GATE 是直流/直流转换器的主开关 MOSFET 的栅极驱动输出，而 GAT2 是其第二个栅极驱动。

GATE 的相位在变为高电平时打开主开关，在变为低电平时将其关闭。禁用转换器时，它也保持低电平。

GAT2 的相位在变为高电平时关闭第二个开关，在变为低电平时将其打开。禁用转换器时，GAT2 也会保持低电平。此输出可驱动有源钳位 PMOS 器件和驱动反激式同步整流器。在高阻抗条件下将 DT 连接到 VB 也会禁用 GAT2。

DT 输入用于设定 GATE 和 GAT2 之间的延迟，防止 MOSFET 导通时间重叠，如 图 7-1 中所示。GAT2 变为高电平至 GATE 变为高电平，以及 GATE 变为低电平至 GAT2 变为低电平之间的两个 MOSFET 都应关闭。通过设置的死区时间期间可以缩短最长 GATE 导通时间。死区时间期间由 GATE 上的 1nF 电容和 GAT2 上的 0.5nF 电容指定。这些引脚上的不同负载会改变有效死区时间。从 DT 连接到 AGND 的电阻器设定 GATE 和 GAT2 之间的延迟，下图待确定。请注意，即使在 VCC UVLO 等状况下或返回到浪涌阶段，仍会维持设定好的死区时间，直至开关完全停止。