ZHCSMS6B November   2020  – September 2021 TPS25858-Q1 , TPS25859-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明（续）
  6. 6 器件比较表
  7. 7 引脚配置和功能
  8. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 开关特性
    8. 8.8 典型特性
  9. 9 参数测量信息
  10. 10详细说明
    1. 10.1 概述
    2. 10.2 功能方框图
    3. 10.3 特性说明
      1. 10.3.1  断电或欠压锁定
      2. 10.3.2  输入过压保护 (OVP) - 持续监控
      3. 10.3.3  降压转换器
      4. 10.3.4  FREQ/SYNC
      5. 10.3.5  自举电压 (BOOT)
      6. 10.3.6  最小导通时间、最小关断时间
      7. 10.3.7  内部补偿
      8. 10.3.8  可选输出电压 (VSET)
      9. 10.3.9  电流限制和短路保护
        1. 10.3.9.1 USB 开关可编程电流限制 (ILIM)
        2. 10.3.9.2 用于两级 USB 开关电流限制的互锁
        3. 10.3.9.3 逐周期降压电流限制
        4. 10.3.9.4 OUT 电流限制
      10. 10.3.10 电缆补偿
      11. 10.3.11 具有温度感测 (TS) 和 OTSD 功能的热管理
      12. 10.3.12 热关断
      13. 10.3.13 USB 使能开关控制 (TPS25859-Q1)
      14. 10.3.14 FAULT 指示 (TPS25859-Q1)
      15. 10.3.15 USB 规范概述
      16. 10.3.16 USB Type-C® 基础知识
        1. 10.3.16.1 配置通道
        2. 10.3.16.2 检测连接
      17. 10.3.17 USB 端口工作模式
        1. 10.3.17.1 USB Type-C® 模式
        2. 10.3.17.2 专用充电端口 (DCP) 模式（仅限 TPS25858-Q1）
          1. 10.3.17.2.1 DCP BC1.2 和 YD/T 1591-2009
          2. 10.3.17.2.2 DCP 分压器充电方案
          3. 10.3.17.2.3 DCP 1.2V 充电方案
        3. 10.3.17.3 DCP 自动模式 (TPS25858-Q1)
    4. 10.4 器件功能模式
      1. 10.4.1 关断模式
      2. 10.4.2 活动模式
  11. 11应用和实现
    1. 11.1 应用信息
    2. 11.2 典型应用
      1. 11.2.1 设计要求
      2. 11.2.2 详细设计过程
        1. 11.2.2.1 输出电压设置
        2. 11.2.2.2 开关频率
        3. 11.2.2.3 电感器选型
        4. 11.2.2.4 输出电容器选型
        5. 11.2.2.5 输入电容器选择
        6. 11.2.2.6 自举电容器选型
        7. 11.2.2.7 欠压锁定设定点
        8. 11.2.2.8 电缆补偿设定点
      3. 11.2.3 应用曲线
  12. 12电源相关建议
  13. 13布局
    1. 13.1 布局指南
    2. 13.2 布局示例
    3. 13.3 接地平面及散热考虑
  14. 14器件和文档支持
    1. 14.1 接收文档更新通知
    2. 14.2 支持资源
    3. 14.3 商标
    4. 14.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 14.5 术语表
  15. 15机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.3.9.3 逐周期降压电流限制

对电感器电流的峰值和谷值都施加了降压稳压器逐周期电流限制。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在既定消隐时间后打开时，将感测高侧开关电流。每个开关周期内，高侧开关电流将与误差放大器 (EA) 减去斜坡补偿的输出进行比较。高侧开关的电流峰值受最大钳位峰值电流阈值 IHS_LIMIT（恒定值）限制。高侧开关的峰值电流限制不受斜率补偿影响，在整个占空比范围内保持恒定。

此外，还将对流经低侧 MOSFET 的电流进行感测和监控。当低侧开关导通时，电感电流开始下降。开关周期结束时，如果低侧开关的电流高于 低侧电流限值 ILS_LIMIT，则低侧开关不会关闭。低侧开关保持导通，从而使电感器电流不断下降，直到电感器电流低于低侧电流限值 ILS_LIMIT。然后，低侧开关关闭，高侧开关在经过死区时间之后开启。该操作与更为典型的峰值限流稍有不同，其最大负载电流可通过Equation10 计算得出。

Equation10. GUID-5C755632-D630-4E6D-9EFE-9A615679FA22-low.gif
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