7.3.4 内部导通 MOSFET 和浪涌延迟启用，IRSHDL_EN

RTN 引脚为负载提供负电源回路。一旦 V_VDD 超过 UVLO 阈值，内部导通 MOSFET 便会将 RTN 拉至 VSS。浪涌限制功能可防止 RTN 电流超过 TPS2372-3 和 TPS2372-4 分别大约 200mA 和 335mA 的标称值，直到大容量电容（C_BULK，请参阅Figure 22）充满电为止。必须满足两个条件才能到达浪涌阶段末端。第一个条件是 RTN 电流下降到标称浪涌电流的约 90% 以下，此时电流限值对于 TPS2372-3 而言变为 1.85A，而对于 TPS2372-4 而言变为 2.2A，而第二个条件（如果 IRSHDL_EN 断开）则是确保最短浪涌延迟时间为从浪涌阶段开始算起约 81.5ms (t_{INR_DEL})。PG 输出变为高阻抗将向下游负载指示大容量电容已充满电并且浪涌周期已完成。将 IRSHDL_EN 输入端连接到 RTN 引脚将禁用浪涌延迟，此情况下只有第一个条件适用于浪涌阶段末端。

如果 RTN 大于约 14.5V 的时间超过约 1.65ms，则 TPS2372 返回到涌流阶段；请注意，在这种特殊情况下，上述关于浪涌阶段持续时间 (81.5ms) 的第二个条件不适用。