三个内部 LDO 为内部电路的运行提供了经稳压的电源。

• LDO_5V：为降压/升压栅极驱动电路、LDO_3V3、LDO_1V5 以及 PA 和 PB VCONN 电源路径供电。为确保正常运行，需要外部旁路电容 C_{LDO_5V}。强烈建议额外添加一个与 C_{LDO_5V} 并联的高频 0.1μF 电容器。在设计中，将 C_{LDO_5V} 和并联高频电容器尽可能靠近 LDO_5V 引脚放置。该电容：1) 为降压/升压内部 FET 栅极驱动器提供储能，2) 在未连接外部 5V 电源的应用中用于稳定内部 5V LDO。TPS25763-Q1 在满足 V_{LDO_5V(UVLO_R)} 阈值之前不会运行（解除复位）。当 V_{LDO_5V} < V_{LDO_5V(UVLO_F)} 阈值时，会发生硬复位。电流从 LDO_5V 返回至 PGND 引脚。LDO_5V 输出可用于为指示灯 LED 等小型外部负载供电。为外部元件供电时，建议总外部负载电流不超过 25mA（最大值）。
  • 0.1W VCONN：在应用配置 GUI 中启用后，LDO_5V 能够分别为 PA_VCONN 和 PB_VCONN 提供 20mA 电流。
  • 1W VCONN：在应用配置 GUI 中启用后，该运行模式需要 一个连接到 LDO_5V 的外部 4.75V 至 5.5V、500mA 电源。允许 LDO_5V 反馈。
• LDO_3V3：为内部模拟电路、GPIO 缓冲器、USB PD 和 USB 端点 PHY 供电。为确保正常运行，需要外部旁路电容 C_{LDO_3V3}。强烈建议使用一个与 C_{LDO_3V3} 并联的额外 0.1μF 电容器来滤除 I/O 缓冲器和 PHY 中的高频噪声。LDO_3V3 可为外部电路供电，最大电流为 25mA。预期负载包括：EEPROM (5mA)、NTC 电阻分压器网络 (< 1mA)。消耗的电流最高可达 I_{LDO_3V3(ILIMIT)}。注意：USB PD 和端点 PHY 从 LDO_3V3 汲取电流。如果 CCx 或 Dx 引脚在发送期间短接至 GND，则消耗的电流可能会达到电流限制阈值。同样，如果任何 GPIO 引脚配置为推挽输出并且发生 GPIO 短接至 GND 事件，则可能会达到 LDO_3V3 电流限制。电流返回至 AGND 引脚。
• LDO_1V5：为数字内核供电。为确保正常运行，需要外部旁路电容 C_{LDO_1V5}。强烈建议使用一个与 C_{LDO_1V5} 并联的额外 0.1μF 电容器来滤除数字内核产生的噪声。M0 保持复位状态，直到满足所有三个 UVLO_R（上升）阈值。电流返回至 AGND 引脚。

图 8-3 内部 LDO 连接图