10.2.2.3 每端口的组件

• C_Pn：0.1μF，100V，X7R 陶瓷电容，位于 VPWR 和 Pn- 之间
• R_SnA/R_SnB：每个通道的电流检测电阻器是两个 0.51Ω、1% 并联电阻器的组合 (0.255Ω)。建议采用具有 0805 SMT 封装的一对 0.51Ω、1%、0.25W 电阻器。如果选择 90W 管制 (P_CUT) 阈值，则电阻对的最大功率耗散约为 212mW（每个约为 106mW）。

NOTE

对于需要更精确的系统功率监控或精密端口功率管制精度的系统，建议使用 0.1% R_SENSE 电阻器。

• Q_Pn：端口 MOSFET 可以是具有平均性能特征的小型低成本器件。BV_DSS 的最小值应为 100V。MOSFET 的 R_DS(on) 在 V_GS = 10V 时的目标大小应为 50mΩ 和 150 mΩ 之间。MOSFET 栅极电荷 (Q_G) 和输入电容 (C_ISS) 应分别小于 50nC 和 2000pF。Q_Pn 在 RDS(on) = 100mΩ 且标称管制 (I_CUT) 阈值为 640mA 时的最大功耗约为 45mW。

NOTE

在选择系统设计所需的这些组件时，除了 MOSFET R_DS(on) 和 BV_DSS 特性外，还需要考虑功率 MOSFET SOA 额定值。建议选择一个 SOA 额定值超过浪涌和操作折返特性曲线（如Figure 39 和Figure 40 所示）的 MOSFET。使用标准电流折返（ALTIRn 或 ALTFBn = 0）选项时，建议使用 CSD19538Q3A 100V N 沟道 MOSFET。

• F_Pn：端口保险丝应为慢熔型，额定电压至少为 60VDC 且高于约 2 x P_CUT(max)。为减少直流损耗，冷电阻应低于 200mΩ。FPn 的功耗在冷电阻为 180mΩ 且最大 P_CUT 条件下的功耗约为 150mW。
• D_PnA：端口 TVS 应符合预期端口浪涌环境的要求。在预期的峰值浪涌电流下，D_PnA 应具有 58V 的最小反向关断电压和小于 95V 的最大钳位电压