ZHCSOQ5 june   2023 TPS389006

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 I2C
      2. 8.3.2 自动屏蔽 (AMSK)
      3. 8.3.3 PEC
      4. 8.3.4 VDD
      5. 8.3.5 MON
      6. 8.3.6 NIRQ
      7. 8.3.7 ADC
      8. 8.3.8 时间戳
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 内置自检和配置负载
        1. 8.4.1.1 BIST 执行注意事项
      2. 8.4.2 TPS389006 上电
      3. 8.4.3 常规监控
        1. 8.4.3.1 空闲监控
        2. 8.4.3.2 活动监控
        3. 8.4.3.3 序列监控 1
          1. 8.4.3.3.1 ACT 转换 0→1
          2. 8.4.3.3.2 SLEEP 转换 1→0
          3. 8.4.3.3.3 SLEEP 转换 0→1
        4. 8.4.3.4 序列监控 2
          1. 8.4.3.4.1 ACT 转换 1→0
    5. 8.5 寄存器映射
      1. 8.5.1 BANK0 寄存器
      2. 8.5.2 BANK1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 多通道序列发生器和监视器
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 应用曲线
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 电源指南
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件命名规则
    2. 12.2 文档支持
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.5.1 BANK0 寄存器

表 8-4 列出了 BANK0 寄存器的存储器映射寄存器。表 8-4中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 8-4 BANK0 寄存器
地址首字母缩写位 7位 6位 5位 4位 3位 2位 1位 0
0x10INT_SRCF_OTHERRSVD测试控制MONITOR
0x11INT_MONITORSEQ_ONSEQ_OFFSEQ_EXSSEQ_ENSOV_LFOV_HFUV_LFUV_HF
0x12INT_UVHFRSVDUVHF[N]
0x14INT_UVLFRSVDUVLF[N]
0x16INT_OVHFRSVDOVHF[N]
0x18INT_OVLFRSVDOVLF[N]
0x1AINT_SEQ_ONRSVDF_SEQ_ON[N]
0x1CINT_SEQ_OFFRSVDF_SEQ_OFF[N]
0x1EINT_SEQ_EXSRSVDF_SEQ_EXS[N]
0x20INT_SEQ_ENSRSVDF_SEQ_ENS[N]
0x22INT_CONTROLRSVDF_CRCF_NIRQF_TSDF_SYNCF_PEC
0x23INT_TESTRSVDECC_SECECC_DEDI_BIST_CBIST
0x24INT_VENDORLDO_OV_ErrorFreq_DEV_ErrorSHORT_DETOPEN_DETRSVD
0x30VMON_STATFAILSAFEST_BIDT_CST_VDDST_NIRQST_ACTSLPST_ACTSHDNST_SYNCRSVD
0x31TEST_INFORSVDECC_SECECC_DEDBIST_VMBIST_NVMBIST_LBIST_A
0x32OFF_STATRSVDVIN[N]
0x34SEQ_REC_STATREC_ACTIVESEQTS_RDYSEQ_ON_RDYSEQ_OFF_RDYSEQ_EXS_RDYSEQ_ENS_RDY
0x35SEQ_OW_STATRSVDTS_OWSEQ_ON_OWSEQ_OFF_OWSEQ_EXS_OWSEQ_ENS_OW
0x36SEQ_ORD_STATSYNC_COUNT[7:0]
0x40MON_LVL[1]ADC[7:0]
0x41MON_LVL[2]ADC[7:0]
0x42MON_LVL[3]ADC[7:0]
0x43MON_LVL[4]ADC[7:0]
0x44MON_LVL[5]ADC[7:0]
0x45MON_LVL[6]ADC[7:0]
0x50SEQ_ON_LOG[1]ORDER[7:0]
0x51SEQ_ON_LOG[2]ORDER[7:0]
0x52SEQ_ON_LOG[3]ORDER[7:0]
0x53SEQ_ON_LOG[4]ORDER[7:0]
0x54SEQ_ON_LOG[5]ORDER[7:0]
0x55SEQ_ON_LOG[6]ORDER[7:0]
0x60SEQ_OFF_LOG[1]ORDER[7:0]
0x61SEQ_OFF_LOG[2]ORDER[7:0]
0x62SEQ_OFF_LOG[3]ORDER[7:0]
0x63SEQ_OFF_LOG[4]ORDER[7:0]
0x64SEQ_OFF_LOG[5]ORDER[7:0]
0x65SEQ_OFF_LOG[6]ORDER[7:0]
0x70SEQ_EXS_LOG[1]ORDER[7:0]
0x71SEQ_EXS_LOG[2]ORDER[7:0]
0x72SEQ_EXS_LOG[3]ORDER[7:0]
0x73SEQ_EXS_LOG[4]ORDER[7:0]
0x74SEQ_EXS_LOG[5]ORDER[7:0]
0x75SEQ_EXS_LOG[6]ORDER[7:0]
0x80SEQ_ENS_LOG[1]ORDER[7:0]
0x81SEQ_ENS_LOG[2]ORDER[7:0]
0x82SEQ_ENS_LOG[3]ORDER[7:0]
0x83SEQ_ENS_LOG[4]ORDER[7:0]
0x84SEQ_ENS_LOG[5]ORDER[7:0]
0x85SEQ_ENS_LOG[6]ORDER[7:0]
0x90SEQ_TIME_MSB[1]CLOCK[7:0]
0x91SEQ_TIME_LSB[1]CLOCK[7:0]
0x92SEQ_TIME_MSB[2]CLOCK[7:0]
0x93SEQ_TIME_LSB[2]CLOCK[7:0]
0x94SEQ_TIME_MSB[3]CLOCK[7:0]
0x95SEQ_TIME_LSB[3]CLOCK[7:0]
0x96SEQ_TIME_MSB[4]CLOCK[7:0]
0x97SEQ_TIME_LSB[4]CLOCK[7:0]
0x98SEQ_TIME_MSB[5]CLOCK[7:0]
0x99SEQ_TIME_LSB[5]CLOCK[7:0]
0x9ASEQ_TIME_MSB[6]CLOCK[7:0]
0x9BSEQ_TIME_LSB[6]CLOCK[7:0]
0xF0BANK_SELRSVDBANK_SELECTBANK
0xF1PROT1RSVDWRKCWRKSCFGIENMONSEQ
0xF2PROT2RSVDWRKCWRKSCFGIENMONSEQ
0xF3PROT_MON2RSVDMON[N]
0xF9I2CADDRRSVDADDR_NVM[3:0]ADDR_STRAP[2:0]
0xFADEV_CFGRSVDSOC_IF

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 8-5 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 8-5 BANK0 访问类型代码
访问类型代码说明
读取类型
RR读取
写入类型
WW写入
W1CW
1C		写入
1 以进行清除
复位或默认值
-n复位后的值或默认值

8.5.1.1 INT_SRC 寄存器（地址 = 0x10）[默认值 = X]

表 8-6 中显示了 INT_SRC。

返回到汇总表。

全局中断源状态寄存器。该寄存器包含 UV/OV HF/LF 中断和内部故障中断等故障中断。INT_SRC 表示 NIRQ 被置为有效的原因。当主机处理器收到 NIRQ 时，处理器可以读取该寄存器来快速判断中断源。如果该寄存器清零，则器件未将 NIRQ 置为有效。

表 8-6 INT_SRC 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7F_OTHERRX供应商特定的内部故障。
INT_F_OTHER 中报告了详细信息。
该位表示 INT_F_OTHER 中所有位的或运算值。
0b = INT_F_OTHER 中未报告故障

1b = INT_F_OTHER 中报告故障
6:3RSVDRXRSVD
2TESTRX内部测试或配置负载故障。
INT_TEST 中报告了详细信息。
表示 INT_TEST 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到测试/配置故障

1b = 检测到测试/配置故障
1控制RX控制状态或通信故障。
INT_CONTROL 中报告了详细信息。
表示 INT_CONTROL 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到状态或通信故障

1b = 检测到状态或通信故障
0MONITORRX电压或序列监控器故障。
INT_MONITOR 中报告了详细信息。
表示 INT_MONITOR 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到电压或序列故障

1b = 检测到电压或序列故障

8.5.1.2 INT_MONITOR 寄存器（地址 = 0x11）[默认值 = X]

表 8-7 中显示了 INT_MONITOR。

返回到汇总表。

电压和序列监控器中断状态寄存器。该寄存器包含用于序列进入/退出活动/睡眠模式以及 HF 和 LF 故障的故障中断。

表 8-7 INT_MONITOR 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7SEQ_ONRX上电序列故障。
INT_SEQ_ON 中报告了详细信息。
表示 INT_SEQ_ON 中所有位的或运算值。
当 SEQ_ON_LOG[N] 寄存器的内容与 SEQ_ON_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配时，会发生上电序列故障。
0b = 未检测到上电序列故障

1b = 检测到上电序列故障
6SEQ_OFFRX断电序列故障。
INT_SEQ_OFF 中报告了详细信息。
表示 INT_SEQ_OFF 中所有位的或运算值。
当 SEQ_OFF_LOG[N] 寄存器的内容与 SEQ_OFF_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配时，会发生断电序列故障。
0b = 未检测到断电序列故障

1b = 检测到断电序列故障
5SEQ_EXSRX退出睡眠序列故障。
INT_SEQ_EXS 中报告了详细信息。
表示 INT_SEQ_EXS 中所有位的或运算值。
当 SEQ_EXS_LOG[N] 寄存器的内容与 SEQ_EXS_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配时，会发生退出睡眠序列故障。
0b = 未检测到退出睡眠序列故障

1b = 检测到退出睡眠序列故障
4SEQ_ENSRX进入睡眠序列故障。
INT_SEQ_ENS 中报告了详细信息。
表示 INT_SEQ_ENS 中所有位的或运算值。
当 SEQ_ENS_LOG[N] 寄存器的内容与 SEQ_ENS_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配时，会发生进入睡眠序列故障。
0b = 未检测到进入睡眠序列故障

1b = 检测到进入睡眠序列故障
3OV_LFRX过压低频故障。
INT_OVLF 中报告了详细信息。
表示 INT_OVLF 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到 OVLF 故障

1b = 检测到 OVLF 故障
2OV_HFRX过压高频故障。
INT_OVHF 中报告了详细信息。
表示 INT_OVHF 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到 OVHF 故障

1b = 检测到 OVHF 故障
1UV_LFRX欠压低频故障。
INT_UVLF 中报告了详细信息。
表示 INT_UVLF 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到 UVLF 故障

1b = 检测到 UVLF 故障
0UV_HFRX欠压高频故障。
INT_UVHF 中报告了详细信息。
表示 INT_UVHF 中所有位的或运算值。
0b = 未检测到 UVHF 故障

1b = 检测到 UVHF 故障

8.5.1.3 INT_UVHF 寄存器（地址 = 0x12）[默认值 = X]

表 8-8 中显示了 INT_UVHF。

返回到汇总表。

高频通道欠压中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道发生 UV HF 故障的信息。

表 8-8 INT_UVHF 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0UVHF[N]R/W1CX通道 N（1 至 6）的欠压高频故障。
如果通道 N 高频信号低于 UV_HF[N]，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 UVHF 故障条件同时被清除（通道 N 高频信号高于 UV_HF[N]）时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 通道 N 未检测到 UVHF 故障（或 IEN_UVHF 寄存器中禁用中断）

1b = 通道 N 检测到 UVHF 故障

8.5.1.4 INT_UVLF 寄存器（地址 = 0x14）[默认值 = X]

表 8-9 中显示了 INT_UVLF。

返回到汇总表。

低频通道欠压中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道发生 UV LF 故障的信息。

表 8-9 INT_UVLF 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0UVLF[N]R/W1CX通道 N（1 至 6）的欠压低频故障。
如果通道 N 低频信号低于 UV_LF[N]，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 UVLF 故障条件同时被清除（通道 N 低频信号高于 UV_LF[N]）时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 通道 N 未检测到 UVLF 故障（或 IEN_UVLF 寄存器中禁用中断）

1b = 通道 N 检测到 UVLF 故障

8.5.1.5 INT_OVHF 寄存器（地址 = 0x16）[默认值 = X]

表 8-10 中显示了 INT_OVHF。

返回到汇总表。

高频通道过压中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道发生 OV HF 故障的信息。

表 8-10 INT_OVHF 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0OVHF[N]R/W1CX通道 N（1 至 6）的过压高频故障。
如果通道 N 高频信号高于 OV_HF[N]，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 OVHF 故障条件同时被清除（通道 N 高频信号低于 OV_HF[N]）时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 通道 N 未检测到 OVHF 故障（或 IEN_OVHF 寄存器中禁用中断）

1b = 通道 N 检测到 OVHF 故障

8.5.1.6 INT_OVLF 寄存器（地址 = 0x18）[默认值 = X]

表 8-11 中显示了 INT_OVLF。

返回到汇总表。

低频通道过压中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道发生 OV LF 故障的信息。

表 8-11 INT_OVLF 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0OVLF[N]R/W1CX通道 N（1 至 6）的过压低频故障。
如果通道 N 低频信号高于 OV_LF[N]，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 OVLF 故障条件同时被清除（通道 N 低频信号低于 OV_LF[N]）时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 通道 N 未检测到 OVLF 故障（或 IEN_OVLF 寄存器中禁用中断）

1b = 通道 N 检测到 OVLF 故障

8.5.1.7 INT_SEQ_ON 寄存器（地址 = 0x1A）[默认值 = X]

表 8-12 中显示了 INT_SEQ_ON。

返回到汇总表。

上电序列（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道没有遵循上电顺序的信息。

表 8-12 INT_SEQ_ON 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0F_SEQ_ON[N]R/W1CX通道 N（1 到 6）的上电顺序错误。
如果 SEQ_ON_LOG[N] 寄存器中记录的通道 N 上电序列计数器与 SEQ_ON_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下一个序列中再次设置该位。
0b = 未检测到通道 N 上电序列故障（或 IEN_SEQ_ON 寄存器中禁用中断）

1b = 检测到通道 N 上电序列故障

8.5.1.8 INT_SEQ_OFF 寄存器（地址 = 0x1C）[默认值 = X]

表 8-13 中显示了 INT_SEQ_OFF。

返回到汇总表。

断电序列（ACT/ SLEEP 从 1 变为 0）中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道没有遵循断电顺序的信息。

表 8-13 INT_SEQ_OFF 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0F_SEQ_OFF[N]R/W1CX通道 N（1 到 6）的断电顺序错误。
如果 SEQ_OFF_LOG[N] 寄存器中记录的通道 N 断电序列计数器与 SEQ_OFF_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下一个序列中再次设置该位。
0b = 未检测到通道 N 断电序列故障（或 IEN_SEQ_OFF 寄存器中禁用中断）

1b = 检测到通道 N 断电序列故障

8.5.1.9 INT_SEQ_EXS 寄存器（地址 = 0x1E）[默认值 = X]

表 8-14 中显示了 INT_SEQ_EXS。

返回到汇总表。

退出睡眠序列（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道没有遵循睡眠退出顺序的信息。

表 8-14 INT_SEQ_EXS 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0F_SEQ_EXS[N]R/W1CX通道 N（1 到 6）的退出睡眠序列故障。
如果 SEQ_EXS_LOG[N] 寄存器中记录的通道 N 退出睡眠序列计数器与 SEQ_EXS_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配，则跳闸。
故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下一个序列中再次设置该位。
0b = 未检测到通道 N 退出睡眠序列故障（或 IEN_SEQ_EXS 寄存器中禁用中断）

1b = 检测到通道 N 退出睡眠序列故障

8.5.1.10 INT_SEQ_ENS 寄存器（地址 = 0x20）[默认值 = X]

表 8-15 中显示了 INT_SEQ_ENS。

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进入睡眠序列（SLEEP 从 1 变为 0）中断状态寄存器。该寄存器包含有关哪个通道没有遵循睡眠进入顺序的信息。

表 8-15 INT_SEQ_ENS 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6被保留R/W1CXRSVD
5:0F_SEQ_ENS[N]R/W1CX通道 N（1 到 6）的进入睡眠序列故障。
如果 SEQ_ENS_LOG[N] 寄存器中记录的通道 N 进入睡眠序列计数器与 SEQ_ENS_EXP[N] 寄存器中定义的值不匹配，则跳闸。
0b = 未检测到通道 N 进入睡眠序列故障（或 IEN_SEQ_ENS 寄存器中禁用中断）

1b = 检测到通道 N 进入睡眠序列故障

8.5.1.11 INT_CONTROL 寄存器（地址 = 0x22）[默认值 = X]

表 8-16 中显示了 INT_CONTROL。

返回到汇总表。

控制和通信中断状态寄存器。

表 8-16 INT_CONTROL 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:5RSVDR/W1CXRSVD
4F_CRCR/W1CX运行时寄存器 CRC 故障：故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下一次寄存器 CRC 检查期间再次设置该位。
0b = 未检测到故障（或 IEN_CONTROL.RT_CRC 被禁用）

1b = 检测到寄存器 CRC 故障
3F_NIRQR/W1CX中断引脚故障（故障位始终启用，
无使能位可用）：故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 NIRQ 故障条件同时被清除时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 在 NIRQ 引脚上未检测到故障

1b = 在 NIRQ 引脚上检测到电源的低电阻路径
2F_TSDR/W1CX热关断故障：故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 TSD 故障条件同时被清除时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 未检测到 TSD 故障（或 IEN_CONTROL.TSD 被禁用）

1b = 检测到 TSD 故障
1F_SYNCR/W1CXSYNC 引脚故障：故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
仅当 SYNC 故障条件同时被清除时，
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）才会清除该位。
0b = 未在 SYNC 引脚上检测到故障（或 IEN_CONTROL.SYNC 被禁用）

1b = 在 SYNC 引脚上检测到电源的低电阻路径
0F_PECR/W1CX数据包错误检查故障：故障条件的恢复不会清除该位。
它只能由主机通过 write-1-to-clear
（写入 1 以清除）来清除。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下一个 I2C 事务期间再次设置该位。

8.5.1.12 INT_TEST 寄存器（地址 = 0x23）[默认值 = X]

表 8-17 中显示了 INT_TEST。

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内部测试和配置加载中断状态寄存器。

表 8-17 INT_TEST 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:4被保留R/W1CXRSVD
3ECC_SECR/W1CX在加载 OTP 配置时纠正了 ECC 单比特错误：Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下次加载 OTP 配置期间再次设置该位。
0b = 未纠正单比特错误（或 IEN_TEST.ECC_SEC 被禁用）

1b = 已纠正单比特错误
2ECC_DEDR/W1CX在加载 OTP 配置时检测到 ECC 双比特错误：故障位始终启用（没有关联的中断使能位）。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下次加载 OTP 配置期间再次设置该位。
0b = 加载 OTP 时未检测到双比特错误

1b = 加载 OTP 时检测到双比特错误
1I_BIST_CR/W1CX内置自检完成指示：Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

将在完成下一次 BIST 执行时再次设置该位。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。
将在完成下一次 BIST 执行时再次设置该位。
0b = BIST 未完成（或 IEN_TEST.BIST_C 被禁用）

1b = BIST 完成
0BISTR/W1CX内置自检故障：Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。

如果检测到相同的故障，将在下一次 BIST 执行期间再次设置该位。
0b = 未检测到 BIST 故障（或 IEN_TEST.BIST 被禁用）

1b = 检测到 BIST 故障

8.5.1.13 INT_VENDOR 寄存器（地址 = 0x24）[默认值 = X]

表 8-18 中显示了 INT_VENDOR。

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该寄存器包含各种内部故障和 ADDR 检测引脚故障。

表 8-18 INT_VENDOR 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7RSVDR/W1CXRSVD
6LDO_OV_ErrorR/W1CX内部 LDO 故障：

0 = 未检测到内部 LDO 故障

1 = 检测到内部 LDO 故障。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。
5RSVDR/W1CXRSVD
4Freq_DEV_ErrorR/W1CX内部振荡器故障：

0 = 未检测到内部振荡器故障

1 = 检测到内部振荡器故障。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。
3SHORT_DETR/W1CX地址引脚故障：

0 = 未检测到地址引脚故障

1 = 检测到地址引脚故障。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。
2OPEN_DETR/W1CX地址引脚故障：

0 = 未检测到地址引脚故障

1 = 检测到地址引脚故障。
Write-1-to-clear（写入 1 以清除）将清除该位。
1:0RSVDR/W1CXRSVD

8.5.1.14 VMON_STAT 寄存器（地址 = 0x30）[默认值 = X]

表 8-19 中显示了 VMON_STAT。

返回到汇总表。

内部操作和其他非关键条件的状态标志。显示 BIST 完成状态（可以是有效、睡眠或有效/关断）的寄存器。

表 8-19 VMON_STAT 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7FAILSAFERX失效防护状态：

0 = 未处于失效防护状态

1 = 处于失效防护状态
6ST_BIDT_CRX内置自检状态：

0 = BIST 未完成

1 = BIST 完成
5ST_VDDRXVDD 引脚的当前状态：

0 = VDD 引脚为低电平。


1 = VDD 引脚为高电平。
4ST_NIRQRXNIRQ 输入的当前状态：

0 = 系统将 NIRQ 引脚驱动为低电平。


1 = 系统将 NIRQ 引脚驱动为高电平。
3ST_ACTSLPRXSLEEP 输入的当前状态：

0 = 系统将 SLEEP 引脚驱动为低电平。


1 = 系统将睡眠引脚驱动为高电平。
2ST_ACTSHDNRXACT 输入的当前状态：

0 = 系统将 ACT 引脚驱动为低电平。


1 = 系统将 ACT 引脚驱动为高电平。
1ST_SYNCRXSYNC 引脚的当前状态：

0 = SYNC 引脚为低电平。


1 = SYNC 引脚为高电平。
0RSVDRXRSVD

8.5.1.15 TEST_INFO 寄存器（地址 = 0x31）[默认值 = X]

表 8-20 中显示了 TEST_INFO。

返回到汇总表。

内部自检和 ECC 信息。

表 8-20 TEST_INFO 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6RSVDRXRSVD
5ECC_SECRXOTP 配置负载上的 ECC 单比特错误更正状态。


0 = 未应用错误更正

1 = 应用单比特错误更正
4ECC_DEDRXOTP 配置负载上 ECC 双比特错误检测的状态。


0 = 未检测到双比特错误

1 = 检测到双比特错误
3BIST_VMRXBIST 的易失性存储器测试输出状态。


0 =易失性存储器测试通过

1 = 易失性存储器测试失败
2BIST_NVMRXBIST 的非易失性存储器测试输出状态。


0 = 非易失性存储器测试通过

1 = 非易失性存储器测试失败
1BIST_LRXBIST 的逻辑测试输出状态。


0 = 逻辑测试通过

1 = 逻辑测试失败
0BIST_ARXBIST 的模拟测试输出状态。


0 = 模拟测试通过

1 = 模拟测试失败

8.5.1.16 OFF_STAT 寄存器（地址 = 0x32）[默认值 = X]

表 8-21 中显示了 OFF_STAT。

返回到汇总表。

通道 OFF 状态。

表 8-21 OFF_STAT 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6RSVDRXRSVD
5:0VIN[N]RX该寄存器表示每个通道的 OFF 状态：

0 = 通道 N NOT OFF

1 = 通道 N OFF（低于 OFF 阈值）

8.5.1.17 SEQ_REC_STAT 寄存器（地址 = 0x34）[默认值 = X]

表 8-22 中显示了 SEQ_REC_STAT。

返回到汇总表。

序列记录状态寄存器。

表 8-22 SEQ_REC_STAT 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7REC_ACTIVERX指示序列记录的状态：

0 = 无序列记录处于活动状态。


1 = ACT 或 SLEEP 或 SEQ_REC_CTL.REC_START 启动了电源序列，并且记录处于活动状态。
6:5SEQRX正在记录当前序列：00b = 上电 (ACT 01)
01b = 断电 (ACT 10)
10b = 退出睡眠状态 (SLEEP 01)
11b = 进入睡眠状态 (SLEEP 10)
4TS_RDYRXSEQ_TIME_XSB 寄存器中的时间戳数据可用性：如果 EN_TS_OW=0，当 TS_ACK 被主机写入 1 时，该位被清除。
如果 EN_TS_OW=1，则在读取已启用通道（在 VIN_CH_EN 寄存器中）的所有 SEQ_TIME_xSB[N] 寄存器时清除该位。
如果该位已设置且 REC_ACTIVE 也已设置，则 SEQ_TIME_xSB 寄存器中的数据将被覆盖。


0 = 没有新数据可用或已读取数据。


1 = 有新数据可用（仍需要读取数据）。
3SEQ_ON_RDYRXSEQ_ON_LOG 寄存器中的上电序列数据可用性：如果 EN_SEQ_OW=0，当 SEQ_ON_ACK 被主机写入 1 时，该位被清除。
如果 EN_SEQ_OW=1，则在读取已启用通道（在 VIN_CH_EN 寄存器中）的所有 SEQ_ON_LOG 寄存器时清除该位。
如果该位已设置，REC_ACTIVE 也已设置，
且 SEQ[1:0]=00b，则 SEQ_ON_LOG 寄存器中的数据将被覆盖。


0 = 没有新数据可用或已读取数据。


1 = 有新数据可用（仍需要读取数据）。
2SEQ_OFF_RDYRXSEQ_OFF_LOG 寄存器中的断电序列数据可用性：如果 EN_SEQ_OW=0，当 SEQ_OFF_ACK 被主机写入 1 时，该位被清除。
如果 EN_SEQ_OW=1，则在读取已启用通道（在 VIN_CH_EN 寄存器中）的所有 SEQ_OFF_LOG 寄存器时清除该位。
如果该位已设置，REC_ACTIVE 也已设置，
且 SEQ[1:0]=01b，则 SEQ_OFF_LOG 寄存器中的数据将被覆盖。


0 = 没有新数据可用或已读取数据。


1 = 有新数据可用（仍需要读取数据）。
1SEQ_EXS_RDYRXSEQ_EXS_LOG 寄存器中的睡眠退出序列数据可用性：如果 EN_SEQ_OW=0，当 SEQ_EXS_ACK 被主机写入 1 时，该位被清除。
如果 EN_SEQ_OW=1，则在读取已启用通道（在 VIN_CH_EN 寄存器中）的所有 SEQ_EXS_LOG 寄存器时清除该位。
如果该位已设置，REC_ACTIVE 也已设置，
且 SEQ[1:0]=10b，则 SEQ_EXS_LOG 寄存器中的数据将被覆盖。


0 = 没有新数据可用或已读取数据。


1 = 有新数据可用（仍需要读取数据）。
0SEQ_ENS_RDYRXSEQ_ENS_LOG 寄存器中的睡眠进入序列数据可用性：如果 EN_SEQ_OW=0，当 SEQ_ENS_ACK 被主机写入 1 时，该位被清除。
如果 EN_SEQ_OW=1，则在读取已启用通道（在 VIN_CH_EN 寄存器中）的所有 SEQ_ENS_LOG 寄存器时清除该位。
如果该位已设置，REC_ACTIVE 也已设置，
且 SEQ[1:0]=11b，则 SEQ_ENS_LOG 寄存器中的数据将被覆盖。


0 = 没有新数据可用或已读取数据。


1 = 有新数据可用（仍需要读取数据）。

8.5.1.18 SEQ_OW_STAT 寄存器（地址 = 0x35）[默认值 = X]

表 8-23 中显示了 SEQ_OW_STAT。

返回到汇总表。

序列记录覆盖状态寄存器。

表 8-23 SEQ_OW_STAT 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:5RSVDRXRSVD
4TS_OWRX时间戳数据覆盖状态：

0 = 数据未被覆盖

1 = 数据被覆盖（如果 VMON_MISC.EN_TS_OW=1），或者无法写入数据（如果 VMON_MISC.EN_TS_OW=0）
3SEQ_ON_OWRX加电序列数据覆盖状态：

0 = 数据未被覆盖

1 = 数据被覆盖（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=1），或者无法写入数据（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=0）
2SEQ_OFF_OWRX断电序列数据覆盖状态：
0 = 数据未被覆盖
1 = 数据被覆盖（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=1），或者无法写入数据（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=0）
1SEQ_EXS_OWRX睡眠退出序列数据覆盖状态：

0 = 数据未被覆盖

1 = 数据被覆盖（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=1），或者无法写入数据（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=0）
0SEQ_ENS_OWRX睡眠进入序列数据覆盖状态：

0 = 数据未被覆盖

1 = 数据被覆盖（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=1），或者无法写入数据（如果 VMON_MISC.EN_SEQ_OW=0）

8.5.1.19 SEQ_ORD_STAT 寄存器（地址 = 0x36）[默认值 = X]

表 8-24 中显示了 SEQ_ORD_STAT。

返回到汇总表。

时序控制/SYNC 计数器（电源轨顺序）寄存器值。

表 8-24 SEQ_ORD_STAT 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0SYNC_COUNT[7:0]RX该寄存器表示上电/睡眠序列期间的计数器值。
它对应于检测到的 SYNC 下降沿数量，并用作受监控通道的标记值。

8.5.1.20 MON_LVL[1] 寄存器（地址 = 0x40）[默认值 = X]

表 8-25 中显示了 MON_LVL[1]。

返回到汇总表。

对于每个通道的 ADC 读数 - 8 位

表 8-25 MON_LVL[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ADC[7:0]RX该寄存器表示通道 1 的 8 位电压电平。
8 位值的解释取决于寄存器 VRANGE_MULT 中的调节设置。
调节设置为 1x 时，8 位值代表 0.2V 至 1.475V 的范围，1LSB = 5mV。
调节设置为 4x 时，8 位值代表 0.8V 至 5.9V 的范围，1LSB = 20mV。

8.5.1.21 MON_LVL[2] 寄存器（地址 = 0x41）[默认值 = X]

表 8-26 中显示了 MON_LVL[2]。

返回到汇总表。

对于每个通道的 ADC 读数 - 8 位

表 8-26 MON_LVL[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ADC[7:0]RX该寄存器表示通道 2 的 8 位电压电平。
8 位值的解释取决于寄存器 VRANGE_MULT 中的调节设置。
调节设置为 1x 时，8 位值代表 0.2V 至 1.475V 的范围，1LSB = 5mV。
调节设置为 4x 时，8 位值代表 0.8V 至 5.9V 的范围，1LSB = 20mV。

8.5.1.22 MON_LVL[3] 寄存器（地址 = 0x42）[默认值 = X]

表 8-27 中显示了 MON_LVL[3]。

返回到汇总表。

对于每个通道的 ADC 读数 - 8 位

表 8-27 MON_LVL[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ADC[7:0]RX该寄存器表示通道 3 的 8 位电压电平。
8 位值的解释取决于寄存器 VRANGE_MULT 中的调节设置。
调节设置为 1x 时，8 位值代表 0.2V 至 1.475V 的范围，1LSB = 5mV。
调节设置为 4x 时，8 位值代表 0.8V 至 5.9V 的范围，1LSB = 20mV。

8.5.1.23 MON_LVL[4] 寄存器（地址 = 0x43）[默认值 = X]

表 8-28 中显示了 MON_LVL[4]。

返回到汇总表。

对于每个通道的 ADC 读数 - 8 位

表 8-28 MON_LVL[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ADC[7:0]RX该寄存器表示通道 4 的 8 位电压电平。
8 位值的解释取决于寄存器 VRANGE_MULT 中的调节设置。
调节设置为 1x 时，8 位值代表 0.2V 至 1.475V 的范围，1LSB = 5mV。
调节设置为 4x 时，8 位值代表 0.8V 至 5.9V 的范围，1LSB = 20mV。

8.5.1.24 MON_LVL[5] 寄存器（地址 = 0x44）[默认值 = X]

表 8-29 中显示了 MON_LVL[5]。

返回到汇总表。

对于每个通道的 ADC 读数 - 8 位

表 8-29 MON_LVL[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ADC[7:0]RX该寄存器表示通道 5 的 8 位电压电平。
8 位值的解释取决于寄存器 VRANGE_MULT 中的调节设置。
调节设置为 1x 时，8 位值代表 0.2V 至 1.475V 的范围，1LSB = 5mV。
调节设置为 4x 时，8 位值代表 0.8V 至 5.9V 的范围，1LSB = 20mV。

8.5.1.25 MON_LVL[6] 寄存器（地址 = 0x45）[默认值 = X]

表 8-30 中显示了 MON_LVL[6]。

返回到汇总表。

对于每个通道的 ADC 读数 - 8 位

表 8-30 MON_LVL[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ADC[7:0]RX该寄存器表示通道 6 的 8 位电压电平。
8 位值的解释取决于寄存器 VRANGE_MULT 中的调节设置。
调节设置为 1x 时，8 位值代表 0.2V 至 1.475V 的范围，1LSB = 5mV。
调节设置为 4x 时，8 位值代表 0.8V 至 5.9V 的范围，1LSB = 20mV。

8.5.1.26 SEQ_ON_LOG[1] 寄存器（地址 = 0x50）[默认值 = X]

表 8-31 中显示了 SEQ_ON_LOG[1]。

返回到汇总表。

通道 N 上电序列顺序值（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-31 SEQ_ON_LOG[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 1 的上电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[N] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.27 SEQ_ON_LOG[2] 寄存器（地址 = 0x51）[默认值 = X]

表 8-32 中显示了 SEQ_ON_LOG[2]。

返回到汇总表。

通道 N 上电序列顺序值（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-32 SEQ_ON_LOG[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 2 的上电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[N] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.28 SEQ_ON_LOG[3] 寄存器（地址 = 0x52）[默认值 = X]

表 8-33 中显示了 SEQ_ON_LOG[3]。

返回到汇总表。

通道 N 上电序列顺序值（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-33 SEQ_ON_LOG[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 3 的上电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[N] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.29 SEQ_ON_LOG[4] 寄存器（地址 = 0x53）[默认值 = X]

表 8-34 中显示了 SEQ_ON_LOG[4]。

返回到汇总表。

通道 N 上电序列顺序值（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-34 SEQ_ON_LOG[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 4 的上电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[N] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.30 SEQ_ON_LOG[5] 寄存器（地址 = 0x54）[默认值 = X]

表 8-35 中显示了 SEQ_ON_LOG[5]。

返回到汇总表。

通道 N 上电序列顺序值（ACT/ SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-35 SEQ_ON_LOG[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 5 的上电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[N] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.31 SEQ_ON_LOG[6] 寄存器（地址 = 0x55）[默认值 = X]

表 8-36 中显示了 SEQ_ON_LOG[6]。

返回到汇总表。

通道 N 上电序列顺序值（ACT/SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-36 SEQ_ON_LOG[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 6 的上电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[N] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.32 SEQ_OFF_LOG[1] 寄存器（地址 = 0x60）[默认值 = X]

表 8-37 中显示了 SEQ_OFF_LOG[1]。

返回到汇总表。

通道 N 断电序列顺序值（ACT 从 1 变为 0）。

表 8-37 SEQ_OFF_LOG[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 1 的断电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.33 SEQ_OFF_LOG[2] 寄存器（地址 = 0x61）[默认值 = X]

表 8-38 中显示了 SEQ_OFF_LOG[2]。

返回到汇总表。

通道 N 断电序列顺序值（ACT 从 1 变为 0）。

表 8-38 SEQ_OFF_LOG[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 2 的断电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.34 SEQ_OFF_LOG[3] 寄存器（地址 = 0x62）[默认值 = X]

表 8-39 中显示了 SEQ_OFF_LOG[3]。

返回到汇总表。

通道 N 断电序列顺序值（ACT 从 1 变为 0）。

表 8-39 SEQ_OFF_LOG[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 3 的断电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.35 SEQ_OFF_LOG[4] 寄存器（地址 = 0x63）[默认值 = X]

表 8-40 中显示了 SEQ_OFF_LOG[4]。

返回到汇总表。

通道 N 断电序列顺序值（ACT 从 1 变为 0）。

表 8-40 SEQ_OFF_LOG[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 4 的断电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.36 SEQ_OFF_LOG[5] 寄存器（地址 = 0x64）[默认值 = X]

表 8-41 中显示了 SEQ_OFF_LOG[5]。

返回到汇总表。

通道 N 断电序列顺序值（ACT 从 1 变为 0）。

表 8-41 SEQ_OFF_LOG[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 5 的断电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.37 SEQ_OFF_LOG[6] 寄存器（地址 = 0x65）[默认值 = X]

表 8-42 中显示了 SEQ_OFF_LOG[6]。

返回到汇总表。

通道 N 断电序列顺序值（ACT 从 1 变为 0）。

表 8-42 SEQ_OFF_LOG[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 6 的断电序列顺序值。
序列顺序值是在 ACT 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.38 SEQ_EXS_LOG[1] 寄存器（地址 = 0x70）[默认值 = X]

表 8-43 中显示了 SEQ_EXS_LOG[1]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠退出序列顺序值（SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-43 SEQ_EXS_LOG[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 1 的睡眠退出序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[1] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.39 SEQ_EXS_LOG[2] 寄存器（地址 = 0x71）[默认值 = X]

表 8-44 中显示了 SEQ_EXS_LOG[2]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠退出序列顺序值（SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-44 SEQ_EXS_LOG[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 2 的睡眠退出序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[2] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.40 SEQ_EXS_LOG[3] 寄存器（地址 = 0x72）[默认值 = X]

表 8-45 中显示了 SEQ_EXS_LOG[3]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠退出序列顺序值（SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-45 SEQ_EXS_LOG[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 3 的睡眠退出序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[3] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.41 SEQ_EXS_LOG[4] 寄存器（地址 = 0x73）[默认值 = X]

表 8-46 中显示了 SEQ_EXS_LOG[4]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠退出序列顺序值（SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-46 SEQ_EXS_LOG[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 4 的睡眠退出序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[4] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.42 SEQ_EXS_LOG[5] 寄存器（地址 = 0x74）[默认值 = X]

表 8-47 中显示了 SEQ_EXS_LOG[5]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠退出序列顺序值（SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-47 SEQ_EXS_LOG[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 5 的睡眠退出序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[5] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.43 SEQ_EXS_LOG[6] 寄存器（地址 = 0x75）[默认值 = X]

表 8-48 中显示了 SEQ_EXS_LOG[6]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠退出序列顺序值（SLEEP 从 0 变为 1）。

表 8-48 SEQ_EXS_LOG[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 6 的睡眠退出序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压上升电平超过 UV_LF[6] 阈值时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.44 SEQ_ENS_LOG[1] 寄存器（地址 = 0x80）[默认值 = X]

表 8-49 中显示了 SEQ_ENS_LOG[1]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠进入序列顺序值（SLEEP 从 1 变为 0）。

表 8-49 SEQ_ENS_LOG[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 1 的睡眠进入序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.45 SEQ_ENS_LOG[2] 寄存器（地址 = 0x81）[默认值 = X]

表 8-50 中显示了 SEQ_ENS_LOG[2]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠进入序列顺序值（SLEEP 从 1 变为 0）。

表 8-50 SEQ_ENS_LOG[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 2 的睡眠进入序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.46 SEQ_ENS_LOG[3] 寄存器（地址 = 0x82）[默认值 = X]

表 8-51 中显示了 SEQ_ENS_LOG[3]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠进入序列顺序值（SLEEP 从 1 变为 0）。

表 8-51 SEQ_ENS_LOG[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 3 的睡眠进入序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.47 SEQ_ENS_LOG[4] 寄存器（地址 = 0x83）[默认值 = X]

表 8-52 中显示了 SEQ_ENS_LOG[4]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠进入序列顺序值（SLEEP 从 1 变为 0）。

表 8-52 SEQ_ENS_LOG[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 4 的睡眠进入序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.48 SEQ_ENS_LOG[5] 寄存器（地址 = 0x84）[默认值 = X]

表 8-53 中显示了 SEQ_ENS_LOG[5]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠进入序列顺序值（SLEEP 从 1 变为 0）。

表 8-53 SEQ_ENS_LOG[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 5 的睡眠进入序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.49 SEQ_ENS_LOG[6] 寄存器（地址 = 0x85）[默认值 = X]

表 8-54 中显示了 SEQ_ENS_LOG[6]。

返回到汇总表。

通道 N 睡眠进入序列顺序值（SLEEP 从 1 变为 0）。

表 8-54 SEQ_ENS_LOG[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0ORDER[7:0]RX该寄存器存储通道 6 的睡眠进入序列顺序值。
序列顺序值是在 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的标签。
当电压下降电平超过关断阈值 (200mV) 时分配标签。
在超过阈值时，标签值为 SYNC_ORD_COUNT。

8.5.1.50 SEQ_TIME_MSB[1] 寄存器（地址 = 0x90）[默认值 = X]

表 8-55 中显示了 SEQ_TIME_MSB[1]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-55 SEQ_TIME_MSB[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 1 的序列时间戳的 MSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[1] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.51 SEQ_TIME_LSB[1] 寄存器（地址 = 0x91）[默认值 = X]

表 8-56 中显示了 SEQ_TIME_LSB[1]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-56 SEQ_TIME_LSB[1] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 1 的序列时间戳的 LSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[1] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.52 SEQ_TIME_MSB[2] 寄存器（地址 = 0x92）[默认值 = X]

表 8-57 中显示了 SEQ_TIME_MSB[2]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-57 SEQ_TIME_MSB[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 2 的序列时间戳的 MSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[2] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.53 SEQ_TIME_LSB[2] 寄存器（地址 = 0x93）[默认值 = X]

表 8-58 中显示了 SEQ_TIME_LSB[2]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-58 SEQ_TIME_LSB[2] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 2 的序列时间戳的 LSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[2] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.54 SEQ_TIME_MSB[3] 寄存器（地址 = 0x94）[默认值 = X]

表 8-59 中显示了 SEQ_TIME_MSB[3]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-59 SEQ_TIME_MSB[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 3 的序列时间戳的 MSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[3] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.55 SEQ_TIME_LSB[3] 寄存器（地址 = 0x95）[默认值 = X]

表 8-60 中显示了 SEQ_TIME_LSB[3]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-60 SEQ_TIME_LSB[3] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 3 的序列时间戳的 LSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[3] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.56 SEQ_TIME_MSB[4] 寄存器（地址 = 0x96）[默认值 = X]

表 8-61 中显示了 SEQ_TIME_MSB[4]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-61 SEQ_TIME_MSB[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 4 的序列时间戳的 MSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[4] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.57 SEQ_TIME_LSB[4] 寄存器（地址 = 0x97）[默认值 = X]

表 8-62 中显示了 SEQ_TIME_LSB[4]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-62 SEQ_TIME_LSB[4] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 4 的序列时间戳的 LSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[4] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.58 SEQ_TIME_MSB[5] 寄存器（地址 = 0x98）[默认值 = X]

表 8-63 中显示了 SEQ_TIME_MSB[5]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-63 SEQ_TIME_MSB[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 5 的序列时间戳的 MSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[5] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.59 SEQ_TIME_LSB[5] 寄存器（地址 = 0x99）[默认值 = X]

表 8-64 中显示了 SEQ_TIME_LSB[5]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-64 SEQ_TIME_LSB[5] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 5 的序列时间戳的 LSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[5] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.60 SEQ_TIME_MSB[6] 寄存器（地址 = 0x9A）[默认值 = X]

表 8-65 中显示了 SEQ_TIME_MSB[6]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-65 SEQ_TIME_MSB[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 6 的序列时间戳的 MSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[6] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.61 SEQ_TIME_LSB[6] 寄存器（地址 = 0x9B）[默认值 = X]

表 8-66 中显示了 SEQ_TIME_LSB[6]。

返回到汇总表。

通道 N 序列时间戳值 MSB 和 LSB（所有序列）。

表 8-66 SEQ_TIME_LSB[6] 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:0CLOCK[7:0]RX该寄存器存储通道 6 的序列时间戳的 LSB。
序列计时器值是在由 ACT 或 SLEEP 触发的序列期间分配给通道的时间。
当电压上升电平超过上电和睡眠退出序列（ACT 01 或 SLEEP 01）的 UV_LF[6] 阈值时，将存储时间戳。
当电压下降电平超过断电和睡眠进入序列（ACT 10 或 SLEEP 10）的 OFF 阈值 (200mV) 时，将存储时间戳。
最低有效位对应于 50µs（等于 tSEQ_LSB）。

8.5.1.62 Bank_SEL 寄存器（地址 = 0xF0）[默认值 = 0x00]

表 8-67 中显示了 BANK_SEL。

返回到汇总表。

组选择 = 0 表示组 0，1 表示组 1

表 8-67 BANK_SEL 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:2RSVDR/W0bRSVD
1BANK_SELECTR/W0b不适用
0BANKR/W0b寄存器组选择编号。

8.5.1.63 PROT1 寄存器（地址 = 0xF1）[默认值 = 0x00]

表 8-68 中显示了 PROT1。

返回到汇总表。

保护选择寄存器。为了对寄存器组进行写保护，主机必须在两个寄存器中设置相关位。为了安全起见，寄存器 PROT1 和 PROT2 需要将 POR 值设为 0x00，并且一旦设置，将变为只读状态，直到下电上电。一旦设置为 1，主机就不能将它们清除为 0。可以通过以下方式将其清除（并允许写入不同的 VMON 寄存器配置）：下电上电；通过在退出序列 2 时执行的 VMON_CTL.RESET BIST 进行复位（如果 TEST_CFG.AT_SHDN=1）。

表 8-68 PROT1 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6RSVDR/W0bRSVD
5WRKCR/W0b
0b
0 = 控制工作 (WRKC) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对控制工作寄存器的写入。
4WRKSR/W0b
0b
0 = 序列工作 (WRKS) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对序列工作寄存器的写入。
3CFGR/W0b
0b
0 = 配置 (CFG) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对配置寄存器的写入。
2IENR/W0b
0b
0 = 中断使能 (IEN) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对中断使能寄存器的写入。
1MONR/W0b
0b
0 = 监控 (MON[N]) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对 PROT_MON1 寄存器中所选监控寄存器的写入。
0SEQR/W0b
0b
0 = 序列 (SEQ) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对序列寄存器的写入。

8.5.1.64 PROT2 寄存器（地址 = 0xF2）[默认值 = 0x00]

表 8-69 中显示了 PROT2。

返回到汇总表。

保护选择寄存器。为了对寄存器组进行写保护，主机必须在两个寄存器中设置相关位。为了安全起见，寄存器 PROT1 和 PROT2 需要将 POR 值设为 0x00，并且一旦设置，将变为只读状态，直到下电上电。一旦设置为 1，主机就不能将它们清除为 0。可以通过以下方式将其清除（并允许写入不同的 VMON 寄存器配置）：下电上电；通过在退出序列 2 时执行的 VMON_CTL.RESET BIST 进行复位（如果 TEST_CFG.AT_SHDN=1）。

表 8-69 PROT2 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6RSVDR/W0bRSVD
5WRKCR/W0b
0b
0 = 控制工作 (WRKC) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对控制工作寄存器的写入。
4WRKSR/W0b
0b
0 = 序列工作 (WRKS) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对序列工作寄存器的写入。
3CFGR/W0b
0b
0 = 配置 (CFG) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对配置寄存器的写入。
2IENR/W0b
0b
0 = 中断使能 (IEN) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对中断使能寄存器的写入。
1MONR/W0b
0b
0 = 监控 (MON[N]) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对 PROT_MON1 寄存器中所选监控寄存器的写入。
0SEQR/W0b
0b
0 = 序列 (SEQ) 寄存器可写入。

0b
1 = 忽略对序列寄存器的写入。

8.5.1.65 PROT_MON2 寄存器（地址 = 0xF3）[默认值 = 0xC1]

表 8-70 中显示了 PROT_MON2。

返回到汇总表。

监控通道配置保护。

表 8-70 PROT_MON2 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:6RSVD读/写 11bRSVD
5:0MON[N]R/W1b该寄存器选择在写入 PROT1、PROT2 寄存器以保护 MON 组后将受到保护的监视器通道配置。


0 = 通道 N 的监控配置寄存器可写入。


1 = 忽略对通道 N 的监控配置寄存器的写入。

8.5.1.66 I2CADDR 寄存器（地址 = 0xF9）[默认值 = X]

表 8-71 中显示了 I2CADDR。

返回到汇总表。

3 个 LSB 位根据电阻值决定，5 个 MSB 位基于 OTP NVM。ADDR_NVM 的默认值为 30（出厂默认设置）

表 8-71 I2CADDR 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7RSVDRXRSVD
6:3ADDR_NVM[3:0]RXI2C 地址的四个最高有效位。
在 NVM 中设置。
2:0ADDR_STRAP[2:0]RXI2C 地址的三个最低有效位。
由在 ADDR 引脚上检测到的 strap 电平设置，从 000b 到 111b。

8.5.1.67 DEV_CFG 寄存器（地址 = 0xFA）[默认值 = X]

表 8-72 中显示了 DEV_CFG。

返回到汇总表。

I2C 接口电平状态，0 表示 3.3V I/F，1 表示 1.2V/1.8V 接口（出厂默认设置）

表 8-72 DEV_CFG 寄存器字段说明
位字段类型默认值说明
7:1RSVDRXRSVD
0SOC_IFRX主机 SoC 接口（包括 I2C、ACT、SLEEP 和 SYNC）。

0 = 3.3V
1 = 1.2V/1.8V
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