RTN 引脚为负载提供负电源回路。它在内部连接到 PoE 热插拔 MOSFET 的漏极和直流/直流控制器回路。必须将 RTN 视为直流/直流控制器和转换器初级侧的本地参考平面（接地层），以保持信号完整性。

一旦 V_VDD 超过 UVLO 阈值，内部导通 MOSFET 便会将 RTN 拉至 VSS。浪涌限制功能可防止 RTN 电流超过大约 140mA 的标称值，直到大容量电容（C_BULK，请参阅图 9-1）充满电为止。必须满足两个条件才能到达浪涌阶段末。第一个条件是当 RTN 电流降至低于标称浪涌电流的大约 90% 时，电流限值更改为 1.85A，而第二个条件是确保最短浪涌延迟周期为从浪涌阶段开始算起 80ms (t_{INR_DEL})。满足两个浪涌条件（即大容量电容已充满电并且浪涌周期已完成）之后，将允许直流/直流转换器开关。

如果 V_RTN - V_VSS 大于约 14.8V 的时间超过约 1.8ms，则 PD 恢复到浪涌限制；请注意，在这种特殊情况下，上述关于浪涌阶段持续时间 (80ms) 的第二个条件不适用。