ZHCSSJ6 july 2023 TPS38700S-Q1
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 常用参数 | ||||||
| VDD | 输入电源电压 | 2.2 | 5.5 | V | ||
| VBBAT | 备用电池电压范围 | 1.85 | 5.5 | V | ||
| UVLO_VDDR | UVLO VDD | 上升阈值 | 2.2 | V | ||
| UVLO_VDDF | UVLO VDD | 下降阈值/切换到 VBBAT | 1.90 | 2 | V | |
| UVLO_VBBAT | UVLO 备用电池 | 下降阈值 | 1.85 | V | ||
| POR | 上电复位电压，所有输出在高于该值时保证稳定 | 下降阈值 | 1.39 | V | ||
| IDD | 流入 VDD 引脚的电源电流 ACT=高电平 |
VDD ≤ 5.5V，上电序列完成 | 45 | 75 | µA | |
| IDD | 流入 VDD 引脚的电源电流 ACT=低电平 |
VDD ≤ 5.5V，断电序列完成 |
35 | 60 | µA | |
| IBBAT | 来自 VBBAT 的电源电流 | VBBAT ≤ 5.5V | 35 | 60 | µA | |
| ILKG_NRST | 输出漏电流 (NRST) | VDD = VNRST = 5.5V | 300 | nA | ||
| ILKG_NIRQ | 输出漏电流 (NIRQ) | VDD = VNIRQ = 5.5V | 300 | nA | ||
| ACT_L | 逻辑低电平输入 | 0.36 | V | |||
| ACT_H | 逻辑高电平输入 | 0.84 | VDD - 0.2 | V | ||
| SYNC_H | 输入高电平 | Io = 1mA | 1.1 | V | ||
| SYNC_L | 输入低电平 | Io = 1mA | 0.36 | V | ||
| ACT | 内部下拉电阻 | 100 | kΩ | |||
| NRST | 输出低电平 | 开漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| NIRQ | 输出低电平 | 开漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| ENx | 输出低电平 | 开漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| GPOx | 输出低电平 | 开漏（10kΩ 上拉） | 0.1 | V | ||
| OSC | 内部振荡器容限 | -5 | 5 | % | ||
| Ilkg(BBAT) | 从 VBBAT 获得的漏电流 | VBBAT > 1.85V | 300 | nA | ||
| TSD | 热关断 | 165 | ℃ | |||
| TSD 迟滞 | 热关断迟滞 | 25 | ℃ | |||
| I2C 电气规格 | ||||||
| CB | SDA 和 SCL 的容性负载 | 400 | pF | |||
| SDA、SCL | 低电平阈值，OTP = 3.3V | 0.84 | V | |||
| SDA、SCL | 低电平阈值，OTP = 3.3V | 2.31 | V | |||
| SDA | 输出低电平，灌电流为 3mA | 0.2 | V | |||