10.3 EMI 遏制

• 对 dv/dt 和 di/dt 电路路径应使用紧凑型回路（功率回路和栅极驱动器）。
• 对于连接到开关节点的组件，应使用最小但符合散热需求的覆铜区域进行散热（尽量减少暴露的辐射表面）。
• 采用铜接地平面（可以拼接）和顶层灌铜（用接地灌铜方式环绕电路）。
• 如果经济上可行，请使用 4 层 PCB（为了更好接地）。
• 最大限度减小与输入迹线相关的铜区域面积（为了使辐射接收量最小化）。
• 使用 Bob Smith 端接、Bob Smith EFT 电容器和 Bob Smith 平面。
• 使用 Bob Smith 平面作为 PCB 输入侧的接地屏蔽层（形成虚拟接地或真实大地接地）。
• 在输入端使用铁氧体磁珠（允许使用磁珠或 0Ω 电阻）。
• 保持输入相关电路与电源电路之间的物理隔离（使用铁氧体磁珠作为边界线）。
• 可使用共模电感器。
• 可使用集成的 RJ-45 插孔（使用内部变压器和 Bob Smith 端接技术进行了屏蔽）。
• 最终米6体育平台手机版_好二三四外壳注意事项（屏蔽）。