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ZHCSW37 April 2024 TPS23881B

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RTQ|56
- MPQF168D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RTQ|56
- QFND490A

订购信息

6.5 电气特性

条件为 –40°C < T_J < 125°C（除非另有说明）。V_VDD = 3.3V，V_VPWR = 54V，V_DGND = V_AGND，DGND、KSENSA、KSENSB、KSENSC 和 KSENSD 连接至 AGND，且所有输出均为空载，2xFBn = 0。正电流进入引脚。R_SENSE = 0.200Ω，连接至 KSENSA（SEN1 或 SEN2）、KSENSB（SEN3 或 SEN4）、KSENSC（SEN5 或 SEN6）或 KSENSD（SEN7 或 SEN8）。典型值为 25°C 下的值。除非另有说明，否则所有电压均以 AGND 为基准。除非另有说明，否则操作寄存器加载默认值。

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电源 VPWR
I_VPWR	VPWR 电流消耗	VVPWR = 54V		10	12.5	mA
V_{UVLOPW_F}	VPWR UVLO 下降阈值	检查内部振荡器停止运行	14.5		17.5	V
V_{UVLOPW_R}	VPWR UVLO 上升阈值		15.5		18.5	V
V_{PUV_F}	VPWR 欠压下降阈值	VPUV 阈值	25	26.5	28	V
输入电源 VDD
I_VDD	VDD 电流消耗			6	12	mA
V_{UVDD_F}	VDD UVLO 下降阈值	针对通道失效	2.1	2.25	2.4	V
V_{UVDD_R}	VDD UVLO 上升阈值		2.45	2.6	2.75	V
V_{UVDD_HYS}	迟滞 VDD UVLO			0.35		V
V_{UVW_F}	VDD UVLO 警告阈值	VDD 下降	2.6	2.8	3	V
模数转换器
T_{CONV_I}	转换时间	所有范围，每个通道	0.64	0.8	0.96	ms
T_{CONV_V}	转换时间	所有范围，每个通道	0.82	1.03	1.2	ms
T_{INT_CUR}	积分时间，电流	每个通道，通道导通电流	82	102	122	ms
T_{INT_DET}	积分时间，检测		13.1	16.6	20	ms
T_{INT_channelV}	积分时间，通道电压	通道受电	3.25	4.12	4.9	ms
T_{INT_inV}	积分时间，输入电压		3.25	4.12	4.9	ms
	输入电压转换比例因子和精度	VVPWR = 57V	15175	15565	15955	计数
		VVPWR = 57V	55.57	57	58.43	V
		VVPWR = 44V	11713	12015	12316	计数
		VVPWR = 44V	42.89	44	45.10	V
	受电通道电压转换比例因子和精度	VVPWR - VDRAINn = 57V	15175	15565	15955	计数
		VVPWR - VDRAINn = 57V	55.57	57	58.43	V
		VVPWR - VDRAINn = 44V	11713	12015	12316	计数
		VVPWR - VDRAINn = 44V	42.89	44	45.10	V
δV/V_Channel	电压读数精度		-2.5		2.5	%
	受电通道电流转换比例因子和精度	通道电流 = 770mA	8431	8604	8776	计数
		通道电流 = 770mA	754.5	770	785.4	mA
		通道电流 = 100mA	1084	1118	1152	计数
		通道电流 = 100mA	97	100	103	mA
δI/I_Channel	电流读数精度	通道电流 = 100mA	-3		3	%
δI/I_Channel	电流读数精度	通道电流 = 770mA	-2		2	%
	受电通道电流满标度输出	通道电流 = 1.5A，2xFBn = 1	14959	15671		计数
	受电通道电流满标度输出	通道电流 = 1.5A，2xFBn = 1	1.34	1.400		A
σI	电流读数可重复性	满标度读数	-7.5		7.5	mA
δR/R_Channel	电阻读数精度	15kΩ ≤ R_Channel ≤ 33kΩ，C_Channel ≤ 0.25µF	-7		7	%
I_bias	检测引脚偏置电流	通道导通或在分级期间	-2.5		0	µA
GATE 1-8
V_GOH	栅极驱动电压	V_GATEn，I_GATE = -1µA	10		12.5	V
I_GO-	上电复位、检测到 OSS 或通道关断命令时的栅极灌电流	V_GATEn = 5V	60	100	190	mA
I_{GO short-}	通道短路时的栅极灌电流	V_GATEn = 5V， V_SENn ≥ V_short（如果是 2X 模式，则为 V_short2X）	60	100	190	mA
I_GO+	栅极拉电流	V_GATEn = 0V，默认选择	39	50	63	µA
t_{D_off_OSS}	1 位 OSS 输入的栅极关断时间	从 OSS 到 VGATEn < 1V， VSENn = 0V，MbitPrty = 0	1		5	µs
t_{OSS_OFF}	3 位 OSS 输入的栅极关断时间	从起始位下降沿到 VGATEn < 1V， VSENn = 0V，MbitPrty = 1	72		104	µs
t_{P_off_CMD}	通道关断命令的栅极关断时间	从通道关断命令 (POFFn = 1) 到 V_GATEn < 1V，V_SENn = 0V			300	µs
t_{P_off_RST}	使用 /RESET 时的栅极关断时间	从 /RESET 低电平到 V_GATEn < 1V，V_SENn = 0V	1		5	µs
DRAIN 1-8
V_PGT	电源正常阈值	在 V_DRAINn 测得	1	2.13	3	V
V_SHT	短接 FET 阈值	在 V_DRAINn 测得	4	6	8	V
R_DRAIN	从 DRAINn 到 VPWR 的电阻	除检测期间或通道导通时的任何工作模式，包括器件 RESET 状态	80	100	190	kΩ
AUTOCLASS
t_{Class_ACS}	开始 Autoclass 检测	从分级开始时测量	90		100	ms
t_{AUTO_PSE1}	开始 Autoclass 功率测量	从浪涌结束时测量	1.4		1.6	s
t_{AUTO_PSE1}	开始 Autoclass 功率测量	在通道已受电时通过设置 MACx 位测得			10	ms
t_AUTO	Autoclass 功率测量持续时间		1.7	1.8	1.9	s
t_{AUTO_window}	Autoclass 功率测量滑动窗口期		0.15		0.3	s
P_AC	Autoclass 通道功率转换比例因子和精度	VPWR = 52V，VDRAINn = 0V，通道电流 = 770mA	76	80	84	计数
P_AC	Autoclass 通道功率转换比例因子和精度	VPWR = 50V，VDRAINn = 0V，通道电流 = 100mA	9	10	11
检测
I_DISC	检测电流	第 1 和第 3 检测点 VVPWR - VDRAINn = 0V	145	160	190	µA
I_DISC	检测电流	第 2 和第 4 检测点，VVPWR - VDRAINn = 0V	235	270	300	µA
ΔI_DISC	第 2 次 – 第 1 次检测电流	VVPWR - VDRAINn = 0V	98	110	118	µA
V_{det_open}	开路检测电压	通过 VVPWR - VDRAINn 测得	23.5	26	29	V
R_{REJ_LOW}	拒绝电阻低范围		0.86		15	kΩ
R_{REJ_HI}	拒绝电阻高范围		33		100	kΩ
R_ACCEPT	接受电阻范围		19	25	26.5	kΩ
R_SHORT	短接通道阈值				360	Ω
R_OPEN	开路通道阈值		400			kΩ
t_DET	检测持续时间	完成检测的时间，4Pxx = 0	275	350	425	ms
t_CC	连接检查持续时间	有效检测后完成连接检查的时间，4Pxx = 1		150	400	ms
t_{DET_BOFF}	检测发现尝试之间的退避暂停	VVPWR - VDRAINn > 2.5V	300	400	500	ms
t_{DET_BOFF}	检测发现尝试之间的退避暂停	VVPWR - VDRAINn < 2.5V	20		100	ms
t_{DET_DLY}	检测延迟	从命令或 PD 连接到通道检测完成，4Pxx = 0			590	ms
	电容测量	Cport = 10uF	8.5	10	11.5	uF
分级
V_CLASS	分级电压	VVPWR - VDRAINn，VSENn ≥ 0mV I_channel ≥ 180µA	15.5	18.5	20.5	V
I_{CLASS_Lim}	分级电流限制	VVPWR - VDRAINn = 0V	65	75	90	mA
I_{CLASS_TH}	分级阈值电流	0-1 级	5		8	mA
		1-2 级	13		16	mA
		2-3 级	21		25	mA
		3-4 级	31		35	mA
		4 级过流	45		51	mA
t_LCE	分级持续时间（1 级侦测）	从检测完成	95		105	ms
t_CLE2-5	分级持续时间（2 级至 5 级侦测）	从标记完成	6.5		12	ms
标记
V_MARK	标记电压	4mA ≥ IChannel ≥ 180µA VVPWR - VDRAINn	7		10	V
I_{MARK_Lim}	标记灌电流限制	VVPWR - VDRAINn = 0V	60	75	90	mA
t_ME	标记持续时间		6		12	ms
直流断开
V_IMIN	直流断开阈值	DCDTxx = 0	0.8	1.3	1.8	mV
V_IMIN	直流断开阈值	DCDTxx = 1	0.4	0.9	1.4	mV
t_MPDO	PD 维持功率特征压降时间限制	TMPDO = 00	320		400	ms
		TMPDO = 01	75		100	ms
		TMPDO = 10	150		200	ms
		TMPDO = 11	600		800	ms
t_MPS	PD 维持功率特征有效时间			2.5	3	ms
端口功率管制
δP_CUT/P_CUT	PCUT 容差	POL ≤ 15W	0	5	10	%
δP_CUT/P_CUT	PCUT 容差	15W < POL < 90W	0	3	6	%
δP_CUT/P_CUT	PCUT 容差	POL ≥ 90W	0	2.5	5	%
t_OVLD	PCUT 时间限制	TOVLD = 00	50		70	ms
		TOVLD = 01	25		35
		TOVLD = 10	100		140
		TOVLD = 11	200		280
端口电流浪涌
V_Inrush	浪涌电流限制，ALTIRNn = 0	VVPWR - VDRAINn = 1V	19	30	41	mV
		VVPWR - VDRAINn = 10V	19	30	41
		VVPWR - VDRAINn = 15V	33	44	55
		VVPWR - VDRAINn = 30V	80		90
		VVPWR - VDRAINn = 55V	80		90
	浪涌电流限制，ALTIRNn = 1	VVPWR - VDRAINn = 1V	19	30	41
		VVPWR - VDRAINn = 10V	36	47	58
		VVPWR - VDRAINn = 15V	53	64	75
		VVPWR - VDRAINn = 30V	80		90
		VVPWR - VDRAINn = 55V	80		90
t_START	启动时的最大电流限制持续时间	TSTART = 00	50		70	ms
		TSTART = 01	25		35
		TSTART = 10	100		140
端口电流折返
V_LIM	ILIM 1X 限制，2xFB = 0，ALTFBn = 0	VDRAINn = 1V	80		90	mV
		VDRAINn = 15V	80		90
		VDRAINn = 30V	51	58	65
		VDRAINn = 50V	23	30	37
	ILIM 1X 限制，2xFB = 0，ALTFBn = 1	VDRAINn = 1V	80		90
		VDRAINn = 25V	80		90
		VDRAINn = 40V	45	51	57
		VDRAINn = 50V	23	30	37
V_LIM2X	ILIM 2X 限制，2xFB = 1，ALTFBn = 0	VDRAINn = 1V	245	250	262	mV
		VDRAINn = 10V	164	180	196
		VDRAINn = 30V	51	58	64
		VDRAINn = 50V	23	30	37
	ILIM 2X 限制，2xFB = 1，ALTFBn = 1	VDRAINn = 1V	245	250	262
		VDRAINn = 20V	139	147	155
		VDRAINn = 40V	45	51	57
		VDRAINn = 50V	23	30	37
t_LIM	ILIM 时间限制	2xFBn = 0	55	60	65	ms
	2xFBn = 1	TLIM = 00	55	60	65
		TLIM = 01	15	16	17
		TLIM = 10	10	11	12
		TLIM = 11	6	6.5	7
短路保护
V_short	1X 模式下和浪涌期间的 I_SHORT 阈值		205		245	mV
V_short2X	2X 模式下的 I_SHORT 阈值		280		320	mV
t_{D_off_SEN}	SENn 输入的栅极关断时间	2xFBn = 0，VDRAINn = 1V 从 VSENn 脉冲到 0.425V。			0.9	µs
t_{D_off_SEN}	SENn 输入的栅极关断时间	2xFBn = 1，VDRAINn = 1V 从 VSENn 脉冲到 0.62V。			0.9	µs
电流故障恢复（退避）时间
t_ed	错误延迟时间。由于错误情况导致在断电后下一次尝试为通道供电之前的延迟	P_CUT、I_LIM 或 I_Inrush 故障半自动模式	0.8	1	1.2	s
δI_fault	发生电流故障时的 I_channel 占空比		5.5		6.7	%
热关断
	关断温度	温度上升	135	146		°C
	迟滞			7		°C
数字 I/O（SCL、SDAI、A1-A4、/RESET、OSS，除非另有说明）
V_IH	数字输入高电平		2.1			V
V_IL	数字输入低电平				0.9	V
V_{IT_HYS}	输入电压迟滞		0.17			V
V_OL	数字输出电平	SDAO 处于 9mA			0.4	V
V_OL	数字输出电平	/INT 处于 3mA			0.4	V
R_pullup	连接至 VDD 的上拉电阻器	/RESET，A1-A4，TEST0	30	50	80	kΩ
R_pulldown	连接至 DGND 的下拉电阻器	OSS，TEST1，TEST2	30	50	80	kΩ
t_{FLT_INT}	故障至 /INT 置位	在内部注册中断故障的时间，从通道关断开始		50	500	µs
T_RESETmin	/RESET 输入最小脉冲宽度				5	µs
T_{bit_OSS}	3 位 OSS 位周期	MbitPrty = 1	24	25	26	µs
t_{OSS_IDL}	3 位模式下连续关断代码传输之间的空闲时间	MbitPrty = 1	48	50		µs
t_{r_OSS}	3 位模式下 OSS 的输入上升时间	0.8V → 2.3V，MbitPrty = 1	1		300	ns
t_{f_OSS}	3 位模式下 OSS 的输入下降时间	2.3V → 0.8V，MbitPrty = 1	1		300	ns
I2C 时序要求
t_POR	器件上电复位延迟				20	ms
f_SCL	SCL 时钟频率		10		400	kHz
t_LOW	时钟的低电平周期		0.5			µs
t_HIGH	时钟的高电平周期		0.26			µs
t_fo	SDAO 输出下降时间	SDAO，2.3V → 0.8V，Cb = 10pF，10kΩ 上拉至 3.3V	10		50	ns
t_fo	SDAO 输出下降时间	SDAO，2.3V → 0.8V，Cb = 400pF，1.3kΩ 上拉至 3.3V	10		50	ns
C_I2C	SCL 电容				10	pF
C_{I2C_SDA}	SDAI、SDAO 电容				6	pF
t_SU,DATW	数据设置时间（写入操作）		50			ns
t_HD,DATW	数据保持时间（写入操作）		0			ns
t_HD,DATR	数据保持时间（读取操作）		150		400	ns
t_fSDA	SDAI 的输入下降时间	2.3V → 0.8V	20		120	ns
t_rSDA	SDAI 的输入上升时间	0.8V → 2.3V	20		120	ns
t_r	SCL 的输入上升时间	0.8V → 2.3V	20		120	ns
t_f	SCL 的输入下降时间	2.3V → 0.8V	20		120	ns
t_BUF	STOP 与 START 条件之间的总线空闲时间		0.5			µs
t_HD，STA	（重复）启动条件后的保持时间		0.26			µs
t_SU,STA	重复 START 条件设置时间		0.26			µs
t_SU，STO	STOP 条件设置时间		0.26			µs
t_DG	抑制尖峰脉冲宽度、SDAI 和 SCL		50			ns
t_{WDT_I2C}	I2C 看门狗跳闸延迟		1.1	2.2	3.3	秒