8.2.2.1 输入电桥和肖特基二极管

对于 PoE 输入电桥，使用肖特基二极管代替 PN 结二极管将使这些器件的功耗降低约 30%。但是，使用它们时有一些注意事项。IEEE 标准规定了最大反馈电压为 2.8V；在未供电的线对之间放置一个 100kΩ 的电阻，然后在该电阻两端测出电压。肖特基二极管通常比 PN 二极管具有更高的反向泄漏电流，使得这一要求更难以满足。为了补偿这一问题，应在二极管工作温度方面使用保守的设计，尽可能选择漏电较低的器件，并用经过封装的电桥使漏电与温度匹配。

肖特基二极管泄漏电流和较低的动态电阻会影响检测特征。对获得精确检测特征的温度范围设定合理的期望值是最简单的解决方案。稍微增大 R_DET 也可能有助于满足该要求。

经验证，肖特基二极管应对 ESD 瞬态的能力弱于 PN 结二极管。暴露于 ESD 后，肖特基二极管可能会短路或泄漏。请注意根据暴露水平提供适当的保护。这种保护方法可能简单到只需使用铁氧体磁珠和电容器。

一般情况下建议对输入整流器使用具有 3A 至 5A、100V 额定值的分立式或桥式二极管。

许多高功率 PoE PD 设计会要求在高效率 应用中使用有源 FET 桥式整流器。如需查看有源 FET 桥式整流器设计的示例，请参阅 TPS2373-4EVM-758 用户指南。