ZHCSO91A october 2022 – june 2023 TPS3435-Q1
PRODUCTION DATA
TPS3435-Q1 还会利用可编程输出置位延迟,在器件启动时使用精密电流源为外部电容器充电。CRST 引脚上给定外部电容产生的典型延迟时间可通过方程式 3 计算得出,其中 tWDO 是以秒为单位的输出置位延迟时间,CCRST 是以微法为单位的电容。
请注意,为了最大限度减小计算得出的输出置位延迟时间和实际输出置位延迟时间之间的差值,请使用高质量陶瓷电介质 COG、X5R 或 X7R 电容器,并最大限度减小该引脚周围的寄生电路板电容。表 9-1 列出了理想电容值的输出置位延迟时间。
CCRST | 输出置位 延迟时间 ( tWDO) | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
最小值(1) | 典型值 | 最大值(1) | ||
10nF |
39.6 | 49.5 |
59.4 | ms |
100nF |
396 |
495 |
594 | ms |
1μF |
3960 |
4950 |
5940 | ms |