ZHCSIA8D March 2018 – October 2019 TPS23880
PRODUCTION DATA.
命令 = 04h,带 1 个数据字节,只读
命令 = 05h,带 1 个数据字节,读取时清除
高电平有效,每个位对应于发生的特定事件。
每个位 xxx1-4 表示一个单独的通道。
每个位置(04h 或 05h)的读取会返回相同的寄存器数据,但“读取时清除”命令会清除寄存器的所有位。当通道 n 关闭时,将清除这些位。
如果该寄存器导致 INT 引脚被激活,则此“读取时清除”将释放 INT 引脚。
任何有效位都会对中断寄存器产生影响,如中断寄存器 说明中所述。
7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
CLSC4 | CLSC3 | CLSC2 | CLSC1 | DETC4 | DETC3 | DETC2 | DETC1 |
R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 | R-0 |
CR-0 | CR-0 | CR-0 | CR-0 | CR-0 | CR-0 | CR-0 | CR-0 |
说明:R/W = 读取/写入;R = 只读;CR = 读取时清除;-n = 复位后的值 |
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7–4 | CLSC4–CLSC1 | R 或 CR | 0 | 如果通用屏蔽寄存器中的 CLCHE 位为低电平,表示至少发生了一个分级周期。相反,如果设置了 CLCHE 位,表示发生了分级变化。
1 = 至少发生了至少一个分级周期(如果 CLCHE = 0)或发生了分级变化 (CLCHE = 1) 0 = 未发生分级周期(如果 CLCHE = 0)或未发生分级变化 (CLCHE = 1) |
3–0 | DETC4–DETC1 | R 或 CR | 0 | 如果通用屏蔽寄存器中的 DECHE 位为低电平,表示至少发生了一个检测周期。相反,如果设置了 DECHE 位,表示发生了检测变化。
1 = 至少发生了至少一个检测周期(如果 DECHE = 0)或发生了检测变化 (DECHE = 1) 0 = 未发生检测周期(如果 DECHE = 0)或未发生检测变化 (DECHE = 1) |
NOTE
对于不包含待处理 PWON 命令的 4 线对模式端口,只有在两个通道的状态均为就绪后,才会设置这些位。这样做是为了防止可能发生双中断的情况,因为第二个通道在第一个通道之后完成处理。
DETCn 位仅在完成两个通道的检测和连接检查后的 5ms 内同时置位
对于 4 线对单一特征器件,只有已完成分级的配对才会设置 CLSCn 位,即使会为寄存器 0x0C-0F 中的两个通道提供请求的类也是如此。
对于仅在半自动模式下执行发现的 4 线对双特征器件,CLSCn 位将在两个通道上完成分级后的 5ms 内同时设置。在手动模式下,CLSCn 位将在每个通道上完成分级后的 5ms 内单独设置。
对于包含待处理 PWON 命令或处于自动模式的 4 线对双特征器件,由于每个通道在双特征交错开启过程中完成其发现部分,因此将独立设置 DETCn 和 CLSCn 位。