ZHCSQS9E November   2007  – January 2024 TPS5430-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息（DDA 封装）
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  振荡器频率
      2. 6.3.2  电压基准
      3. 6.3.3  使能（ENA）和内部慢启动
      4. 6.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5  升压电容器（BOOT）
      6. 6.3.6  输出反馈（VSENSE）和内部补偿
      7. 6.3.7  电压前馈
      8. 6.3.8  脉宽调制 (PWM) 模式
      9. 6.3.9  过流限制
      10. 6.3.10 过压保护 (OVP)
      11. 6.3.11 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 6.4.2 在实施 ENA 控制的情况下运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用电路，12 V 至 5 V
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 开关频率
          3. 7.2.1.2.3 输入电容器
          4. 7.2.1.2.4 输出滤波器元件
            1. 7.2.1.2.4.1 电感器选择
            2. 7.2.1.2.4.2 电容器选型
          5. 7.2.1.2.5 输出电压设定点
          6. 7.2.1.2.6 启动电容器
          7. 7.2.1.2.7 环流二极管
          8. 7.2.1.2.8 高级信息
            1. 7.2.1.2.8.1 输出电压限制
            2. 7.2.1.2.8.2 内部补偿网络
            3. 7.2.1.2.8.3 热计算
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 9V 至 21V 输入到 5V 输出应用电路
      3. 7.2.3 使用陶瓷输出滤波电容器的电路
        1. 7.2.3.1 输出滤波器元件选择
        2. 7.2.3.2 外部补偿网络
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS5430-Q1 是一款高输出电流 PWM 转换器，集成了低电阻高侧 N 沟道 MOSFET。具有所列特性的基板上还包括高性能电压误差放大器（可在瞬态条件下提供高稳压精度）、欠压锁定 (UVLO) 电路（用于防止在输入电压达到 5.5V 前启动）、内部设置的慢启动电路（用于限制浪涌电流）以及电压前馈电路（用于改进瞬态响应）。通过使用使能 (ENA) 引脚，关断电源电流通常可减少到 15μA。其他特性包括高电平有效使能端、过流限制、过压保护 (OVP) 和热关断。为降低设计复杂性并减少外部元件数量，TPS5430-Q1 反馈环路进行了内部补偿。TPS5430-Q1 可调节多种电源，包括 24V 总线。

TPS5430-Q1 器件采用易于使用的热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 集成电路封装。TI 提供评估模块和 WEBENCH 软件工具，有助于快速实现高性能电源设计，可满足迫切的设备开发周期要求。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
TPS5430-Q1 DDA（SO PowerPAD，8） 4.9mm x 3.9mm
(1) 有关更多信息，请参阅 节 10。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
GUID-A8B6400C-F15F-4AEE-8075-AF34BE3D6744-low.gif简化版原理图
GUID-8C1DE10F-DC53-45CE-92C5-54B8F68D656D-low.gif效率与输出电流之间的关系
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