ZHCSW37 April   2024 TPS23881B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
    1. 5.1 详细引脚说明
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 参数测量信息
    1. 7.1 时序图
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
      1. 8.1.1 工作模式
        1. 8.1.1.1 自动
        2. 8.1.1.2 半自动
        3. 8.1.1.3 手动和诊断
        4. 8.1.1.4 电源关闭
      2. 8.1.2 PoE 合规性术语
      3. 8.1.3 通道 与端口 术语
      4. 8.1.4 请求的 分级与分配的 分级
      5. 8.1.5 功率分配和功率降级
      6. 8.1.6 可编程 SRAM
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 端口重映射
      2. 8.3.2 端口功率优先级
      3. 8.3.3 模数转换器 (ADC)
      4. 8.3.4 I2C 看门狗
      5. 8.3.5 电流折返保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 检测
      2. 8.4.2 连接检查
      3. 8.4.3 分级
      4. 8.4.4 直流断开
    5. 8.5 I2C 编程
      1. 8.5.1 I2C 串行接口
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 完整寄存器组
      2. 8.6.2 详细的寄存器说明
        1. 8.6.2.1  中断寄存器
        2. 8.6.2.2  中断屏蔽寄存器
        3. 8.6.2.3  电源事件寄存器
        4. 8.6.2.4  检测事件寄存器
        5. 8.6.2.5  故障事件寄存器
        6. 8.6.2.6  启动/ILIM 事件寄存器
        7. 8.6.2.7  电源和故障事件寄存器
          1. 8.6.2.7.1 检测到 SRAM 故障和“安全模式”
        8. 8.6.2.8  通道 1 发现寄存器
        9. 8.6.2.9  通道 2 发现寄存器
        10. 8.6.2.10 通道 3 发现寄存器
        11. 8.6.2.11 通道 4 发现寄存器
        12. 8.6.2.12 电源状态寄存器
        13. 8.6.2.13 引脚状态寄存器
        14. 8.6.2.14 工作模式寄存器
        15. 8.6.2.15 断开使能寄存器
        16. 8.6.2.16 检测/分级使能寄存器
        17. 8.6.2.17 功率优先级/2 线对 PCUT 禁用寄存器名称
        18. 8.6.2.18 时序配置寄存器
        19. 8.6.2.19 通用屏蔽寄存器
        20. 8.6.2.20 检测/分级重启寄存器
        21. 8.6.2.21 电源使能寄存器
        22. 8.6.2.22 复位寄存器
        23. 8.6.2.23 ID 寄存器
        24. 8.6.2.24 连接检查和 Auto Class 状态寄存器
        25. 8.6.2.25 2 线对管制通道 1 配置寄存器
        26. 8.6.2.26 2 线对管制通道 2 配置寄存器
        27. 8.6.2.27 2 线对管制通道 3 配置寄存器
        28. 8.6.2.28 2 线对管制通道 4 配置寄存器
        29. 8.6.2.29 电容(传统 PD)检测
        30. 8.6.2.30 加电故障寄存器
        31. 8.6.2.31 端口重映射寄存器
        32. 8.6.2.32 通道 1 和 2 多位优先级寄存器
        33. 8.6.2.33 通道 3 和 4 多位优先级寄存器
        34. 8.6.2.34 4 线对有线和端口功率分配寄存器
        35. 8.6.2.35 4 线对管制通道 1 和 2 配置寄存器
        36. 8.6.2.36 4 线对管制通道 3 和 4 配置寄存器
        37. 8.6.2.37 温度寄存器
        38. 8.6.2.38 4 线对故障配置寄存器
        39. 8.6.2.39 输入电压寄存器
        40. 8.6.2.40 通道 1 电流寄存器
        41. 8.6.2.41 通道 2 电流寄存器
        42. 8.6.2.42 通道 3 电流寄存器
        43. 8.6.2.43 通道 4 电流寄存器
        44. 8.6.2.44 通道 1 电压寄存器
        45. 8.6.2.45 通道 2 电压寄存器
        46. 8.6.2.46 通道 3 电压寄存器
        47. 8.6.2.47 通道 4 电压寄存器
        48. 8.6.2.48 2x 折返选择寄存器
        49. 8.6.2.49 固件版本寄存器
        50. 8.6.2.50 I2C 看门狗寄存器
        51. 8.6.2.51 器件 ID 寄存器
        52. 8.6.2.52 通道 1 检测电阻寄存器
        53. 8.6.2.53 通道 2 检测电阻寄存器
        54. 8.6.2.54 通道 3 检测电阻寄存器
        55. 8.6.2.55 通道 4 检测电阻寄存器
        56. 8.6.2.56 通道 1 检测电容寄存器
        57. 8.6.2.57 通道 2 检测电容寄存器
        58. 8.6.2.58 通道 3 检测电容寄存器
        59. 8.6.2.59 通道 4 检测电容寄存器
        60. 8.6.2.60 通道 1 分配的分级寄存器
        61. 8.6.2.61 通道 2 分配的分级寄存器
        62. 8.6.2.62 通道 3 分配的分级寄存器
        63. 8.6.2.63 通道 4 分配的分级寄存器
        64. 8.6.2.64 AUTO CLASS 控制寄存器
        65. 8.6.2.65 通道 1 AUTO CLASS 功率寄存器
        66. 8.6.2.66 通道 2 AUTO CLASS 功率寄存器
        67. 8.6.2.67 通道 3 AUTO CLASS 功率寄存器
        68. 8.6.2.68 通道 4 AUTO CLASS 功率寄存器
        69. 8.6.2.69 备用折返寄存器
        70. 8.6.2.70 SRAM 控制寄存器
          1. 8.6.2.70.1 SRAM 起始地址 (LSB) 寄存器
          2. 8.6.2.70.2 SRAM 起始地址 (MSB) 寄存器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 PoE 简介
        1. 9.1.1.1 2 线对与 4 线对功率比较以及新的 IEEE802.3bt 标准
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 未用通道上的连接
        2. 9.2.2.2 电源引脚旁路电容器
        3. 9.2.2.3 各端口的元件
        4. 9.2.2.4 系统级元件(未在原理图中显示)
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 VDD
      2. 9.3.2 VPWR
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 开尔文电流检测电阻器
      2. 9.4.2 布局示例
        1. 9.4.2.1 元件放置和布线准则
          1. 9.4.2.1.1 电源引脚旁路电容器
          2. 9.4.2.1.2 各端口的元件
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
SRAM 起始地址 (MSB) 寄存器

命令 = 63h,带 1 个字节,读取/写入

图 8-84 SRAM 起始地址 (MSB) 寄存器格式
76543210
SA_15SA_14SA_13SA_12SA_11SA_10SA_9SA_8
R/W-0R/W-0R/W-0R/W-0R/W-0R/W-0R/W-0R/W-0
说明:R/W = 读/写;R = 只读;-n = 复位后的值
表 8-68 SRAM 起始地址寄存器字段说明
字段类型复位说明
15-0SA_15 - SA_0R/W0SRAM 和奇偶校验编程起始地址位:

在这些寄存器中输入的值用于设置 SRAM 或奇偶校验编程的起始地址位置

SRAM 编程:

上电时,建议通过 I2C 使用最新版本的 SRAM 代码对 TPS23881B 的 SRAM 进行编程,以确保正常运行和符合 IEEE 标准的性能。除了下列用于 SRAM 编程的命令之外的所有 I2C 流量都应推迟到以下 SRAM 编程序列完成之后。

注:

可以从 TI mySecure 软件 网页获取最新版本的固件和 SRAM 版本说明。

SRAM 版本说明和 ROM 公告文档包含有关与每个固件版本相关的所有已知问题和更改的更多详细信息。

注:

必须在较低的 I2C 地址(通道 1-4,A0 = 0)完成 SRAM 编程控制。对较高的 I2C 器件地址(通道 5-8)配置该寄存器不会对 SRAM 进行编程

对于包含多个 TPS23881B 器件的系统,可以使用 0x7F“全局”广播 I2C 地址同时对所有器件进行编程。

注:

SRAM 编程需要从器件的初次加电(VPWR 和 VDD 高于 UVLO)后延迟至少 50ms,让器件完成其内部硬件初始化过程

注:

有关 SRAM 编程过程的更多详细说明,请参阅 TI.com 上的如何加载 TPS2388x SRAM 代码

用于 SRAM 编程的 0x60h 设置:在编程/写入 SRAM 之前,需要在寄存器 0x60h 中完成以下位序列:

76543210
PROG_SELCPU_RST-PAR_ENRAM_ENPAR_SELR/WZCLR_PTR
0 → 10 → 100001 → 00 → 1 → 0

读取 SRAM 需要相同的序列,但 R/WZ 位需要设置为“1”。

如果设备处于“安全模式”,则可以使用与上述相同的序列重新编程 SRAM。

在此序列之后通过 I2C 向 0x61h 写入内容会从寄存器 0x62h 和 63h 中设置的地址开始主动对 SRAM 程序存储器进行编程。

用于 SRAM 奇偶校验编程的 0x60h 设置:在对 SRAM 程序存储器进行编程之后,为了配置器件以便对奇偶校验存储器进行编程,需要在寄存器 0x60h 中完成以下位序列:

76543210
PROG_SELCPU_RST-PAR_ENRAM_ENPAR_SELR/WZCLR_PTR
0 → 10 → 10000 → 11 → 00 → 1 → 0

读取奇偶校验需要相同的序列,但 R/WZ 位需要设置为“1”。

在此序列之后通过 I2C 向 0x61h 写入内容会从寄存器 0x62h 和 63h 中设置的地址开始主动对奇偶校验存储器进行编程。

从 SRAM 程序存储器运行的 0x60h 设置:完成编程后,为了让器件能够正常耗尽 SRAM,需要在寄存器 0x60h 中完成以下位序列:

76543210
PROG_SELCPU_RST-PAR_ENRAM_ENPAR_SELR/WZCLR_PTR
1 → 01 → 000 → 10 → 11 → 000

在完成上述序列后的 1ms 内,器件将完成对 SRAM 的兼容性检查

如果确定 SRAM 加载“有效”:寄存器 0x41h 将具有 0x01h 和 0xFEh 之间的值,并且器件将恢复正常运行。

如果确定 SRAM 加载“无效”:

• 0x41h 将设置为 0xFFh

• 在内部将清除 RAM_EN 位

• 器件将以“安全模式”运行,直到完成另一次编程尝试