对于 PoE 输入电桥，使用肖特基二极管代替 PN 结二极管将功耗降低约 30%。当未使用 FET 桥架构时，通常将它们用于进一步提高效率。

肖特基二极管泄漏电流和不同的输入桥架构会影响检测特征。对获得精确检测特征的温度范围设定合理的期望值是更简单的解决方案。稍微调整 R_DEN 也可能有助于满足该要求。

一般情况下建议对输入整流器使用 2A、100V 额定值的分立式或桥式肖特基二极管。

TPS23734-EVM-094 允许选择分立式肖特基桥或 FET 二极管桥，使整体系统效率提高 1-2%。