ZHCSDK8 March   2015 TPS24770 , TPS24771 , TPS24772

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 简化电路原理图
  5. 5 修订历史记录
  6. 6 Device Comparison Table
  7. 7 Pin Configuration and Functions
  8. 8 Specifications
    1. 8.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 8.2 ESD Ratings
    3. 8.3 Recommended Operating Conditions
    4. 8.4 Thermal Information
    5. 8.5 Electrical Characteristics
    6. 8.6 Timing Requirements
    7. 8.7 Typical Characteristics
  9. 9 Detailed Description
    1. 9.1 Overview
    2. 9.2 Functional Block Diagram
    3. 9.3 Feature Description
      1. 9.3.1 Enable and Over-voltage Protection
      2. 9.3.2 Current Limit and Power Limit during Start-up
      3. 9.3.3 Two Level Protection During Regular Operation
      4. 9.3.4 Dual Timer (TFLT and TINR)
      5. 9.3.5 3 Options for Response to a Fast Trip
      6. 9.3.6 Using Soft Start - IHGATE and TINR Considerations
      7. 9.3.7 Analog Current Monitor
      8. 9.3.8 Power Good Flag
      9. 9.3.9 Fault Reporting
    4. 9.4 Device Functional Modes
      1. 9.4.1 Hot Swap Functional Modes
  10. 10Application and Implementation
    1. 10.1 Application Information
    2. 10.2 Typical Application
      1. 10.2.1 12 V, 100 A, 5,500 µF Analog Hot Swap Design
      2. 10.2.2 Design Requirements
      3. 10.2.3 Detailed Design Procedure
        1. 10.2.3.1  Select RSNS and VSNS,CL Setting
        2. 10.2.3.2  Selecting the Fast Trip Threshold and Filtering
        3. 10.2.3.3  Selecting the Hot Swap FET(s)
        4. 10.2.3.4  Select Power Limit
        5. 10.2.3.5  Set Fault Timer
        6. 10.2.3.6  Check MOSFET SOA
        7. 10.2.3.7  Choose Under Voltage and Over Voltage Settings
        8. 10.2.3.8  Selecting C1 and COUT
        9. 10.2.3.9  Adding CENHS
        10. 10.2.3.10 Selecting D1 and D2
        11. 10.2.3.11 Checking Stability
        12. 10.2.3.12 Compute Tolerances
      4. 10.2.4 Application Curves
      5. 10.2.5 240 VA Application Using CSD16415Q5B
        1. 10.2.5.1 Design Requirements
        2. 10.2.5.2 Theory of Operations
        3. 10.2.5.3 Design Procedure
          1. 10.2.5.3.1 Select VSNS,CL, RSNS, and RSET Setting
            1. 10.2.5.3.1.1 Select RPOW and RIMON
            2. 10.2.5.3.1.2 Selecting the Hot Swap FET(s)
            3. 10.2.5.3.1.3 Keeping MOSFET within SOA During Normal Start-up
            4. 10.2.5.3.1.4 Choose Fault Timer
            5. 10.2.5.3.1.5 Choose Under Voltage and Over Voltage Settings
            6. 10.2.5.3.1.6 Selecting CIN and COUT
            7. 10.2.5.3.1.7 Selecting D1 and D2
            8. 10.2.5.3.1.8 Adding CENHS
            9. 10.2.5.3.1.9 Stability Considerations
        4. 10.2.5.4 Application Curves
      6. 10.2.6 240 VA Application Using CSD17573Q5B
        1. 10.2.6.1 Design Requirements
          1. 10.2.6.1.1 Choosing C1, COUT, CFLT, CENHS, D1, D2, RSET, RPOW, RIMON, RSNS, CDVDT, RPLIM, and UV/OV Thresholds
          2. 10.2.6.1.2 Selecting the Hot Swap FET(s)
          3. 10.2.6.1.3 Keeping the MOSFET within SOA
        2. 10.2.6.2 Q2 Selection
        3. 10.2.6.3 Application Curves
  11. 11Power Supply Recommendations
  12. 12Layout
    1. 12.1 Layout Guidelines
    2. 12.2 Layout Example
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 相关链接
    2. 13.2 商标
    3. 13.3 静电放电警告
    4. 13.4 术语表
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

13 器件和文档支持

13.1 相关链接

以下表格列出了快速访问链接。 范围包括技术文档、支持与社区资源、工具和软件，并且可以快速访问样片或购买链接。

Table 6. 相关链接

器件 米6体育平台手机版_好二三四文件夹 样片与购买 技术文档 工具与软件 支持与社区
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TPS24771 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处
TPS24772 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处 请单击此处

13.2 商标

All trademarks are the property of their respective owners.

13.3 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

13.4 术语表

SLYZ022 — TI 术语表。

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。
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