	µA
MPS
	MPS 直流电源电流	启动已完成，I_RTN = 0mA				0.8	mA
	AMPS_CTL 脉冲电压	启动已完成，I_RTN < 20mA， R_MPS = 1KΩ 至 12kΩ		23.1	24	24.9	V
	自动 MPS 下降电流阈值	启动已完成，I_RTN 阈值用于产生 AMPS_CTL 脉冲		18	28	38	mA
	自动 MPS 下降电流阈值	RTN 迟滞电流			1		mA
	适用于 1-2 型 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比	MPS 脉冲电流占空比		25.8%	26.1%	26.4%
		MPS 脉冲电流开启时间		76	81.5	87	ms
		MPS 脉冲电流关闭时间			230	250	ms
	适用于 3-4 型 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比	MPS 脉冲电流占空比， R_{MPS_DUTY} > 230kΩ		5.2%	5.43%	5.6%
		MPS 脉冲电流开启时间， R_{MPS_DUTY} > 230kΩ		14.5	15.0	15.7	ms
		MPS 脉冲电流占空比， R_{MPS_DUTY} < 8kΩ		12.3%	12.5%	12.7%
		MPS 脉冲电流开启时间， R_{MPS_DUTY} < 8kΩ		36	37.5	39	ms
		MPS 脉冲电流占空比， 43kΩ < R_{MPS_DUTY} < 77kΩ		7.9%	8.1%	8.3%
		MPS 脉冲电流开启时间， 43kΩ < R_{MPS_DUTY} < 77kΩ		22.2	23.1	24	ms
		MPS 脉冲电流关闭时间，R_{MPS_DUTY} 从 0Ω 到开路		250	263.5	277	ms
	MPS_DUTY 上拉电流			14	17	20	µA
热关断
	关断	T_J↑		140	158		°C
	迟滞 ⁽¹⁾				20		°C

(1) 提供的参数仅供参考，不构成 TI 发布的规格的一部分用于 TI 米6体育平台手机版_好二三四保修。