当关断电感负载时，由于电感特性，输出电压下拉至负值。如果在电流衰减期间没有对电压进行钳位，则功率 FET 可能会击穿。在这种情况下，为了保护功率 FET，请在内部钳制漏源电压，即 V_DS,clamp（漏极和栅极之间的钳位二极管）。

在电流衰减期间 (T_DECAY)，功率 FET 导通以进行电感能量耗散。电源 (E_S) 和负载 (E_LOAD) 的能量都消耗在高侧电源开关本身上，称为 E_HSD。如果电阻与电感串联，则部分负载能量会在电阻中耗散。

从高侧电源开关的角度来看，E_HSD 等于电流衰减期间的积分值。

方程式 5.

方程式 6.

方程式 7.

当 R 大概等于 0 时，E_HSD 可以简单地表示为：

方程式 8.

图 8-11 驱动电感负载

图 8-12 电感负载关断图

如前所述，关断时，电池能量和负载能量会在高侧电源开关上耗散，这会导致热变化较大。对于每个高侧电源开关，最大安全功率耗散的上限取决于器件的固有容量、环境温度和电路板功耗条件。