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ZHCSM53 October 2020 TPS23731

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RMT|45
- MPQF583

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.6 电气特性 PoE

除非另有说明，否则 V_VDD = 48V；R_DEN = 25.5kΩ；R_FRS = 60.4kΩ；R_{I_STP} = 499kΩ；CLS、T2P、APDO 和 PSRS 打开；CS、EA_DIS、APD、EMPS、AGND 和 GND 连接到 RTN；FB、LINEUV 和 DTHR 连接到 VB；C_VB = C_VBG = 0.1μF；C_VCC = 1μF；C_SST = 0.047μF；R_REF = 49.9kΩ；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C。除非另有说明，否则正电流进入引脚。典型值为 25°C 下的值。
V_VCC-RTN = 0V，除非另有说明，否则所有电压指的是 V_VSS。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
PD 检测 (DEN)
	检测偏置电流	DEN 打开，V_VDD = 10V，不在标记中，测量 I_VDD + I_RTN		3.5	6.9	13.9	µA
I_lkg	DEN 泄漏电流	V_DEN = V_VDD = 60V，浮动 RTN，测量 I_DEN			0.1	5	µA
	检测电流	测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN，V_VDD = 1.4V		53.5	56.5	58.6	μA
	检测电流	测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN，V_VDD = 10V，不在标记中		391	398	406.2	μA
V_{PD_DIS}	热插拔禁用阈值	DEN 下降		3	4	5	V
PD 分级 (CLS)
I_CLS	分级特征电流	R_CLS = 806Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	1.9	2.5	2.9	mA
		R_CLS = 130Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	9.9	10.6	11.3	mA
		R_CLS = 69.8Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	17.6	18.6	19.4	mA
		R_CLS = 46.4Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	26.5	27.9	29.3	mA
		R_CLS = 32Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	37.8	39.9	42	mA
I_CLS	分级特征电流，3 级事件	R_CLS = 32Ω	13V ≤ V_DD ≤ 21V，测量 I_VDD + I_DEN + I_RTN	37.8	39.9	42	mA
V_{CL_ON}	分级调节器下限阈值上升	V_VDD 上升，I_CLS ↑		11.4	12.2	13	V
V_{CL_H}	分级调节器下限阈值	迟滞⁽¹⁾		0.8	1.2	1.6	V
V_{CU_OFF}	分级调节器上限阈值	V_VDD 上升，I_CLS ↓		21	22	23	V
V_{CU_H}	分级调节器上限阈值	迟滞⁽¹⁾		0.5	0.77	1	V
V_MSR	标记状态复位阈值	V_VDD 下降		3	3.9	5	V
	标记状态电阻	在 5V 和 10.1V 进行 2 点测量		6	10	12	kΩ
I_lkg	泄漏电流	V_VDD = 60V，V_CLS = 0V，V_DEN = V_VSS，测量 I_CLS				1	μA
t_{LCF_PD}	一级事件时间较长	短 MPS 的 1 级事件持续时间		76	81.5	87	ms
RTN（导通器件）
	导通电阻				0.3	0.55	Ω
I_LIM	电流限制	V_RTN = 1.5V，脉冲测量		0.75	0.925	1.1	A
I_IRSH	浪涌电流限制	V_RTN = 2V，V_VDD：20V → 48V，测量 I_RTN，脉冲测量		100	140	180	mA
	浪涌终止	浪涌电流百分比。		80%	90%	99%
t_{INR_DEL}	浪涌终止			80	84	88	ms
	折返电压阈值	V_RTN 上升		13.5	14.8	16.1	V
	折返抗尖峰脉冲时间	V_RTN 上升到电流限值变为浪涌电流限值时。这适用于正常运行情况或自动 MPS 模式。		1.5	1.8	2.1	ms
	泄漏电流	V_VDD = V_RTN = 100V，V_DEN = V_VSS				70	μA
PSE 类型指示 (T2P)
	输出低电压	I_T2P = 1mA，在 2 个或 3 个事件分级之后，启动完成之后，V_RTN = 0V			0.27	0.5	V
	泄漏电流	V_T2P-RTN = 10V，V_RTN = 0V				1	µA
PD 输入电源 (VDD)
V_{UVLO_R}	欠压闭锁阈值	V_VDD 上升		35.8	37.6	39.5	V
V_{UVLO_F}	欠压闭锁阈值	V_VDD 下降		30.5	32	33.6	V
V_{UVLO_H}	欠压闭锁阈值	迟滞⁽¹⁾		5.7	6.0	6.3	V
I_{VDD_ON}	工作电流	40V ≤ V_VDD ≤ 60V，已完成启动，V_VCC = 10V，测量 I_VDD			650	1040	µA
I_{VDD_OFF}	关断状态电流	RTN、GND 和 VCC 打开，V_VDD = 30V，测量 I_VDD				730	µA
MPS
I_MPSL	1-2 类 PSE 的 MPS 总 VSS 电流	EMPS 打开，已完成浪涌延迟，0mA ≤ I_RTN ≤ 10mA，测量 I_VSS		10	12.5	15.5	mA
I_MPSH	3-4 类 PSE 的 MPS 总 VSS 电流	EMPS 打开，已完成浪涌延迟，0mA ≤ I_RTN ≤ 16mA，测量 I_VSS		16.25	19	21.5	mA
	适用于 1-2 类 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比	MPS 脉冲电流占空比	EMPS 打开	26.2%	26.6%	26.9%
t_MPSL		MPS 脉冲电流开启时间	EMPS 打开	76	81.5	87	ms
		MPS 脉冲电流关闭时间	EMPS 打开		225	245	ms
	适用于 3-4 类 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比	MPS 脉冲电流占空比，无脉冲展宽	EMPS 打开	2.9%	3.0%	3.1%
t_MPSH		MPS 脉冲电流导通时间，无脉冲展宽	EMPS 打开	7.2	7.7	8.1	ms
		MPS 脉冲电流关闭时间	EMPS 打开	238	250	265	ms
		MPS 脉冲电流导通时间展宽限制	EMPS 打开	54	57	62	ms
热关断
	关断温度			148	158	168	°C
	迟滞⁽²⁾				15		°C

(1) 迟滞容差跟踪给定器件的上升阈值。

(2) 提供的这些参数仅供参考。