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ZHCSLX0A June 2020 – September 2020 TPS23734

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RMT|45
- MPQF583

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcslx0a_oa

7.5 电气特性：直流/直流控制器部分

除非另有说明，否则 V_VDD = 48V；R_DEN = 25.5kΩ；R_FRS = 60.4kΩ；R_{I_STP} = 499kΩ；CLS、T2P、APDO 和 PSRS 打开；CS、EA_DIS、APD、EMPS、AGND 和 GND 连接到 RTN；FB、LINEUV、DT 和 DTHR 连接到 VB；C_VB = C_VBG = 0.1μF；C_VCC = 1μF；C_SST = 0.047μF；R_REF = 49.9kΩ；8.5V ≤ V_VCC ≤ 16V；–40°C ≤ T_J ≤ 125°C。除非另有说明，否则正电流进入引脚。典型值为 25°C。
[V_VSS = V_RTN]，除非另有说明，否则所有电压指的是 V_RTN、V_AGND 和 V_GND。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
直流/直流电源 (VCC)
V_{CUVLO_R}	欠压锁定	V_VCC 上升		8	8.25	8.5	V
V_{CUVLO_F}		V_VCC 下降，V_FB = V_RTN		5.85	6.1	6.35	V
V_{CUVLO_H}		迟滞⁽¹⁾		2	2.15	2.3	V
I_RUN	工作电流	V_VCC = 10V，V_FB = V_RTN，R_DT = 24.9kΩ，带 2kΩ 负载的 CP 上拉至 30V		1.4	2	2.4	mA
I_{VC_ST}	启动源电流	V_APD = 2.5V
		V_VDD ≥ 28V，V_VCC = 11.7V		21.5	30	34	mA
		V_VDD = 10.2V，V_VCC = 8.6V		1	6	17.5
		V_VDD = 10.2V，V_VCC = 6.8V		8	16	32
t_ST	启动时间，C_VCC = 1μF	V_VDD = 10.2V，V_VCC(0) = 0V，测量时间直至 V_{CUVLO_R}		0.25	0.7	1.15	ms
t_ST	启动时间，C_VCC = 1μF	V_VDD = 35V，V_VCC(0) = 0V，测量时间直至 V_{CUVLO_R}		0.24	0.35	0.48	ms
V_{VC_ST}	VCC 启动电压	测量启动期间的 V_VCC，I_VCC = 0mA		11	12.5	14	V
V_{VC_ST}	VCC 启动电压	测量启动期间的 V_VCC，I_VCC = 21.5mA		11	12.5	14	V
V_{VC_SSTP}	VCC 软停止电压	V_LINEUV < V_LIUVF，测量软停止期间的 V_VCC，I_VCC = 0mA		11	12.5	14	V
V_{VC_SSTP}	VCC 软停止电压	V_LINEUV < V_LIUVF，测量软停止期间的 V_VCC，I_VCC = 21.5mA		11	12.5	14	V

V_B
	电压	V_FB = V_RTN，8.5V ≤ V_VCC ≤ 16V，0 ≤ I_VB ≤ 5mA		4.75	5.0	5.25	V
直流/直流定时 (FRS)
f_SW	开关频率	V_FB = V_RTN，在栅极测量		223	248	273	kHz
D_MAX	占空比	V_FB = V_RTN，R_DT = 24.9kΩ，在栅极测量		74.5%	78.5%	82.5%
V_SYNC	同步	输入阈值		2	2.2	2.4	V
频率抖动斜坡发生器 (DTHR)
I_DTRCH	充电电流（拉电流）	0.5V < V_DTHR < 1.5V			3 x I_FRS		µA
I_DTRCH	充电电流（拉电流）	0.5V < V_DTHR < 1.5V		47.2	49.6	52.1	µA
I_DTRDC	放电电流（灌电流）	0.5V < V_DTHR < 1.5V			3 x I_FRS		µA
I_DTRDC	放电电流（灌电流）	0.5V < V_DTHR < 1.5V		47.2	49.6	52.1	µA
V_DTUT	抖动上限阈值	V_DTHR 上升，直至 I_DTHR > 0		1.41	1.513	1.60	V
V_DTLT	抖动下限阈值	V_DTHR 下降，直至 I_DTHR < 0		0.43	0.487	0.54	V
VDTPP	抖动峰至峰幅度			1.005	1.026	1.046	V
误差信号放大器 (FB, COMP)
V_REFC	反馈调整电压			1.723	1.75	1.777	V
I_{FB_LK}	FB 泄漏电流（拉电流或灌电流）	V_FB = 1.75V				0.5	μA
G_BW	小信号单位带宽增益积			0.9	1.2		MHz
A_OL	开放式环路电压增益			70	80		db
V_ZDC	0% 占空比阈值	V_COMP 下降，直至栅极开关停止		1.35	1.5	1.65	V
I_COMPH	COMP 输出驱动电流	V_FB = V_RTN，V_COMP = 3V		1			mA
I_COMPL	COMP 灌电流	V_FB = V_VB，V_COMP = 1.25V		2.1	6		mA
V_COMPH	COMP 高电压	V_FB = V_RTN，从 COMP 到 RTN 负载为 15kΩ		4		VB	V
V_COMPL	COMP 低电压	V_FB = V_VB，从 COMP 到 VB 负载为 15kΩ				1.1	V
	COMP 输入电阻，禁用误差放大器	EA_DIS 保持断开		70	100	130	kΩ，
	COMP 至 CS 增益	ΔV_CS/ΔV_COMP，0V < V_CS < 0.22V		0.19	0.2	0.21	V/V
软启动，软停止（SST，I_STP）
I_SSC	充电电流	SST 充电，6.35V ≤ V_VCC ≤ 16V		7.5	10	12.5	µA
I_SSD	放电电流	SST 放电，6.35V ≤ V_VCC ≤ 16V		3	4	5	µA
V_SFST	软启动下限阈值			0.15	0.2	0.25	V
V_STUOF	启动关闭阈值	V_SST 上升，直至 VCC 启动关闭		1.99	2.1	2.21	V
V_SSOFS	软启动失调电压，闭环模式	V_FB = V_RTN，V_SST 上升，直至开关启动		0.2	0.25	0.3	V
V_SSOFS	软启动失调电压，峰值电流模式	V_COMP = V_VB，V_SST 上升，直至开关启动，EA_DIS 保持断开		0.55	0.6	0.65	V
V_SSCL	软启动钳位			2.3		2.6	V
I_{SSD_SP}	软停止模式下的 SST 放电电流	R_{I_STP} = 499kΩ，V_LINEUV < V_LIUVF		1.5	2	2.5	µA
I_{SSD_SP}	软停止模式下的 SST 放电电流	R_{I_STP} = 16.5kΩ，，V_LINEUV < V_LIUVF		52.5	60.6	67.5	µA
V_SSTPEND	软停止结束阈值	V_FB = V_RTN，V_LINEUV < V_LIUVF		0.15	0.2	0.25	V
电流感应 (CS)
V_CSMAX	最大阈值电压	V_FB = V_RTN，V_CS 上升		0.227	0.25	0.273	V
t_{OFFD_IL}	电流限制关断延迟	V_CS = 0.3V		25	41	60	ns
t_{OFFD_PW}	PWM 比较器关断延迟	V_CS = 0.15V，EA_DIS 保持断开，V_COMP = 2V		25	41	60	ns
	消隐延迟	除了 t_{OFFD_IL} 和 t_{OFFD_PW}		75	95	115	ns
V_SLOPE	内部斜坡补偿电压	V_FB = V_RTN，最大占空比时的峰值电压，称作 CS		51	66	79	mV
I_{SL_EX}	峰值斜坡补偿电流	V_FB = V_RTN，最大占空比时的 I_CS（交流分量）		14	20	26	μA
	偏置电流	CS 电流的直流分量		-3	-2	-1	μA
线路欠压，软停止 (LINEUV)
V_LIUVF	LINEUV 下降阈值电压	V_LINEUV 下降		2.86	2.918	2.976	V
V_LIUVH	LINEUV 下降阈值电压	迟滞⁽¹⁾		57	82	107	mV
	泄漏电流	V_LINEUV = 3V				1	µA
死区时间 (DT)
t_DT1	死区时间	R_DT = 24.9kΩ，GAT2 ↑ 至栅极 ↑	V_FB = V_RTN，V_PSRS = 0V，EA_DIS 保持断开，V_COMP = V_VB，C_GATE = 1nF，C_GAT2 = 0.5nF， V_VCC = 10V	40	50	62.5	ns
t_DT2		R_DT = 24.9kΩ，GATE ↓ 至 GAT2 ↓		40	50	62.5
t_DT1		R_DT = 75kΩ，GAT2 ↑ 至 GATE ↑		120	150	188
t_DT2		R_DT = 75kΩ，GATE ↓ 至 GAT2 ↓		120	150	188
GATE
	峰值拉电流	V_FB = V_RTN，V_VCC = 10V，V_GATE = 0V，脉冲测量		0.3	0.5	0.8	A
	峰值灌电流	V_FB = V_RTN，V_VCC = 10V，V_GATE = 10V，脉冲测量		0.6	0.9	1.45	A
	上升时间⁽²⁾	t_prr10-90，C_GATE = 1nF，V_VCC = 10V			30		ns
	下降时间⁽²⁾	t_pff90-10，C_GATE = 1nF，V_VCC = 10V			15		ns
GAT2
	峰值拉电流	V_FB = V_RTN，V_VCC = 10V，R_DT = 24.9kΩ，V_GAT2 = 0V，脉冲测量		0.3	0.5	0.8	A
	峰值灌电流	V_FB = V_RTN，V_VCC = 10V，R_DT = 24.9kΩ，V_GAT2 = 10V，脉冲测量		0.3	0.45	0.72	A
	上升时间⁽²⁾	t_prr10-90，C_GAT2 = 0.5nF，V_VCC = 10V			15		ns
	下降时间⁽²⁾	t_pff90-10，C_GAT2 = 0.5nF，V_VCC = 10V			15		ns
钳位 FET (CP)
R_DS(ON)CL	CP FET 导通电阻	I_CP = 100mA			1.5	3.3	Ω
钳位二极管 (CP)
V_FCP	CP 二极管正向电压	V_PSRS = 0V，I_CP = 15mA		0.45	0.6	0.85	V
	CP 泄漏电流	V_PSRS = 0V，V_CP = 45V				20	µA
辅助电源检测（APD，APDO）
V_APDEN	APD 阈值电压	V_APD 上升，		1.42	1.5	1.58	V
V_APDH	APD 阈值电压	迟滞⁽¹⁾		0.075	0.095	0.115	V
	泄漏电流	V_APD = 5V				1	µA
V_APL	APDO 输出低电压	V_APD = 5V，I_APDO = 1mA，启动完成之后			0.27	0.5	V
	泄漏电流	V_APDO = 10V				1	µA
热关断
	关断温度			145	155	165	°C
	迟滞⁽²⁾				15		°C

(1) 迟滞容差跟踪给定器件的上升阈值。

(2) 提供的这些参数仅供参考，不构成 TI 已发布的器件规格的一部分用于 TI 米6体育平台手机版_好二三四保修。