9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (April 2015)to RevisionE (January 2024)

• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
• 更新了数据表标题，以包含“汽车类”。在数据表中通篇添加了 WEBENCH® 链接向提到的 PowerPAD 封装添加了“集成电路”。将 MOSFET 电阻从 110mΩ 更改为 100mΩ。将 I _Q 从 18µA 更改为 15µAGo
• 更新了“封装信息”表的注释。将精度更新为两位有效数字Go
• 将引脚配置图标题更改为“DDA 封装 8 引脚 SOIC（带散热焊盘）顶视图”，并将标题移至正确的位置。将“PowerPAD”更改为“DAP”Go
• 将“绝对最大额定值”表更新为新格式，其中不包括特定参数名称，但包括最小值和最大值列。在表头中标出了 T_J。使用了引脚名称而不是信号名称。BOOT 和 PH 电压现在标记为输出电压。更新了脚注并删除了注释 2Go
• 将 BOOT 至 PH 绝对最大值从 10V 更改为 6VGo
• 删除了 BOOT 至 GND 电压的绝对最大额定值Go
• 删除了 MM ESDGo
• 将 CDM ESD 电压从 ±1500V 更改为 ±750VGo
• 将建议的工作“V_I”更改为“输入电压”Go
• 更新了热性能信息脚注以匹配当前 TI 标准，其中包括 JEDEC 标准信息。添加了 EVM R_θJA 信息Go
• 将 R_θJA 从 41.2 更改为 42.3，将 R_θJC(top) 从 44.4 更改为 46，将 R_θJB 从 22.1 更改为 15，将 ψ_JB 从 21.9 更改为 15.3，并将 R_θJC(bot) 从 3 更改为 6Go
• 添加了典型规格 EC 表头的条件，添加了参数名称，并在参数描述中使用了引脚名称。添加了表注Go
• 将 V_FB 的测试条件从“I_O = 0A 至 3A”更改为“T_J =–40°C 至 125°C”，将 r_DS(ON) 更改为 R_DSON(HS)，并将 R_DSON(HS) 的测试条件从“VIN = 5.5V”更改为“V_IN = 5.5V，V_BOOT-SW = 4.0V”。Go
• 将 I_Q 的名称在 ENA 为低电平时更改为 I_SD(VIN)，在芯片处于激活状态时更改为 I_Q(VIN) Go
• 添加了 D_MAX 的测试条件“f_SW = 500kHz”，并添加了第二个 R_DSON(HS) 规格的测试条件“V_IN = 12V，V_BOOT-SW = 4.5V”Go
• 将 I_Q(VIN) 典型值从 3mA 更改为 2mA，将 I_SD(VIN) 典型值从 18µA 更改为 15µA，将 VIN_UVLO(H) 从 330mV 更改为 0.35V，并将 V_EN(H) 从 450mV 更改为 325mVGo
• 将 VIN = 5V 时的 R_DS(ON) 典型值从 150mΩ 更改为 125mΩ，并将 VIN = 12V 时的典型值从 110mΩ 更改为 100mΩGo
• 将概述 中的“110mΩ 高侧 MOSFET”更改为“100mΩ 高侧 MOSFET”，并将 18µA 更改为 15µAGo
• 将功能方框图中的“PowerPAD”更改为“DAP”Go
• 将使能 (ENA) 和内部慢启动 部分中的关断电流从 18μA 更改为 15μAGo
• 将 UVLO 描述中的 UVLO 迟滞从 330mV 更改为 350mVGo
• 将图 7-1中 TPS5430DDA 封装图的“PwPd”更改为“DAP”，并将电路说明中的“裸露的散热焊盘”更改为“DAP”Go
• 添加了“使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案”部分Go
• 将图 7-9 和图 7-10 中 TPS5430DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
• 将图 7-11 中 TPS5430DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
• 从布局示例 部分删除了焊盘图案Go
• 添加了“使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案”部分Go