ZHCSSJ6 july   2023 TPS38700S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 器件比较
  7. 引脚配置和功能
  8. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 器件状态图
      2. 8.3.2 同步功能
      3. 8.3.3 转换序列
        1. 8.3.3.1 上电
        2. 8.3.3.2 断电
        3. 8.3.3.3 紧急断电
      4. 8.3.4 备份状态
      5. 8.3.5 热关断 (TSD) 状态
      6. 8.3.6 I2C
        1. 8.3.6.1 I2C
    4. 8.4 寄存器映射表
      1. 8.4.1 寄存器说明
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 汽车类多通道序列发生器和监视器
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 测试实现
      5. 9.2.5 应用曲线
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 电源指南
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件命名规则
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14.   机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

寄存器说明

表 8-3 INT_SRC1

Address:0x10

说明:中断源引寄存器。如果是 F_INTERNAL,则 INT_SRC2 寄存器会提供更多信息。

POR 值:0x00

访问:读取和写入 1 以清除。写入 0 无效;向已经为 0 的位写入 1 无效。

返回寄存器映射表

名称

说明

7

F_INTERNAL

内部故障(INT_SRC2 中所有位的或运算值):0 = 未检测到内部故障

1 = 检测到内部故障。INT_SRC2 中标记了更多详细信息。该位通过清除 INT_SRC2 中的位来清除。

6

EM_PD

紧急断电:

0 = 无紧急断电事件

1 = 紧急断电导致关断(序列 2)。

Write-1-to-clear(写入 1 以清除)将清除该位。该位将在下次紧急关断时再次设置。

3

RSVD

RSVD

2

F_EN

使能输出引脚故障:

0 = 未检测到电源短路或接地。1 = 检测到电源短路或接地。

仅当故障条件同时被清除时,Write-1-to-clear(写入 1 以清除)才会清除该位。

1

RSVD

RSVD

0

F_NRSTIRQ

复位或中断引脚故障:

0 = 在 NRST 或 NIRQ 上未检测到故障。

1 = 在 NRST 或 NIRQ 上检测到电源的低电阻路径。

仅当故障条件同时被清除时,Write-1-to-clear(写入 1 以清除)才会清除该位。

INT_SRC1 表示 NIRQ 被置为有效的原因。当主机处理器收到 NIRQ 时,处理器可以读取该寄存器来快速判断中断源。如果该寄存器清零,则 TPS38700S-Q1 未将 NIRQ 置为有效。

表 8-4 INT_SRC2

Address:0x11

说明:内部错误的中断源寄存器。

POR 值:0x00

访问:读取和写入 1 以清除。写入 0 无效;向已经为 0 的位写入 1 无效。

返回寄存器映射表

名称

说明

7

F_VENDOR

供应商特定的内部故障。INT_VENDOR 中报告了详细信息。该位表示 INT_VENDOR 中所有位的或运算值。

0 = INT_VENDOR 中未报告故障 1 = INT_VENDOR 中报告故障

该位通过清除 INT_VENDOR 中的位来清除。

6

RSVD

保留

5

F_RT_CRC

运行时寄存器 CRC 故障:

0 = 未检测到故障。

1 = 检测到寄存器 CRC 故障。

Write-1-to-clear(写入 1 以清除)将清除该位。如果检测到故障,该位将在下次寄存器 CRC 检查期间再次设置。

3

F_LDO

LDO 故障:

0 = 未检测到 LDO 故障。1 = 检测到 LDO 故障。

如果使用内部 LDO,该标志用于指示故障。

如果未使用内部 LDO,这个标志必须保留。

仅当故障条件同时被清除时,Write-1-to-clear(写入 1 以清除)才会清除该位。

2

F_TSD

热关断:

0 = 未发生热关断。

1 = 自上次读取后发生了热关断。

仅当故障条件同时被清除时,Write-1-to-clear(写入 1 以清除)才会清除该位。

表 8-5 INT_VENDOR

Address:0x12

说明:供应商特定内部中断状态寄存器。

POR 值:0x00

访问:读取和写入 1 以清除。写入 0 无效;向已经为 0 的位写入 1 无效。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:0

FAULTS[7:0]

供应商特定的内部故障标志。

表 8-6 CTL_STAT

Address:0x13

说明: TPS38700S-Q1 控制引脚和内部状态的状态寄存器。

POR 值:0x00

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:6

被保留

保留

5

ST_NIRQ

NIRQ 输出的当前状态:

0 = NIRQ 引脚被 TPS38700S-Q1 置为低电平。

1 = NIRQ 引脚未被 TPS38700S-Q1 置为低电平。

4

ST_NRST

NRST 输出的当前状态:

0 = NRST 引脚被 TPS38700S-Q1 置为低电平。

1 = NRST 引脚未被 TPS38700S-Q1 置为低电平。

3

RSVD

RSVD

2

ST_ACTSHDN

ACT 输入的当前状态:

0 = 系统将 ACT 引脚驱动为低电平(关断)。1 = 系统将 ACT 引脚驱动为高电平(有效)。

1:0

ST_PSEQ[1:0]

00b:SHDNx、上电、断电

01b:不适用

10b:无效组合

11b:ACTIVE

表 8-7 EN_STDR1

Address:0x14

说明:使能引脚的当前驱动状态。

POR 值:0x00

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:4

被保留

保留

3:0

STDR_GPO[12:9]

GPO[X] 的当前驱动状态:

0 = TPS38700S-Q1 正在将 GPO[X] 驱动为低电平。

1 = TPS38700S-Q1 正在将 GPO[X] 驱动为高电平或允许将其悬空为高电平。

表 8-8 EN_STDR2

Address:0x15

说明:使能引脚的当前驱动状态。

POR 值:0x00

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:0

STDR_EN[6:1]

GPO[8:7]

GPO[X] 的当前驱动状态:

0 = TPS38700S-Q1 正在将 GPO[X] 驱动为低电平。

1 = TPS38700S-Q1 正在将 GPO[X] 驱动为高电平或允许将其悬空为高电平。

表 8-9 EN_STRD1

Address:0x16

说明:使能引脚的当前读取状态。

POR 值:0x00

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:4

被保留

保留

3:0

STRD_GPO[12:9]

GPO[X] 的当前读取状态:

0 = TPS38700S-Q1 正在读取 GPO[X] 低电平。

1 = TPS38700S-Q1 正在读取 GPO[X] 高电平。

表 8-10 EN_STRD2

Address:0x17

说明:使能引脚的当前读取状态。

POR 值:0x00

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:0

STRD_EN[6:1]

GPO[8:7]

GPO[X] 的当前读取状态:

0 = TPS38700S-Q1 正在读取 GPO[X] 低电平。

1 = TPS38700S-Q1 正在读取 GPO[X] 高电平。

表 8-11 LAST_RST

Address:0x1A

说明:上次 NRST 置位或关断的原因。NRST 置位和关断发生在序列 2 和序列 3 中。

只要存在 VDD 和/或 VBBAT,该寄存器就会保持不变。INT_SRC1.EM_PD 寄存器位中已记录了紧急关断触发序列 2,因此不需要将其存储在此寄存器中。主机应在上电时执行的第一个操作中读取此寄存器。

在下次 NRST 置位或关断时,该寄存器会新的相关数据覆盖。

POR 值:0x00

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7

RSVD

保留

5

RSVD

保留

3

ACTSHDN

因 ACT 置为低电平(关断)而导致的 NRST/关断。

0 = 上次 NRST/关断置位不是 ACT 低电平导致的。

1 = 上次 NRST/关断置位是 ACT 低电平导致的。

1

RSVD

保留

0

RSVD

保留

表 8-12 GP_OUT

Address:0x25

说明:设置时序控制引脚 EN[12:9] 的通用输出状态。GPO 通过 AF_IN_OUT 和 EN_ALT_F 寄存器启用。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 CTL 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:4

被保留

保留

3

GPO12

GPO12 通用输出。仅在 PWR_EN12 清零时使用。

0 = GPO12 引脚被驱动为低电平。

1 = GPO12 引脚被驱动为高电平。

2

GPO11

GPO11 通用输出。仅在 PWR_EN11 清零时使用。

0 = GPO11 引脚被驱动为低电平。

1 = GPO11 引脚被驱动为高电平。

1

GPO10

EN10 通用输出。仅在 PWR_EN10 清零时使用。

0 = EN10 引脚被驱动为低电平。

1 = EN10 引脚被驱动为高电平。

0

GPO9

GPO9 通用输出。仅在 PWR_EN9 清零时使用。

0 = GPO9 引脚被驱动为低电平。

1 = GPO9 引脚被驱动为高电平。

表 8-13 CTL_1

Address:0x28

说明:中断和状态软件控制。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 CTL 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:4

被保留

保留

3

FORCE_INT (1)

强制 NIRQ 处于低电平:

0 = NIRQ 引脚由 INT_SRCx 寄存器故障控制。

1 = NIRQ 引脚被强制为低电平。

FORCE_INT 由软件用于定期检查 NIRQ 引脚上是否存在内部或外部短接至 VDD 的情况。
表 8-14 CTL_2

Address:0x29

说明:其他配置。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 CTL 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:4

RST_DLY[3:0]

上电序列:NRST 保持有效,直到上次 ENx 置位后的 RST_DLY[3:0]。

0000b = 0.1ms

0001b = 0.2ms

0010b = 0.4ms

0011b = 0.8ms

0100b = 1.6ms

0101b = 3.2ms

0110b = 6.4ms

0111b = 12.8ms

1000b = 1ms

1001b = 2ms

1010b = 4ms

1011b = 8ms

1100b = 16ms

1101b = 32ms

1110b = 64ms

1111b = 128ms

断电序列:NRST 在 ACT 为低电平的 tNRST 内有效。

3:2

RSVD

RSVD

表 8-15 IEN_VENDOR

Address:0x2B

说明:供应商特定内部中断使能寄存器。

POR 值:0x00 或从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 CTL 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:0

FAULTS[7:0]

供应商特定的内部故障使能。

表 8-16 SEQ_CFG

Address:0x30

说明:时序配置。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 SEQ 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:1

RSVD

保留

0

SSTEP

SEQ_USLOT 和 SEQ_DSLOT 的时序时隙步长选择:

0 = 时隙步长 tSSTEP = 250μs

1 = 时隙步长 tSSTEP= 1000μs

表 8-17 SEQ_USLOT

Address:0x31

说明:上电时序时隙配置。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 SEQ 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:0

TIME[7:0]

设置上电时序点之间的时隙:

tUSLOT = SEQ_USLOT.TIME[7:0] × tSSTEP + tSMIN

其中,tSSTEP 由 SEQ_CFG.SSTEP 设置,tSMIN = tSSTEP/2

对于 SEQ_CFG.SSTEP = 0 的情况,请参阅表 8-18

对于 SEQ_CFG.SSTEP = 1 的情况,请参阅表 8-19

表 8-18 SEQ_CFG.SSTEP = 0

参数

符号

最小值 (-6%)

典型值

最大值 (+6%)

单位

时隙步长

tSSTEP

235

250

265

μs

最短时隙时间 (0x00)

tSMIN

117.5

125

132.5

μs

最长时隙时间 (0xFF)

tSMAX

60042.5

63875

67707.5

μs

表 8-19 SEQ_CFG.SSTEP = 1

参数

符号

最小值 (-6%)

典型值

最大值 (+6%)

单位

时隙步长

tSSTEP

940

1000

1060

μs

最短时隙时间 (0x00)

tSMIN

470

500

530

μs

最长时隙时间 (0xFF)

tSMAX

240170

255500

270830

μs

表 8-20 SEQ_DSLOT

Address:0x32

说明:断电时序时隙配置。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 SEQ 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:0

TIME[7:0]

设置断电时序点之间的时隙:

tDSLOT = SEQ_DSLOT.TIME[7:0] × tSSTEP + tSMIN

其中,tSSTEP 由 SEQ_CFG.SSTEP 设置,tSMIN = tSSTEP/2

有关设置详细信息,请参阅表 8-17

表 8-21 PWR_EN[12:1]

Address:PWR_EN1 (0x33) - PWR_EN12 (0x3E)(12 个 8 位寄存器)。

说明:通过将 EN[12:1] 分配到 15 个时隙中的一个来定义上电/断电序列。

Slot=1 是可以选择的最早时隙,它表示 ENx 引脚将在触发事件后的第一个 SEQ_USLOT.TIME 或 SEQ_DSLOT.TIME 内切换。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:读取/写入。如果 SEQ 组受到保护,则为只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7:4

PU[3:0]

上电序列:

0 = ENx 引脚未映射到序列。ENx 保持先前的状态,除非进入备用或失效防护状态(在这些状态下,ENx 会被拉低)。

1 = ENx 引脚映射到第一个时隙(第一个上电)。

15 = ENx 引脚映射到最后一个时隙(最后一个上电)。

3:0

PD[3:0]

断电序列:

0 = ENx 引脚未映射到序列。ENx 保持先前的状态,除非进入备用或失效防护状态(在这些状态下,ENx 会被拉低)。

1 = ENx 引脚映射到第一个时隙(第一个断电)。

15 = ENx 引脚映射到最后一个时隙(最后一个断电)。

表 8-22 PROT1、PROT2

Address:0xF0、0xF1

说明:保护选择寄存器。为了对寄存器组进行写保护,主机必须在两个寄存器中设置相关位。

POR 值:0x00

访问:读取/写入。

为了安全起见,这些寄存器需要将 POR 值设为 0x00,并且一旦设置,将变为只读状态,直到下电上电。

一旦设置为 1,主机就无法将其清零;需要下电上电 (VDD=0) 才能写入不同的寄存器配置。

返回寄存器映射表

名称

说明

7

RSVD

保留

6

WRK

0 = 工作寄存器可写入。

1 = 忽略对工作寄存器的写入。

5

RSVD

RSVD

4

SEQP

0 = 电源序列寄存器可写入。

1 = 忽略对电源序列寄存器的写入。

3

SEQC

0 = 序列时隙配置寄存器可写入。

0b1 = 忽略对序列时隙配置寄存器的写入。

2

RSVD

RSVD

1

RSVD

RSVD

0

CTL

0 = 控制寄存器可写入。

1 = 忽略对控制寄存器的写入。

表 8-23 I2CADDR

Address:0xF9

说明:I2C 地址。

POR 值:从 NVM 加载。

访问:只读。

返回寄存器映射表

名称

说明

7

RSVD

保留

6:0

ADDR_NVM[6:0]

I2C 目标器件地址。在 NVM 中设置。